公开(公告)号：CN111352881A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201911130434.2

申请日：2019-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昶教 ,  李东建 ,  张晋熏 ,  河庆洙 ,  吴起硕 ,  金经纶

IPC: G06F13/40

Abstract: 提供了一种信号发送和接收设备、存储器件及操作它们的方法。所述信号发送和接收设备包括：第一片上端接电路，所述第一片上端接电路连接到通过其发送或接收第一信号的第一引脚，当所述第一片上端接电路被启用时，所述第一片上端接电路被配置为将第一端接电阻提供给与所述第一引脚连接的信号线；第二片上端接电路，所述第二片上端接电路连接到通过其发送或接收第二信号的第二引脚，当所述第二片上端接电路被启用时，所述第二片上端接电路被配置为将第二端接电阻提供给与所述第二引脚连接的信号线；以及片上端接控制电路，所述片上端接控制电路被配置为：独立地控制所述第一片上端接电路和所述第二片上端接电路中的每一个的启用时间和停用时间。

公开(公告)号：CN107766786A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710450423.7

申请日：2017-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞炳仁 ,  郭荣竣 ,  金亭培 ,  孙辰雨 ,  李昶教 ,  崔昌圭 ,  韩在濬

IPC: G06K9/00 ,  G06F21/32 ,  G06Q20/40

CPC classification number: G06K9/00288 ,  G06K9/00107 ,  G06K9/00114 ,  G06K9/00228 ,  G06K9/00268 ,  G06K9/00899 ,  G06K9/00906 ,  G06K9/50 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G06F21/32 ,  G06K9/0008 ,  G06K9/00597 ,  G06K9/0061 ,  G06Q20/40145

Abstract: 公开一种活性测试方法和活性测试计算设备。一种处理器实现的活性测试方法包括：从输入图像中的对象的部分提取所述对象的感兴趣区域；使用基于神经网络模型的活性测试模型对所述对象执行活性测试，其中，活性测试模型使用感兴趣区域的图像信息作为提供到活性测试模型的第一输入图像信息，并至少基于由活性测试模型从感兴趣区域的信息提取的纹理信息确定活性；指示活性测试的结果。

公开(公告)号：CN110310681B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201910202222.4

申请日：2019-03-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文大植 ,  河庆洙 ,  孙宁洙 ,  吴起硕 ,  李昶教 ,  张晋熏 ,  崔娟圭 ,  玄锡勋

IPC: G11C7/10

Abstract: 提供了一种存储装置、一种操作存储装置的方法、一种存储控制器和一种操作存储控制器的方法。操作布置在多区块存储设备的不同区块中并共享信号线的存储装置的方法包括：在多区块存储设备中包括的所有存储装置中，接收信号线的片内终结(ODT)状态信息。所述方法还包括：在多区块存储设备中的每个存储装置中，将信号线的ODT状态信息存储在模式寄存器中。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，基于存储在模式寄存器中的信号线的ODT状态信息产生控制信号。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，响应于控制信号而改变信号线的ODT设置。

公开(公告)号：CN112951287B

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202110219921.7

申请日：2018-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙永训 ,  金始弘 ,  李昶教 ,  崔桢焕 ,  河庆洙

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/24 ,  G11C5/14

公开(公告)号：CN105631398B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201510823759.4

申请日：2015-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞炳仁 ,  金楠隼 ,  李昶教 ,  崔昌圭 ,  韩在濬

IPC: G06K9/00 ,  G06K9/62

Abstract: 公开了识别对象的方法和设备以及训练识别器的方法和设备。识别方法包括：接收输入图像；使用被预训练为同时识别多个元素的单个识别器识别与输入图像相关联的多个元素。

公开(公告)号：CN110534140A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910339068.5

申请日：2019-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东勳 ,  文大植 ,  孙宁洙 ,  孙永训 ,  吴起硕 ,  李昶教 ,  赵泫润 ,  河庆洙 ,  玄锡勳

IPC: G11C7/10

Abstract: 公开了一种存储器装置、存储器系统和存储器装置的操作方法。一种存储器装置包括：驱动器，驱动与外部装置连接的数据线；内部ZQ管理器，产生内部ZQ开始信号；选择器，基于ZQ模式选择内部ZQ开始信号和来自外部装置的ZQ开始命令中的一个；ZQ校准引擎，通过响应于选择器的选择结果执行ZQ校准来产生ZQ码；以及ZQ码寄存器，响应于来自外部装置的ZQ锁存命令将ZQ码加载到驱动器上。

公开(公告)号：CN110310681A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910202222.4

申请日：2019-03-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文大植 ,  河庆洙 ,  孙宁洙 ,  吴起硕 ,  李昶教 ,  张晋熏 ,  崔娟圭 ,  玄锡勋

IPC: G11C7/10

Abstract: 提供了一种存储装置、一种操作存储装置的方法、一种存储控制器和一种操作存储控制器的方法。操作布置在多区块存储设备的不同区块中并共享信号线的存储装置的方法包括：在多区块存储设备中包括的所有存储装置中，接收信号线的片内终结(ODT)状态信息。所述方法还包括：在多区块存储设备中的每个存储装置中，将信号线的ODT状态信息存储在模式寄存器中。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，基于存储在模式寄存器中的信号线的ODT状态信息产生控制信号。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，响应于控制信号而改变信号线的ODT设置。

公开(公告)号：CN109390011A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810866354.2

申请日：2018-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊夏 ,  李昶教 ,  严允柱

IPC: G11C11/4063

Abstract: 存储器模块包括外部电阻器和共同连接到外部电阻器的多个存储器器件。每个存储器器件包括第一接收焊盘和第一发送焊盘。第一接收焊盘与接收阻抗校准命令相关联，并且第一发送焊盘与发送阻抗校准命令相关联。每个存储器器件通过环形拓扑将阻抗校准命令传送到在多个存储器器件中被选为主器件的第一存储器器件。第一存储器器件执行阻抗校准操作，响应于阻抗校准命令确定输出驱动器的电阻和目标输出高电平电压，并且在执行阻抗校准操作之后将阻抗校准命令传送到第二存储器器件。