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公开(公告)号：CN119301960A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202380042901.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种相机模块。该相机模块包括：折射构件，配置为反射或折射光的至少一部分；以及图像传感器，配置为检测由折射构件反射或折射的光的至少一部分。折射构件包括配置为为光提供路径的有效区域和布置在有效区域的边缘的至少一部分上的虚设区域。虚设区域配置为通过使双向散射分布函数的等式中的变量满足条件0.05
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公开(公告)号：CN1988035B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200610168692.6
申请日：2006-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10 , G11C11/401 , G11C11/4063 , G11C8/16 , G11C11/408 , G11C11/4096 , G06F12/08
CPC classification number: G11C7/1075 , G06F13/1663 , G11C8/10 , G11C11/413
Abstract: 一种半导体存储器器件，包括：端口；数据线对，其中每个端口与所述数据线对之一相关；地址线组，其中每个端口与所述地址线组之一相关；存储器单元阵列的共享存储器区域，其中所述共享存储器区域可以通过所述端口来存取；存取控制器，耦合到所述端口，并且被配置成响应于通过所述端口接收的多个控制信号生成存取选择信号；以及存取路由器，耦合到所述共享存储器区域、所述数据线对、以及所述地址线组，所述存取路由器被配置成响应于所述存取选择信号选择性地将所述地址线组之一和所述数据线对之一耦合到所述共享存储器区域。
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公开(公告)号：CN1988035A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610168692.6
申请日：2006-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10 , G11C11/401 , G11C11/4063 , G11C8/16 , G11C11/408 , G11C11/4096 , G06F12/08
CPC classification number: G11C7/1075 , G06F13/1663 , G11C8/10 , G11C11/413
Abstract: 一种半导体存储器器件，包括：端口；数据线对，其中每个端口与所述数据线对之一相关；地址线组，其中每个端口与所述地址线组之一相关；存储器单元阵列的共享存储器区域，其中所述共享存储器区域可以通过所述端口来存取；存取控制器，耦合到所述端口，并且被配置成响应于通过所述端口接收的多个控制信号生成存取选择信号；以及存取路由器，耦合到所述共享存储器区域、所述数据线对、以及所述地址线组，所述存取路由器被配置成响应于所述存取选择信号选择性地将所述地址线组之一和所述数据线对之一耦合到所述共享存储器区域。
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公开(公告)号：CN1264128A
公开(公告)日：2000-08-23
申请号：CN00102790.5
申请日：2000-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401
CPC classification number: G11C11/4074 , G11C11/406 , G11C11/40615 , G11C11/40622
Abstract: 一种能够选择性地仅针对多个存储体的一部分执行自刷新操作的动态随机存取存储器(DRAM),包括多个用于选择存储体存储单元字行的行译码器、用于产生在自刷新模式期间连续变化的内部地址的地址发生器、刷新存储体指定电路和存储体选择译码器。所述自刷新操作仅仅针对所选择的存储体或其中已经存储了数据的存储体执行,从而使功率损耗最小。
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公开(公告)号：CN1052966A
公开(公告)日：1991-07-10
申请号：CN90106625.7
申请日：1990-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/02
CPC classification number: G11C5/063 , G11C8/14 , H01L23/5222 , H01L23/5225 , H01L23/528 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体存储设备，包括多个排成阵列的存储单元、多个字线WL、多个位线BL、和多个连接到各字线的字线驱动器10。各字线每四个一组进行扭曲，使得各线在其整个长度上与其毗邻接线相隔一段距离，且系配置得使各线之间的耦合电容减小。各字线驱动器以这样的方式配置在阵列两边，使得存储设备的布局达到最佳情况。
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公开(公告)号：CN101231876B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200810004578.9
申请日：2008-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14
CPC classification number: G11C5/147 , G11C7/20 , G11C11/4072 , G11C11/4074
Abstract: 在半导体存储器器件的电压生成电路中，多个复位信号生成器中的每一个响应于多个外部源电压中的一个来独立地生成复位信号。多个外部源电压具有不同的电压电平。输出电压生成器响应于多个复位信号中相应的一个、通过独立地驱动多个外部源电压中的每一个来生成多个输出电压。输出电压生成器通过公共输出端输出多个输出电压。
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公开(公告)号：CN101231876A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810004578.9
申请日：2008-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14
CPC classification number: G11C5/147 , G11C7/20 , G11C11/4072 , G11C11/4074
Abstract: 在半导体存储器器件的电压生成电路中，多个复位信号生成器中的每一个响应于多个外部源电压中的一个来独立地生成复位信号。多个外部源电压具有不同的电压电平。输出电压生成器响应于多个复位信号中相应的一个、通过独立地驱动多个外部源电压中的每一个来生成多个输出电压。输出电压生成器通过公共输出端输出多个输出电压。
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公开(公告)号：CN1089747A
公开(公告)日：1994-07-20
申请号：CN93120447.X
申请日：1993-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/407 , H01L27/105
CPC classification number: G11C29/808
Abstract: 一种行冗余电路，能使熔丝盒修复甚至毗邻正规存储单元阵列中有毛病的正规存储单元。该行冗余电路包括：第一存储单元阵列，它包含第一冗余存储单元阵列；第二存储单元阵列，它毗邻第一存储单元阵列，并包含第二冗余存储单元阵列；第一和第二读出放大器，用以从第一和第二存储单元阵列读出数据；第一和第二熔丝盒，各个接收用以选择块选择地址信号和行地址信号，和第一和第二冗余字线驱动器，接收各熔丝盒的输出并分别提供冗余字线驱动信号。
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