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公开(公告)号:CN103972099A
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN201410025155.0
申请日:2014-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/66795
Abstract: 本发明描述了一种制造半导体器件的方法。所述制造半导体器件的方法包括提供鳍状物和多个栅极,该鳍状物形成为从衬底突出,该栅极形成在鳍状物上以与所述鳍状物相交;在所述鳍状物内在相应栅极的至少一侧上形成第一凹陷;在所述第一凹陷的表面上形成氧化物层;以及通过去除所述氧化物层将第一凹陷扩展到第二凹陷中。还公开了相关的器件。
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公开(公告)号:CN1716526A
公开(公告)日:2006-01-04
申请号:CN200510074008.3
申请日:2005-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H05H1/00 , H01J37/00 , B08B5/00
CPC classification number: H01J37/32862 , H01J37/32192 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01L21/67069
Abstract: 一种清洗远程等离子体产生管的方法和用于使用远程等离子体产生管处理衬底的设备和方法,包括将清洗气体提供到用于产生远程等离子体的远程等离子体产生管中,远程等离子体产生管被连接到用于使用远程等离子体处理衬底的处理室,由清洗气体形成清洗等离子体,以及使用清洗等离子体除去在远程等离子体产生管内形成的颗粒。
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