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公开(公告)号：CN115312527A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210308790.4
申请日：2022-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L25/18
Abstract: 提供了三维半导体存储器件以及包括该三维半导体存储器件的电子系统。该器件包括：衬底；多个堆叠结构，各自包括交替地且重复地堆叠在衬底上的多个层间介电层和多个栅电极；多个竖直沟道结构，贯穿多个堆叠结构；以及分离结构，沿第一方向在多个堆叠结构之间延伸。分离结构包括：多个第一部分，各自具有沿第三方向延伸的柱形形状；以及多个第二部分，在多个层间介电层之间从多个第一部分的侧壁延伸，并在第一方向上将多个第一部分中的第一部分彼此连接。分离结构在与第一方向相交的第二方向上与竖直沟道结构间隔开。第三方向大体垂直于由第一方向和第二方向形成的平面。
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公开(公告)号：CN112349829B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202010391931.4
申请日：2020-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种包括阻挡层的半导体器件，该半导体器件包括在衬底上的层间绝缘层中的多个磁隧道结(MTJ)结构。阻挡层在层间绝缘层和所述多个MTJ结构上。上绝缘层在阻挡层上。上互连在上绝缘层上。上插塞连接到所述多个MTJ结构中的相应一个以及上互连并且延伸到上绝缘层和阻挡层中。阻挡层包括具有比上绝缘层高的吸收常数的材料。
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公开(公告)号：CN109786547B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201811323498.X
申请日：2018-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一种制造可变电阻存储器件的方法中，在衬底上形成磁隧道结(MTJ)结构层。在蚀刻室中蚀刻该MTJ结构层以形成MTJ结构。通过传送室将其上具有该MTJ结构的衬底传送到沉积室。在所述沉积室中形成覆盖该MTJ结构的侧壁的保护层。所述蚀刻室、传送室和沉积室保持在等于或‑8大于约10 托的高真空状态。
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公开(公告)号：CN114725114A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111573930.2
申请日：2021-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , G11C11/40 , G11C16/04 , G11C16/10
Abstract: 公开了三维半导体存储器件和包括其的电子系统。所述三维半导体存储器件包括：衬底，包括单元阵列区域和延伸区域；位于所述衬底上的外围电路结构，包括多个外围晶体管；堆叠结构，包括交替堆叠在所述外围电路结构上的层间电介质层和栅电极；接触，在所述延伸区域上穿透所述堆叠结构并与所述外围晶体管电连接，并包括突出部和竖直部，所述突出部接触所述多个栅电极中的一个栅电极的侧壁，所述竖直部穿透所述堆叠结构；以及电介质图案，介于所述竖直部和所述多个栅电极的相应的侧壁之间。每个所述电介质图案的顶表面和底表面分别与相邻的所述层间电介质层接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112349829A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010391931.4
申请日：2020-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种包括阻挡层的半导体器件，该半导体器件包括在衬底上的层间绝缘层中的多个磁隧道结(MTJ)结构。阻挡层在层间绝缘层和所述多个MTJ结构上。上绝缘层在阻挡层上。上互连在上绝缘层上。上插塞连接到所述多个MTJ结构中的相应一个以及上互连并且延伸到上绝缘层和阻挡层中。阻挡层包括具有比上绝缘层高的吸收常数的材料。
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公开(公告)号：CN109755269A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811066768.3
申请日：2018-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1675 , G11C13/0004 , H01L23/53228 , H01L23/5386 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L43/12 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1675
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：在衬底上的金属互连层；层间绝缘层，其在金属互连层上并限定用于暴露金属互连层的一部分的接触孔；阻挡金属层，其包括在接触孔内的多个子阻挡金属层；插塞金属层，其在阻挡金属层上并掩埋接触孔；以及可变电阻结构，其在阻挡金属层和插塞金属层上。
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公开(公告)号：CN112216789B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202010392306.1
申请日：2020-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括第一顶部电极和在其上的第二顶部电极的数据存储器件。数据存储器件包括在衬底的上表面处的存储晶体管以及电连接到存储晶体管的数据存储结构。数据存储结构包括磁隧道结图案和在磁隧道结图案上的顶部电极。顶部电极包括第一顶部电极和在第一顶部电极上的第二顶部电极，并且第一顶部电极和第二顶部电极包括相同的金属氮化物。第一顶部电极包括金属氮化物的第一晶粒，第二顶部电极包括金属氮化物的第二晶粒。在顶部电极的沿与衬底的上表面平行的第一方向截取的一截面中，沿第一方向的每单位长度的第一晶粒的数量大于沿第一方向的每单位长度的第二晶粒的数量。
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公开(公告)号：CN114864626A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202111449802.7
申请日：2021-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种制造磁性存储器装置的方法，包括步骤：在衬底上形成包括底部电极、磁性隧道结图案和顶部电极的数据存储结构；形成保形地覆盖数据存储结构的侧表面和顶表面的第一封盖电介质层；以及在第一封盖电介质层上形成第二封盖电介质层。通过其中第一源气体、第一反应气体和第一吹扫气体被供应的PECVD执行形成第一封盖电介质层的步骤。通过其中第二源气体、第二反应气体和第二吹扫气体被供应的PECVD执行形成第二封盖电介质层的步骤。第一反应气体和第二反应气体彼此不同。第一吹扫气体和第二吹扫气体彼此不同。
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公开(公告)号：CN109560191B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201811060554.5
申请日：2018-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁阻随机存取存储(MRAM)器件，该MRAM器件包括：下电极；阻挡图案，在下电极上并包括处于非晶态的二元金属硼化物；籽晶图案，在阻挡图案上并包括金属；在籽晶图案上的MTJ结构；以及在MTJ结构上的上电极。
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