超声诊断设备及其控制方法

    公开(公告)号:CN104706378A

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201410759495.6

    申请日:2014-12-11

    Abstract: 在此公开了一种超声诊断设备及其控制方法。所述超声诊断设备包括:2D超声换能器阵列,二维布置了多个超声换能器元件;控制器,控制形成2D超声换能器阵列的所有超声换能器元件发送超声信号,并控制布置在形成2D超声换能器阵列的多个行中的一个行中的超声换能器元件顺序地接收超声回波信号。在使用2D超声换能器真理产生3D超声图像时,所述超声诊断设备可提高3D超声图像的分辨率和扫描速度,并且即使使用紧凑型系统(具有低复杂度的系统)也产生对象的3D超声图像。

    三维半导体存储器件
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112864166B

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202011344617.7

    申请日:2020-11-26

    Abstract: 公开了一种三维半导体存储器件。该器件可以包括:基板,包括单元阵列区域以及提供在单元阵列区域的端部处的连接区域;电极结构,从单元阵列区域延伸到连接区域,该电极结构包括顺序地堆叠在基板上的电极;提供在电极结构上的上绝缘层;提供在上绝缘层中并沿着电极延伸的第一水平绝缘层;以及提供在连接区域上以穿透上绝缘层和第一水平绝缘层的第一接触插塞。第一水平绝缘层可以包括具有比上绝缘层更好的耐蚀刻性能的材料。

    用于在基板上形成层的设备和在基板上形成层的方法

    公开(公告)号:CN109554691A

    公开(公告)日:2019-04-02

    申请号:CN201811088265.6

    申请日:2018-09-18

    Abstract: 公开了一种用于形成层的设备和一种在基板上形成层的方法。所述设备包括:转移腔室,在所述转移腔室中转移基板;沉积腔室,所述沉积腔室设置在所述转移腔室的一侧处,并且对所述基板执行沉积工艺,由此在所述基板上形成所述层;以及至少一个脱氢腔室,所述脱氢腔室设置在所述转移腔室的另一侧处,并且对所述基板上的所述层执行脱氢工艺,以减小所述层中的氢浓度。因此,在不从所述设备卸载所述基板的情况下,在所述设备中执行脱氢工艺。

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