公开(公告)号：CN108572798A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810194797.1

申请日：2018-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊范

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G06F13/1668 ,  G06F13/28 ,  G06F2213/28 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0656

Abstract: 根据本发明构思的示例实施例的存储器控制器包括：系统总线；第一直接存储器存取引擎，其被构造为通过系统总线将数据写入缓冲存储器中；监听器，其被构造为通过在系统总线周围监听，输出指示数据是否被存储在缓冲存储器中的通知信息；以及第二直接存储器存取引擎，其被构造为响应于来自监听器的通知信息将写入在缓冲存储器中的数据发送至主机。本发明构思还提供了一种存储装置以及一种操作存储装置的方法。

公开(公告)号：CN114068529A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110492684.1

申请日：2021-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊范 ,  金相秀 ,  梁正吉

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一源/漏结构，当在平面截面图中观察时，在水平方向上具有第一长度，水平方向与竖直方向垂直；第二源/漏结构，当在平面截面图中观察时，在水平方向上具有第二长度，第二长度小于第一长度；边界沟道，在第一源/漏结构和第二源/漏结构之间延伸，边界沟道在竖直方向上彼此间隔开；至少一个牺牲图案，在边界沟道中的相邻的边界沟道之间；以及沟槽，穿透边界沟道和至少一个牺牲图案。

公开(公告)号：CN113193045A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202011549549.8

申请日：2020-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相秀 ,  朴俊范 ,  梁正吉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，位于衬底上，并在与所述衬底的上表面平行的第一方向上纵长地延伸；栅极结构，位于所述有源图案上，所述栅极结构在与所述衬底的所述上表面平行且与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；沟道，沿着与所述衬底的所述上表面垂直的第三方向彼此间隔开，每个所述沟道沿着所述第一方向延伸穿过所述栅极结构；源极/漏极层，位于所述有源图案的在所述第一方向上与所述栅极结构相邻的部分上，所述源极/漏极层接触所述沟道；内部间隔物，位于所述栅极结构与所述源极/漏极层之间，所述内部间隔物接触所述源极/漏极层；以及沟道连接部分，位于每个所述内部间隔物与所述栅极结构之间，所述沟道连接部分将所述沟道彼此连接。

公开(公告)号：CN112002690A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010332676.6

申请日：2020-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋昇珉 ,  朴俊范 ,  徐凤锡 ,  梁正吉

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

Abstract: 提供了包括鳍形有源区的集成电路装置及其形成方法。所述装置可以包括鳍形有源区、鳍形有源区上的多个半导体图案、多个半导体图案上的栅电极以及分别位于栅电极的相对侧上的源极/漏极区。栅电极可以包括在最上面的半导体图案上延伸的主栅极部分以及在多个半导体图案中的两个相邻半导体图案之间延伸的子栅极部分。子栅极部分可以包括子栅极中心部分和子栅极边缘部分。在水平截面图中，子栅极中心部分在第一方向上的第一宽度可以小于子栅极边缘部分中的一个子栅极边缘部分在第一方向上的第二宽度。

公开(公告)号：CN114664813A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111150121.0

申请日：2021-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊范 ,  具湘谟 ,  金旻怡 ,  尹锡玄

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置可以包括设置在基底上的有源图案和在有源图案上的源极/漏极图案。源极/漏极图案可以包括与有源图案的顶表面接触的底表面。半导体装置还可以包括连接到源极/漏极图案的沟道图案、延伸以越过沟道图案的栅电极以及从有源图案的侧表面延伸到源极/漏极图案的下侧表面的围栏绝缘层。一对中间绝缘图案可以在源极/漏极图案的底表面的两侧处且在有源图案与源极/漏极图案之间与围栏绝缘层的内侧表面接触。

公开(公告)号：CN107918525A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710873594.0

申请日：2017-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊范 ,  沈昊俊

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G06F11/1469 ,  G06F11/1662 ,  G06F13/4282 ,  G06F2201/805 ,  G06F2201/82 ,  G06F3/0607 ,  G06F3/0638 ,  G06F3/0667 ,  G06F3/0689

Abstract: 本公开提供了能执行对等通信的存储设备和包括其的数据存储系统。一种能够与第二存储设备进行对等通信的第一存储设备包括：用于存储第一操作代码的第一提交队列；用于存储第一指示信号的第一完成队列；以及第一控制器，其被配置为读取存储在第一提交队列中的第一操作代码，基于第一操作代码创建包括第二操作代码的命令，向第二存储设备发出该命令，并且接收并处理从第二存储设备发送的第二完成信号。