公开(公告)号：CN1146961C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN99111093.5

申请日：1999-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金注完 ,  金成镇 ,  赵昶贤 ,  黄秉槿 ,  李宰求 ,  高宽协

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/3185

Abstract: 一种形成电介质层的新方法。当图形之间形成的凹槽区域的纵横比大时，该方法包括淀积第一电介质层、腐蚀第一电介质层和淀积第二电介质层的步骤，从而可以形成无空隙的电介质层。

公开(公告)号：CN117980534A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280027186.2

申请日：2022-03-01

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： H·钱德拉 ,  李明 ,  萧满超 ,  雷新建 ,  H·金 ,  黄秉槿 ,  黄宣惠 ,  曹仑廷

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 一种制造电子器件，特别是用于沉积包含硅和硼的膜的组合物以及使用该组合物的方法，该膜具有低介电常数(

公开(公告)号：CN1319125C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN02828976.5

申请日：2002-07-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  陶氏康宁公司

Inventor： 梁成勋 ,  格伦·塞尔尼A ,  丁奎夏 ,  黄秉槿 ,  洪完植

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，更具体地，涉及一种可显著改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，从而解决寄生电容问题以获得高开口率结构，而当通过CVD或PECVD法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，利用硅烷气体可以缩短加工时间。

公开(公告)号：CN1244032A

公开(公告)日：2000-02-09

申请号：CN99111093.5

申请日：1999-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金注完 ,  金成镇 ,  赵昶贤 ,  黄秉槿 ,  李宰求 ,  高宽协

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/3185

Abstract: 一种形成电介质层的新方法。当图形之间形成的凹槽区域的纵横比大时,该方法包括淀积第一电介质层、腐蚀第一电介质层和淀积第二电介质层的步骤,从而可以形成无空隙的电介质层。

公开(公告)号：CN108346559A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810069059.4

申请日：2018-01-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  美国陶氏有机硅公司

Inventor： 郑元雄 ,  黄宣惠 ,  曹仑廷 ,  崔晶植 ,  周晓兵 ,  布莱恩大卫·雷肯 ,  黄秉槿 ,  麦可大卫·泰根霍夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/11521 ,  H01L21/336 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/0228 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/76831 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/40114 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02222 ,  H01L27/10844 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66568

Abstract: 一种制作半导体装置的方法及形成介电层的方法。制作半导体装置的方法包括：在衬底上形成具有高度差的结构；以及使用原子层沉积方法在所述结构上形成介电层结构。形成所述介电层结构包括在具有所述高度差的所述结构上形成包含氮化硅的第一介电层。形成所述第一介电层包括将包含五氯二硅烷或二异丙胺五氯二硅烷作为硅前体的第一气体以及包含氮成分的第二气体馈送到包括所述衬底的腔室中，使得在具有所述高度差的所述结构上在原位形成所述第一介电层。

公开(公告)号：CN1625799A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN02828976.5

申请日：2002-07-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  陶氏康宁公司

Inventor： 梁成勋 ,  格伦·塞尔尼A ,  丁奎夏 ,  黄秉槿 ,  洪完植

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，更具体地，涉及一种可显著改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，从而解决寄生电容问题以获得高开口率结构，而当通过CVD或PECVD法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，利用硅烷气体可以缩短加工时间。