公开(公告)号：CN100521185C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200510078841.5

申请日：2005-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴镇泽 ,  朴钟浩 ,  许星会 ,  金贤锡

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76895 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/485

Abstract: 一种用于半导体器件的互连结构，包括布置在半导体衬底上的层间绝缘层。贯穿所述层间绝缘层的第一接触结构。贯穿所述层间绝缘层的第二接触结构。使第一接触结构连接到所述层间绝缘层上的第二接触结构的金属互连。所述第一接触结构包括依次层叠的第一和第二栓塞，以及所述第二接触结构包括第二栓塞。

公开(公告)号：CN1971917A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610146422.5

申请日：2006-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊熙 ,  朴钟浩 ,  辛镇铉 ,  许星会 ,  金容锡 ,  金钟源

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324

Abstract: 一种非易失性存储器件可以包括：衬底，具有单元区；以及单元器件隔离层，位于该衬底的单元区上，以限定单元有源区。浮置栅极可以包括顺序层叠在单元有源区上的下部浮置栅极和上部浮置栅极，而隧道绝缘图形可以位于浮置栅极与单元有源区之间。控制栅电极可以位于该浮置栅极上，而且阻挡绝缘图形可以位于该控制栅电极与浮置栅极之间。更具体地说，上部浮置栅极可以包括位于该下部浮置栅极上的扁平部分和一对从与该单元器件隔离层相邻的扁平部分两边向上延伸的壁部分。此外，由该扁平部分和这对壁部分包围的空间上部的宽度可以大于该空间下部的宽度。还讨论了相关方法。

公开(公告)号：CN1971917B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610146422.5

申请日：2006-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊熙 ,  朴钟浩 ,  辛镇铉 ,  许星会 ,  金容锡 ,  金钟源

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324

Abstract: 一种非易失性存储器件可以包括：衬底，具有单元区；以及单元器件隔离层，位于该衬底的单元区上，以限定单元有源区。浮置栅极可以包括顺序层叠在单元有源区上的下部浮置栅极和上部浮置栅极，而隧道绝缘图形可以位于浮置栅极与单元有源区之间。控制栅电极可以位于该浮置栅极上，而且阻挡绝缘图形可以位于该控制栅电极与浮置栅极之间。更具体地说，上部浮置栅极可以包括位于该下部浮置栅极上的扁平部分和一对从与该单元器件隔离层相邻的扁平部分两边向上延伸的壁部分。此外，由该扁平部分和这对壁部分包围的空间上部的宽度可以大于该空间下部的宽度。还讨论了相关方法。

公开(公告)号：CN1061456C

公开(公告)日：2001-01-31

申请号：CN94104482.3

申请日：1994-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟浩

IPC: G11B7/09

CPC classification number: G11B7/126 ,  G11B19/04

Abstract: 光源元件驱动方法和装置。方法包括：当跟踪误差信号高于第一电平或低于第二电平时产生误差信号，如果误差信号起作用，则向光源元件输送与方式无关的适于数据读操作的驱动信号。装置包括：方式造反器，产生读/写基准能量数据的基准能量数据发生器，基于基准能量数据分别产生读/写驱动信号的第一和第二驱动信号发生器，基于跟踪误差信号产生误差信号的误差判别器，以及根据方式信号和误差信号在读/写驱动信号中进行选择的一个选择器。

公开(公告)号：CN1139261A

公开(公告)日：1997-01-01

申请号：CN95115920.8

申请日：1995-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟浩

IPC: G11B7/00

Abstract: 一种在数据记录和/或重放设备中的光盘上记录数据的方法，该设备有一存贮输入数据和预设定数据的缓冲器RAM，光盘有记录输入数据的数据记录区和记录与输入数据相关的信息的信息记录区，该方法包括：在把新输入数据存入RAM之前将RAM的设定数据录入数据记录区；将数据记录区的一特殊设定数据与欲存入RAM中的设定数据比较；若相同，则把输入数据暂存入RAM，并把RMA的输入数据记入数据记录区。

公开(公告)号：CN1031436C

公开(公告)日：1996-03-27

申请号：CN92105500.5

申请日：1992-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相忍 ,  洪正仁 ,  朴钟浩

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/90 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53271 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于制造具有布线层的半导体器件的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成绝缘层，在所述的绝缘层提供开口，露在所述绝缘层底层表面的一部分；在所述的绝缘层之上形成在随后的热处理步骤中不产生Si沉淀的第一导电层，对所述的第一导电层进行适当时间的热处理，使所述的开口充满所述第一导电层的物质。

公开(公告)号：CN1097888A

公开(公告)日：1995-01-25

申请号：CN94104482.3

申请日：1994-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟浩

IPC: G11B7/08 ,  G11B19/14

CPC classification number: G11B7/126 ,  G11B19/04

Abstract: 光源元件驱动方法和装置。方法包括：当跟踪误差信号高于第一电平或低于第二电平时产生误差信号，如果误差信号起作用，则向光源元件输送与方式无关的适于数据读操作的驱动信号。装置包括：方式选择器，产生读/写基准能量数据的基准能量数据发生器，基于基准能量数据分别产生读/写驱动信号的第一和第二驱动信号发生器，基于跟踪误差信号产生误差信号的误差判别器，以及根据方式信号和误差信号在读/写驱动信号中进行选择的一个选择器。