公开(公告)号：CN101236902B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200810004908.4

申请日：2008-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承宪 ,  罗圭泰 ,  金注完 ,  金泽中

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/31612 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337

Abstract: 去除部分氧化物层的方法包括：通过使反应气与氧化物层反应形成第一副产物，该反应气包含氟和氮，使该反应气与第一副产物反应形成第二副产物，以及去除第二副产物。

公开(公告)号：CN1244032A

公开(公告)日：2000-02-09

申请号：CN99111093.5

申请日：1999-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金注完 ,  金成镇 ,  赵昶贤 ,  黄秉槿 ,  李宰求 ,  高宽协

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/3185

Abstract: 一种形成电介质层的新方法。当图形之间形成的凹槽区域的纵横比大时,该方法包括淀积第一电介质层、腐蚀第一电介质层和淀积第二电介质层的步骤,从而可以形成无空隙的电介质层。

公开(公告)号：CN101236902A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810004908.4

申请日：2008-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承宪 ,  罗圭泰 ,  金注完 ,  金泽中

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/31612 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337

Abstract: 去除部分氧化物层的方法包括：通过使反应气与氧化物层反应形成第一副产物，该反应气包含氟和氮，使该反应气与第一副产物反应形成第二副产物，以及去除第二副产物。

公开(公告)号：CN1146961C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN99111093.5

申请日：1999-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金注完 ,  金成镇 ,  赵昶贤 ,  黄秉槿 ,  李宰求 ,  高宽协

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/3185

Abstract: 一种形成电介质层的新方法。当图形之间形成的凹槽区域的纵横比大时，该方法包括淀积第一电介质层、腐蚀第一电介质层和淀积第二电介质层的步骤，从而可以形成无空隙的电介质层。