公开(公告)号：CN117355142A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310792448.0

申请日：2023-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  文泰欢 ,  南胜杰 ,  李泫宰

IPC: H10B51/30 ,  H10B51/20

Abstract: 一种三维(3D)铁电存储器件可以包括堆叠在衬底上的多个栅电极、与所述多个栅电极接触的多个铁电层、与所述多个铁电层接触的多个中间电极、与所述多个中间电极接触的栅极绝缘层、以及与栅极绝缘层接触的沟道层。中间电极的宽度可以大于铁电层与中间电极接触的宽度。

公开(公告)号：CN116249353A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211550188.8

申请日：2022-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  裵鹤烈 ,  杨承烈 ,  李珉贤 ,  文泰欢

IPC: H10B51/20 ,  H10B51/30

Abstract: 本公开提供了垂直非易失性存储器器件和包括其的电子装置。该垂直非易失性存储器器件可以包括：多个绝缘层和多个导电层，在垂直于衬底的表面的方向上交替地堆叠在衬底的表面上；在衬底上的沟道层，其中沟道层在垂直于衬底的表面的方向上延伸，沟道层可以在所述多个绝缘层的侧表面和所述多个导电层的侧表面上；以及铁电层，在沟道层与所述多个导电层的侧表面之间。

公开(公告)号：CN115996630A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211271174.2

申请日：2022-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文泰欢 ,  许镇盛 ,  南胜杰 ,  崔惪铉

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种电容器装置和包括该电容器装置的半导体装置。该电容器装置包括彼此间隔开的第一电极和第二电极以及提供在第一电极和第二电极之间的电介质层。电介质层包括其中铁电体和反铁电体彼此混合的电介质材料。

公开(公告)号：CN114566466A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202111402444.4

申请日：2021-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚昱 ,  南胜杰 ,  文泰欢 ,  李光熙 ,  许镇盛 ,  裵鹤烈 ,  李润姓

IPC: H01L21/8238

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括具有半导体沟道层和金属氧化物半导体沟道层的第一半导体晶体管，并且具有其中第二半导体晶体管堆叠在第一半导体晶体管的顶部上的结构。第二半导体晶体管的栅极堆叠和第一半导体晶体管的栅极堆叠的顶部可以重叠大于或等于90％。第一半导体晶体管和第二半导体晶体管可以具有相似水平的操作特性。

公开(公告)号：CN113745327A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110022063.7

申请日：2021-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  文泰欢 ,  南胜杰 ,  赵常玹

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L29/78 ,  H01L49/02 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L27/108

Abstract: 提供叠层结构体以及包括其的半导体器件、半导体设备和电子设备、和制造叠层结构体的方法。所述叠层结构体包括：基底；和在所述基底上的薄膜结构体，所述薄膜结构体包括：平行于所述基底的第一反铁电层，平行于所述基底的第二反铁电层，以及平行于所述基底的铁电层，其中所述铁电层在所述第一反铁电层和所述第二反铁电层之间。