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公开(公告)号：CN102044255A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010246856.9
申请日：2010-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种磁阻器件、包括该磁阻器件的信息存储装置及其操作方法。信息存储装置包括磁轨道和磁畴壁移动单元。磁轨道具有多个磁畴以及在每对相邻磁畴之间的磁畴壁。磁畴壁移动单元构造为移动至少磁畴壁。信息存储装置还包括磁阻器件，该磁阻器件构造为读取记录在磁轨道上的信息。磁阻器件包括钉扎层、自由层以及布置在其间的分隔层。钉扎层具有固定的磁化方向。自由层设置在钉扎层与磁轨道之间，并具有易磁化轴，该易磁化轴不平行于钉扎层的磁化方向。
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公开(公告)号：CN101763889A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910246686.1
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/1657 , G11B2005/0002 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 公开了一种信息存储装置及其操作方法。所述信息存储装置包括：存储区域，具有磁轨和写入/读取单元；控制电路，连接到所述存储区域。第一开关装置和第二开关装置连接到磁轨的两端，第三开关装置连接到写入/读取单元。控制电路控制第一开关装置至第三开关装置，将操作电流提供给磁轨和写入/读取单元中的至少一个。
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公开(公告)号：CN100517608C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200410083252.1
申请日：2004-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/02156 , C23C16/401 , H01L21/02153 , H01L21/0228 , H01L21/31691 , Y10T428/12597 , Y10T428/12611
Abstract: 一种用在半导体器件中的非晶电介质薄膜和制造该非晶电介质薄膜的方法。该非晶电介质薄膜包括用作诸如DRAM器件中电容器的电介质材料的Bi、Ti、Si和O，并具有60或更高的介电常数。这样的BTSO基薄膜即使在其厚度已经减小时也能防止泄露电流的增加，因此允许半导体器件被高度集成。
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公开(公告)号：CN101178929A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710147871.6
申请日：2007-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/15 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 提供了一种利用磁畴壁移动的数据存储装置及操作该数据存储装置的方法。该数据存储装置包括：第一磁层，用于写数据，并具有在彼此相反的方向磁化的两个磁畴；第二磁层，用于存储数据，并形成于第一磁层的至少一侧。该数据存储装置可还包括：数据记录装置，连接至第一磁层的两端以及第二磁层的与第一磁层不相邻的一端；读磁头，形成为与第二磁层的与第一磁层不相邻的所述一端相距预定距离；电流检测器，连接至读磁头和数据记录装置。
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公开(公告)号：CN101026002A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710084975.7
申请日：2007-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/16 , G11C19/0808
Abstract: 提供磁存储器装置。该磁存储器装置包括多个存储器轨道、位线、连接器、第一输入部分和选择部分。多个存储器轨道在基片上被堆叠来形成多堆栈。在存储器轨道中形成多个磁畴，使得可以由磁畴表示数据位并可以以阵列进行存储。位线形成在相应存储器轨道附近。连接器构成磁隧道连接(MTJ)单元以及存储器轨道的一个数据位区域。第一输入部分电连接到每个存储器轨道，并且输入将存储在存储器轨道的数据位区域中的数据移动到相邻数据位区域的磁畴运动信号。选择部分从多个存储器轨道中选择要在其上执行读取或写入操作的存储器轨道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1448533A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03103568.X
申请日：2003-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/30
CPC classification number: C23C16/40 , C23C16/45553
Abstract: 本发明提供了一种金属氧化物薄膜的制备方法，其中通过第一反应物和第二反应物之间的化学反应产生的金属氧化物以薄膜形式沉积在基底的表面上。该方法包括将含有金属－有机化合物的第一反应物引入包括基底的反应室；以及引入含醇的第二反应物。由于将不含氧残基的醇蒸汽作为反应气用于薄膜沉积，基底或沉积层的直接氧化被沉积过程中的反应气抑制。并且，因为薄膜通过热分解作用沉积(所述热分解是由醇蒸汽和前体之间的化学反应而引起的)，沉积速率很快。特别是当使用带有β－二酮配体的金属－有机化合物作为前体时，沉积速率也很快。此外，因为使用化学蒸汽沉积或原子层沉积方法使得薄膜以超微结构生长，因此得到的薄膜漏电流低。
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公开(公告)号：CN108335908B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201810052471.5
申请日：2018-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了介电复合物、以及包括其的多层电容器和电子器件，所述介电复合物包括由具有半导电性或导电性的材料构成的多个晶粒和包围晶粒边界的晶界绝缘层，其中所述晶界绝缘层包括覆盖所述晶粒表面的至少一部分的二维层状材料。
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公开(公告)号：CN107025953B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201610991612.0
申请日：2016-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 示例性实施方式提供透明电极和包括其的电子器件，所述透明电极包括基底、形成于所述基底上并且包括由石墨烯或其衍生物形成的网状结构体的第一层、和形成于所述第一层上的第二层，其中石墨烯网状结构体包括多个孔并且所述第二层包括多个导电纳米线。
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公开(公告)号：CN108335908A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810052471.5
申请日：2018-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了介电复合物、以及包括其的多层电容器和电子器件，所述介电复合物包括由具有半导电性或导电性的材料构成的多个晶粒和包围晶粒边界的晶界绝缘层，其中所述晶界绝缘层包括覆盖所述晶粒表面的至少一部分的二维层状材料。
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公开(公告)号：CN101763889B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200910246686.1
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/1657 , G11B2005/0002 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 公开了一种信息存储装置及其操作方法。所述信息存储装置包括：存储区域，具有磁轨和写入/读取单元；控制电路，连接到所述存储区域。第一开关装置和第二开关装置连接到磁轨的两端，第三开关装置连接到写入/读取单元。控制电路控制第一开关装置至第三开关装置，将操作电流提供给磁轨和写入/读取单元中的至少一个。
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