公开(公告)号：CN1264128A

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN00102790.5

申请日：2000-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔钟贤 ,  徐东一 ,  罗钟植

IPC: G11C11/401

CPC classification number: G11C11/4074 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/40622

Abstract: 一种能够选择性地仅针对多个存储体的一部分执行自刷新操作的动态随机存取存储器(DRAM),包括多个用于选择存储体存储单元字行的行译码器、用于产生在自刷新模式期间连续变化的内部地址的地址发生器、刷新存储体指定电路和存储体选择译码器。所述自刷新操作仅仅针对所选择的存储体或其中已经存储了数据的存储体执行,从而使功率损耗最小。

公开(公告)号：CN1162867C

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN00102790.5

申请日：2000-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔钟贤 ,  徐东一 ,  罗钟植

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/408

CPC classification number: G11C11/4074 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/40622

Abstract: 一种能够选择性地仅针对多个存储体的一部分执行自刷新操作的动态随机存取存储器(DRAM)，包括多个用于选择存储体存储单元字行的行译码器、用于产生在自刷新模式期间连续变化的内部地址的地址发生器、刷新存储体指定电路和存储体选择译码器。所述自刷新操作仅仅针对所选择的存储体或其中已经存储了数据的存储体执行，从而使功率损耗最小。