公开(公告)号：CN117012723A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310049527.2

申请日：2023-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任忠彬 ,  金圣凡 ,  朴智镛 ,  朴镇右 ,  沈钟辅

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/14 ,  H01L23/16 ,  H01L23/48 ,  H01L23/06 ,  H01L23/498

Abstract: 提供了一种半导体封装件，其包括：支撑布线结构；半导体芯片，位于所述支撑布线结构上；覆盖布线结构，位于所述半导体芯片上；以及填充构件，填充在所述支撑布线结构与所述覆盖布线结构之间，其中，所述覆盖布线结构包括：腔，所述腔从所述覆盖布线结构的下表面延伸到所述覆盖布线结构中并且所述半导体芯片的上部位于所述腔中；以及第一槽和第二槽，在第一水平方向上分别具有第一宽度和第二宽度，所述第一槽和所述第二槽与所述腔连通并且分别延伸到所述覆盖布线结构的在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面。

公开(公告)号：CN115497884A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210677274.9

申请日：2022-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任忠彬 ,  朴镇右

IPC: H01L23/24 ,  H01L21/54 ,  H01L23/488 ,  H01L21/603

Abstract: 一种半导体封装包括：封装衬底；半导体芯片，安装在封装衬底上方；芯片连接端子，介于半导体芯片与封装衬底之间；粘合层，设置在封装衬底上，并且覆盖半导体芯片的侧面和顶表面，并围绕半导体芯片与封装衬底之间的芯片连接端子；模塑层，设置在封装衬底上并围绕粘合层；中介层，安装在粘合层和模塑层上，其中，中介层包括中介层衬底；以及导电柱，设置在封装衬底上，其中导电柱围绕半导体衬底的侧面，沿竖直方向贯穿模塑层并将封装衬底连接到中介层衬底。

公开(公告)号：CN112397468A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010644598.3

申请日：2020-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正镐 ,  金达譓 ,  朴镇右 ,  张在权

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件具有包括第一面和第二面的重新分布结构以及安装在所述第一面上的第一半导体芯片。所述半导体封装件还可包括从所述重新分布结构的所述第二面暴露的第一重新分布焊盘和从所述重新分布结构的所述第二面暴露的第二重新分布焊盘。所述半导体封装件还可包括与所述第一重新分布焊盘接触的第一焊球和与所述第二重新分布焊盘接触的第二焊球。在一些实施例中，所述第一重新分布焊盘的第一距离比所述第二重新分布焊盘的第二距离小，所述第一距离和所述第二距离是相对于与所述第一焊球的下部和所述第二焊球的下部相交的参考平面测量的。

公开(公告)号：CN109830466A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201910150160.7

申请日：2013-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗珉玉 ,  金钟局 ,  柳孝昌 ,  朴镇右 ,  孙凤辰 ,  李章雨

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56 ,  H01L25/10 ,  H01L21/98

Abstract: 提供了一种热界面材料层和包括该热界面材料层的层叠封装件器件。层叠封装件器件可包括设置在上半导体封装件和下半导体封装件之间并被构造为具有特定的物理性质的热界面材料层。因此，在执行焊料球焊接工艺来将上半导体封装件安装在下半导体封装件时，能够防止在下半导体芯片中出现开裂。

公开(公告)号：CN106531636B

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201610801613.4

申请日：2016-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李锡贤 ,  崔允硕 ,  赵泰济 ,  朴镇右

IPC: H01L21/48

Abstract: 提供了制造半导体芯片封装件和制造半导体封装件的方法。制造半导体封装件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面背对的第二表面的封装基底；将第一半导体芯片设置在封装基底上，所述第一半导体芯片具有面对封装基底的第二表面的第一表面、与第一半导体芯片的第一表面背对的第二表面以及从第一半导体芯片的第一表面延伸到第一半导体芯片的第二表面的侧表面；设置覆盖第一半导体芯片的侧表面并且覆盖封装基底的第二表面的模塑层；在第一半导体芯片的侧表面外部设置多个穿过模塑导电通路。穿过模塑导电通路可以在形成模塑层之前形成并且可以贯穿模塑层。穿过模塑导电通路可以延伸超过模塑层的第一表面。