公开(公告)号：CN110970389A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910825779.3

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李灿浩 ,  李仁荣 ,  裵镇国 ,  郑显秀

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/50

Abstract: 公开了凸块结构和凸块结构制造方法。可以提供包括焊盘和位于所述焊盘的顶表面上的凸块的凸块结构。所述凸块可以包括上凸块部分和下凸块部分，所述下凸块部分可以包括与所述焊盘的顶表面接触的基座部分和从所述基座部分向上延伸的柱状部分。所述基座部分的至少一部分在与所述焊盘的所述顶表面平行的平面上的截面面积可以大于所述柱状部分在与所述焊盘的所述顶表面平行的所述平面上的截面面积。

公开(公告)号：CN110676227A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910309072.7

申请日：2019-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴镇国 ,  郑显秀 ,  柳翰成 ,  李仁荣 ,  李灿浩

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/18 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体芯片包括半导体衬底。电极焊盘设置在半导体衬底上。电极焊盘包括低k材料层。第一保护层至少部分地围绕电极焊盘。第一保护层包括位于其上部的第一开口。缓冲焊盘电连接到电极焊盘。第二保护层至少部分地围绕缓冲焊盘。第二保护层包括位于其上部的第二开口。柱层和焊料层顺序地堆叠在缓冲焊盘上。缓冲焊盘的厚度大于电极焊盘的厚度。第一开口在平行于半导体衬底的上表面的第一方向上的宽度等于或大于第二开口在第一方向上的宽度。

公开(公告)号：CN108807318A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810387480.X

申请日：2018-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李灿浩 ,  郑显秀 ,  柳翰成 ,  李仁荣

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/373 ,  H01L23/481 ,  H01L23/544 ,  H01L23/58 ,  H01L24/02 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02381

Abstract: 可提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；绝缘层，位于所述衬底上且包括沟槽；至少一个通孔结构，穿透所述衬底且突出在所述沟槽的底表面上方；以及导电结构，在所述沟槽中环绕所述至少一个通孔结构。