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公开(公告)号：CN115000006A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210612937.9
申请日：2016-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/8238
Abstract: 半导体装置包含：导体，其安置于衬底上；第一触点，其安置于导体上；第二触点，其具有安置于第一触点上的第一部分以及在平行于衬底的方向上远离第一部分伸出的第二部分，其中第一和第二触点安置于绝缘层中；通孔，其安置于绝缘层和第二触点的第二部分上；以及金属线，其安置于通孔上。
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公开(公告)号：CN113192951A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110478287.9
申请日：2016-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , G06F30/392 , G06F30/394 , G06F30/398
Abstract: 提供集成电路和集成电路组。该集成电路包括：基底；第一和第二有源区；第一和第二电源线；多个栅极图案，平行第一方向延伸并沿第二方向彼此间隔开；第一接触件，在有源区内和栅极图案上；连接下金属线和上金属线的过孔；多个鳍，沿第二方向延伸并形成在有源区上；源区/漏区，在有源区中和栅极图案两侧处；第二接触件，连接到源区/漏区。栅极图案在鳍上沿第一方向跨过鳍彼此平行延伸。第一接触件在第一层中，下金属线在第二层中，上金属线在第三层中。第一接触件将栅极图案电连接至下金属线。第一接触件包括接触栅极图案的第一部和接触下金属线的第二部。第一和第二有源区包括PMOSFET和NMOSFET区。
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公开(公告)号：CN112786583A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011192165.5
申请日：2020-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种集成电路包括：第一标准单元，包括第一第一类型晶体管、第一第二类型晶体管、第三第二类型晶体管和第三第一类型晶体管；第二标准单元，包括第二第一类型晶体管、第二第二类型晶体管、第四第二类型晶体管和第四第一类型晶体管；以及多个布线层，设置在所述第一标准单元和所述第二标准单元上并且包括顺序堆叠的第一布线层、第二布线层和第三布线层。所述第一第一类型晶体管的源极接触和所述第二第一类型晶体管的源极接触通过所述多个布线层的第一电源轨电连接，并且所述第三第一类型晶体管的源极接触和所述第四第一类型晶体管的源极接触通过多个布线层的第二电源轨电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110828449A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910327491.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088
Abstract: 提供了包括标准单元的集成电路以及制造集成电路的方法。一种集成电路可以包括：第一标准单元，包括在第一水平方向上延伸的第一有源区和第二有源区以及在与第一水平方向正交的第二水平方向上延伸的第一栅极线；和第二标准单元，其包括在第一水平方向上延伸的第三有源区和第四有源区以及在第二水平方向上与第一栅极线平行地对准的第二栅极线并与第一标准单元相邻。第一标准单元的第二有源区与第二标准单元的第三有源区之间的距离可以大于第一标准单元的第一有源区和第二有源区之间的距离，并可以大于第二标准单元的第三有源区和第四有源区之间的距离。
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公开(公告)号：CN113192951B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202110478287.9
申请日：2016-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , G06F30/392 , G06F30/394 , G06F30/398
Abstract: 提供集成电路和集成电路组。该集成电路包括：基底；第一和第二有源区；第一和第二电源线；多个栅极图案，平行第一方向延伸并沿第二方向彼此间隔开；第一接触件，在有源区内和栅极图案上；连接下金属线和上金属线的过孔；多个鳍，沿第二方向延伸并形成在有源区上；源区/漏区，在有源区中和栅极图案两侧处；第二接触件，连接到源区/漏区。栅极图案在鳍上沿第一方向跨过鳍彼此平行延伸。第一接触件在第一层中，下金属线在第二层中，上金属线在第三层中。第一接触件将栅极图案电连接至下金属线。第一接触件包括接触栅极图案的第一部和接触下金属线的第二部。第一和第二有源区包括PMOSFET和NMOSFET区。
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公开(公告)号：CN110828450A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910460009.3
申请日：2019-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H02M7/00
Abstract: 提供了一种集成电路，包括：沿第一方向在第一行中延伸的至少一个有源区；沿第一方向在第二行中延伸的至少一个有源区；以及多高度单元，包括第一行中的至少一个有源区、第二行中的至少一个有源区、沿与第一水平方向相交的第二方向上延伸的至少一条栅极线，其中，第一行中的至少一个有源区和第二行中的至少一个有源区中的每个有源区被扩散切断终止。
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公开(公告)号：CN107039417A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611023256.X
申请日：2016-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0207
Abstract: 半导体装置包含：导体，其安置于衬底上；第一触点，其安置于导体上；第二触点，其具有安置于第一触点上的第一部分以及在平行于衬底的方向上远离第一部分伸出的第二部分，其中第一和第二触点安置于绝缘层中；通孔，其安置于绝缘层和第二触点的第二部分上；以及金属线，其安置于通孔上。
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