公开(公告)号：CN104183551A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410217159.9

申请日：2014-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑盛允 ,  裵珍惠 ,  权亨峻 ,  朴钟撤 ,  李源俊

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括在衬底上形成材料层；执行选择性氧化工艺，以在材料层的第一表面上形成覆盖氧化物层，其中材料层的第二表面没有被氧化；以及经由第二表面蚀刻材料层以形成材料图案。覆盖氧化物层的蚀刻速率小于材料层的蚀刻速率。一种半导体器件可以包括在衬底上的下电极；数据存储部件，在下电极的上表面上；上电极，在数据存储部件上；以及覆盖氧化物层，布置在上电极的上表面的至少一部分上。覆盖氧化物层可以包括通过上电极的上表面的氧化而形成的氧化物。

公开(公告)号：CN105632915B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201510822241.9

申请日：2015-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟撤 ,  权亨峻

IPC: H01L21/3065 ,  H01L43/12 ,  H01J37/30

Abstract: 本公开提供了形成图案的方法、形成磁存储器件的方法及离子束设备。一种图案形成方法包括以第一入射角提供第一离子束以及以第二入射角提供第二离子束到形成于基板上的蚀刻目标层的表面。图案通过采用第一离子束和第二离子束图案化蚀刻目标层而形成。第一离子束和第二离子束相对于垂直于基板的顶表面的法线彼此实质上对称。第一入射角和第二入射角的每个大于0度并小于通过从90度减去预定角度获得的角度。

公开(公告)号：CN104051609B

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201410095275.8

申请日：2014-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟撤 ,  白光铉 ,  权亨峻 ,  金仁皓 ,  宣昌佑

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L43/12

Abstract: 在MRAM器件的方法中，在衬底上沿着第二方向交替地并且重复地形成第一和第二图案。每个第一图案和每个第二图案在垂直于第二方向的第一方向上延伸。第二图案的一些被去除以形成在第一方向上延伸的第一开口。形成填充第一开口的源极线。在第一和第二图案以及源极线上形成掩模。掩模包括在第一方向上的第二开口，每个第二开口在第二方向上延伸。第二图案通过第二开口暴露的部分被去除以形成第三开口。形成填充第三开口的第三图案。被第一和第三图案围绕的第二图案被去除以形成第四开口。形成填充第四开口的接触插塞。

公开(公告)号：CN105826463A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610037265.8

申请日：2016-01-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟撤 ,  权亨峻 ,  金仁皓 ,  朴钟淳

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02

Abstract: 本发明提供了图案化方法、制造半导体器件的方法以及半导体器件。所述图案化方法包括：在衬底上形成刻蚀目标层；在刻蚀目标层上形成掩模图案；以及使用掩模图案作为刻蚀掩模对刻蚀目标层进行刻蚀以形成彼此间隔开的图案。对刻蚀目标层的刻蚀处理包括利用入射能量在600eV至10keV的范围内的离子束照射刻蚀目标层。在各掩模图案之间的刻蚀目标层中形成凹进区，所述离子束以相对于衬底的顶面的第一角度入射至凹进区的底面，并以相对于凹进区的内侧面的第二角度入射至凹进区的内侧面。第一角度在50°至90°的范围内，第二角度在0°至40°的范围内。

公开(公告)号：CN105632915A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510822241.9

申请日：2015-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟撤 ,  权亨峻

IPC: H01L21/3065 ,  H01L43/12 ,  H01J37/30

Abstract: 本公开提供了形成图案的方法、形成磁存储器件的方法及离子束设备。一种图案形成方法包括以第一入射角提供第一离子束以及以第二入射角提供第二离子束到形成于基板上的蚀刻目标层的表面。图案通过采用第一离子束和第二离子束图案化蚀刻目标层而形成。第一离子束和第二离子束相对于垂直于基板的顶表面的法线彼此实质上对称。第一入射角和第二入射角的每个大于0度并小于通过从90度减去预定角度获得的角度。

公开(公告)号：CN103578975A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310308562.8

申请日：2013-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权亨峻 ,  渡嘉敷健 ,  朴钟撤

IPC: H01L21/3213 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01L21/32136 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供蚀刻金属层的方法和用所蚀刻的金属层制造半导体器件的方法。包括金属层和金属层上的掩模层的晶片可以被装载到处理腔室中。蚀刻气体可以被供应到处理腔室中以蚀刻被掩模层暴露的金属层。在蚀刻工艺之后，掩模层可以被去除。蚀刻气体可以包括磷（P）和氟（F）。RF功率可以被连续地或选择性地供应到处理腔室，或者不同电平的RF功率可以被选择性地供应。蚀刻气体可以在RF功率断开或处于低电平时被供应到处理腔室。表面活化气体可以在RF功率导通或处于高电平时被供应。

公开(公告)号：CN103151457A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210524179.1

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李佑澈 ,  渡嘉敷健 ,  权亨峻 ,  郑明勋

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  C23F1/12

CPC classification number: C23F1/12 ,  C23F1/02 ,  C23F4/00 ,  G11B5/3163 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种制造磁性器件的方法包括：形成层叠结构，该层叠结构包括磁性层；通过使用蚀刻气体蚀刻该层叠结构，该蚀刻气体包括按体积计的至少80%的H2气体。