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公开(公告)号：CN111162084A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201910851403.X
申请日：2019-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11521 , H01L27/11568 , H01L27/11582 , H01L29/10
Abstract: 一种垂直型存储器件包括：多个栅电极，堆叠在衬底上；和垂直沟道结构，沿垂直于衬底的上表面的第一方向穿透所述多个栅电极。垂直沟道结构包括：沿第一方向延伸的沟道；第一填充膜，部分地填充沟道的内部空间；第一衬层，在第一填充膜的上表面的至少一部分上并且在沟道的远离衬底延伸超过第一填充膜的上部内侧壁。第一衬层包括n型杂质。垂直沟道结构包括在第一衬层的至少一部分上的第二填充膜和在第二填充膜上并与第一衬层接触的焊盘。
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公开(公告)号：CN110718552A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910211674.9
申请日：2019-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578
Abstract: 本发明公开了包括具有局部扩大的沟道孔的半导体器件，该半导体器件包括在衬底上的下堆叠结构、在下堆叠结构上的上堆叠结构以及在穿过上堆叠结构和下堆叠结构形成的沟道孔中的沟道结构。沟道孔包括在下堆叠结构中的下沟道孔、在上堆叠结构中的上沟道孔、以及与下堆叠结构和上堆叠结构之间的界面相邻的局部延伸部分。局部延伸部分与下沟道孔和上沟道孔流体连通。局部延伸部分的横向宽度可以大于与局部延伸部分相邻的上沟道孔的横向宽度，并大于与局部延伸部分相邻的上沟道孔的横向宽度。
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公开(公告)号：CN110066988A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910034623.3
申请日：2019-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于生成喷头的3D形状数据的设备、一种制造喷头的方法和一种用于制造喷头的系统。所述设备包括：数据处理器，生成包括指示晶圆的上表面与喷头之间的第一距离的值的信息、指示晶圆上的位置的信息以及关于流体流动物理量值的信息的数据集，并且确定表示各个信息之间的关系的函数；输入单元，接收状况数据和每个位置的目标流体流动物理量值；以及数据库，存储关于所述函数的信息。数据处理器获得关于每个位置处的晶圆的上表面与喷头之间的具有目标流体流动物理量值的第二距离的信息，提取喷头的下表面的空间坐标信息，并且利用空间坐标信息生成喷头的3D形状数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111106117B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201910909872.2
申请日：2019-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/00 , H01L29/788
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，该方法被如下提供。形成孔以穿过初始第一模层和初始第二模层以分别形成在垂直于下部结构的垂直方向上交替地堆叠在下部结构上的第一模层和第二模层。沿着孔的侧表面部分地蚀刻第一模层，以形成凹陷区域和凹陷的第一模层。在凹陷区域中形成第三模层以形成层间绝缘层，使得每个层间绝缘层包括在垂直方向上位于相同水平的对应的第三模层和对应的凹陷的第一模层。在孔中形成第一电介质层以覆盖彼此堆叠的第三模层和第二模层。在第一电介质层上形成信息存储图案。
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公开(公告)号：CN110066988B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201910034623.3
申请日：2019-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y50/02 , B33Y80/00
Abstract: 提供了一种用于生成喷头的3D形状数据的设备、一种制造喷头的方法和一种用于制造喷头的系统。所述设备包括：数据处理器，生成包括指示晶圆的上表面与喷头之间的第一距离的值的信息、指示晶圆上的位置的信息以及关于流体流动物理量值的信息的数据集，并且确定表示各个信息之间的关系的函数；输入单元，接收状况数据和每个位置的目标流体流动物理量值；以及数据库，存储关于所述函数的信息。数据处理器获得关于每个位置处的晶圆的上表面与喷头之间的具有目标流体流动物理量值的第二距离的信息，提取喷头的下表面的空间坐标信息，并且利用空间坐标信息生成喷头的3D形状数据。
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公开(公告)号：CN111424261A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201910813222.8
申请日：2019-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/56
Abstract: 提供了一种原子层沉积(ALD)设备，所述ALD设备包括：第一工艺室，被构造为供应第一源气体并诱导第一材料膜的吸附。第二工艺室被构造为供应第二源气体并诱导第二材料膜的吸附。第三工艺室被构造为供应第三源气体并诱导第三材料膜的吸附。表面处理室被构造为对第一材料膜至第三材料膜中的每个执行表面处理工艺并去除反应副产物。热处理室被构造为对在其上以预定顺序吸附有第一材料膜至第三材料膜的基底执行热处理工艺并且使第一材料膜至第三材料膜转换为单一化合物薄膜。
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公开(公告)号：CN106024794B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201610187524.5
申请日：2016-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/788
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括：衬底；衬底上的隧道绝缘图案；隧道绝缘图案上的电荷存储图案；电荷存储图案上的电介质图案，电介质图案的宽度小于电荷存储图案的宽度；电介质图案上的控制栅极，控制栅极的宽度大于电介质图案的宽度；以及控制栅极上的含金属栅极。
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公开(公告)号：CN106024794A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610187524.5
申请日：2016-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括：衬底；衬底上的隧道绝缘图案；隧道绝缘图案上的电荷存储图案；电荷存储图案上的电介质图案，电介质图案的宽度小于电荷存储图案的宽度；电介质图案上的控制栅极，控制栅极的宽度大于电介质图案的宽度；以及控制栅极上的含金属栅极。
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