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公开(公告)号：CN116264817A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211596076.6
申请日：2022-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁阻随机存取存储器件包括：被钉扎层；在被钉扎层上的隧道势垒层；在隧道势垒层上的自由层结构，该自由层结构包括多个磁性层和分别在相邻的磁性层之间的多个金属插入层；以及在自由层结构上的上氧化物层，其中每个金属插入层包括掺有磁性材料的非磁性金属材料，所述多个金属插入层彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN115589726A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210846720.4
申请日：2022-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：衬底；栅电极，其在垂直于衬底的上表面的第一方向上堆叠并彼此间隔开；沟道结构，其穿透栅电极，在第一方向上延伸，并且各自包括沟道层；分离区，其穿透栅电极，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸，并且在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此分离开；以及裂纹防止层，其设置在分离区的至少一部分上，其中，分离区中的每一个包括下区和上区，上区在下区上在第二方向上彼此分离开并且从下区向上突出，并且其中，裂纹防止层接触上区的上表面。
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公开(公告)号：CN109786547A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811323498.X
申请日：2018-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一种制造可变电阻存储器件的方法中，在衬底上形成磁隧道结(MTJ)结构层。在蚀刻室中蚀刻该MTJ结构层以形成MTJ结构。通过传送室将其上具有该MTJ结构的衬底传送到沉积室。在所述沉积室中形成覆盖该MTJ结构的侧壁的保护层。所述蚀刻室、传送室和沉积室保持在等于或大于约10-8托的高真空状态。
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公开(公告)号：CN102376566B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201110238814.5
申请日：2011-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/321 , H01L21/311 , G03F7/00
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/76816
Abstract: 本发明提供一种形成用于半导体器件的图案结构的方法。在形成图案结构的方法中，半导体器件的节点分离线的切除部分通过利用牺牲掩模图案的连接部分和掩模图案的双图案化工艺形成，从而改善对准裕度。掩模图案与牺牲掩模图案之间的对准裕度提高至牺牲掩模图案的连接部分的长度的量。邻近节点分离线的线包括朝向分离线的切除部分突出的突出部分。
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公开(公告)号：CN102376566A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110238814.5
申请日：2011-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/321 , H01L21/311 , G03F7/00
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/76816
Abstract: 本发明提供一种形成用于半导体器件的图案结构的方法。在形成图案结构的方法中，半导体器件的节点分离线的切除部分通过利用牺牲掩模图案的连接部分和掩模图案的双图案化工艺形成，从而改善对准裕度。掩模图案与牺牲掩模图案之间的对准裕度提高至牺牲掩模图案的连接部分的长度的量。邻近节点分离线的线包括朝向分离线的切除部分突出的突出部分。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN117715439A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311153883.5
申请日：2023-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B61/00 , H01L23/538 , H01L23/535 , H01L21/768
Abstract: 一种磁存储器件可以包括基板、设置在基板上的数据存储图案以及在基板和数据存储图案之间的下接触插塞，下接触插塞可以包括下绝缘图案、在下绝缘图案上的下接触图案以及沿着下绝缘图案的下表面和侧表面以及下接触图案的侧表面延伸的下阻挡图案。
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公开(公告)号：CN116249428A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211550191.X
申请日：2022-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性存储器件包括：顺序堆叠在基板上的第一磁性图案和第二磁性图案；在第一磁性图案和第二磁性图案之间的隧道势垒图案；在基板和第一磁性图案之间的下电极；在下电极和第一磁性图案之间的阻挡图案；在阻挡图案和第一磁性图案之间的金属氧化物图案；以及在金属氧化物图案和第一磁性图案之间的缓冲图案。下电极、阻挡图案、金属氧化物图案和缓冲图案分别包括第一非磁性金属、第二非磁性金属、第三非磁性金属和第四非磁性金属。金属氧化物图案具有非晶相。
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公开(公告)号：CN112216789A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010392306.1
申请日：2020-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括第一顶部电极和在其上的第二顶部电极的数据存储器件。数据存储器件包括在衬底的上表面处的存储晶体管以及电连接到存储晶体管的数据存储结构。数据存储结构包括磁隧道结图案和在磁隧道结图案上的顶部电极。顶部电极包括第一顶部电极和在第一顶部电极上的第二顶部电极，并且第一顶部电极和第二顶部电极包括相同的金属氮化物。第一顶部电极包括金属氮化物的第一晶粒，第二顶部电极包括金属氮化物的第二晶粒。在顶部电极的沿与衬底的上表面平行的第一方向截取的一截面中，沿第一方向的每单位长度的第一晶粒的数量大于沿第一方向的每单位长度的第二晶粒的数量。
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