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公开(公告)号：CN107106137A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580059077.9
申请日：2015-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06T7/73 , G06T7/74 , G06T2207/10081 , G06T2207/10088 , G06T2207/10136 , G06T2207/30016 , G06T2207/30204
Abstract: 一种医学图像处理设备包括：数据采集器，该数据采集器扫描附着有基准标记物的对象以采集体积数据；以及数据处理器，该数据处理器基于所述体积数据中的所述基准标记物的位置和界标的位置来估计感兴趣平面。
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公开(公告)号：CN1078378C
公开(公告)日：2002-01-23
申请号：CN92112631.X
申请日：1992-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C21/00
CPC classification number: G11C8/18 , G11C11/4076
Abstract: 本发明涉及一半导体存储装置，特别是一通过向芯片施加多个行地址选通信号而用以完成高速数据存取操作的动态随机存取存储器。多个行地址选通信号被加至多个管脚，且每一行地址选通信号在一数据存取操作期间被依次加以一激发信号。因而，多个存储单元阵列中的数据在一个存取周期时间内进行存取。这样，由于提供了大量随机数据，数据存取时间变得更快且系统特性能得到大的改进。
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公开(公告)号：CN1052967A
公开(公告)日：1991-07-10
申请号：CN90106626.5
申请日：1990-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/02
CPC classification number: H01L23/5222 , G11C5/025 , G11C5/063 , G11C8/14 , H01L23/5225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种高密度存储设备，通常包括多个排连接到多个字线、多个位线、和译码器。这种存储设备中各毗邻线之间的电容会引起不希望有的耦合干扰，从而将各信号引入歧途。一种旨在解决上述这些问题的存储设备，其存储单元阵列包括多个位线BL、多个字线WL和多个读出放大器SA。各字线每四个一组进行扭曲，使得各线在其整个长度上与其毗邻接线相隔一段距离，且系配置得使各线之间的耦合电容减小。各字线驱动器以这样的方式配置在阵列两边，使得存储设备的布局达到最佳情况。
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公开(公告)号：CN1049742A
公开(公告)日：1991-03-06
申请号：CN90104916.6
申请日：1990-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/00
CPC classification number: G11C11/4094 , G11C11/4072 , G11C11/409 , G11C11/4096 , G11C29/34
Abstract: 一种扩展的用于存储器电路中DRAM检测的快速写入电路具有均衡和连接部分，节点连接部分以及写信号处理部分。所构成的快速位线节点结构将所有位线连接起来并通过该快速位线形成一条数据写入通道；因此，DRAM的布局简单而且用于均衡作用的位线的电平稳定性相当可靠。根据本发明，无需使用I/O线，通过位线直接将数据写入每个存储单元，而且有可能在同一时刻快速把数据写入连接到一个所选择的字线上的每个存储单元上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1021996C
公开(公告)日：1993-09-01
申请号：CN90106625.7
申请日：1990-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/063 , G11C8/14 , H01L23/5222 , H01L23/5225 , H01L23/528 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体存储设备，包括多个排成陈列的存储单元、多个字线WL、多个位线BL、和多个连接到各字线的字线驱动器10。各字线每四个一组进行扭曲，使得各线在其整个长度上与其毗邻接线相隔一段距离，且系配置得使各线之间的耦合电容减小。各字线驱动器以这样的方式配置在阵列两边，使得存储设备的布局达到最佳情况。
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公开(公告)号：CN1075025A
公开(公告)日：1993-08-04
申请号：CN92112631.X
申请日：1992-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C21/00
CPC classification number: G11C8/18 , G11C11/4076
Abstract: 本发明涉及一半导体存储装置，特别是一通过向芯片施加多个行地址选通信号而用以完成高速数据存取操作的动态随机存取存储器。多个行地址选通信号被加至多个管脚，且每一行地址选通信号在一数据存取操作期间被依次加以一激发信号。因而，多个存储单元阵列中的数据在一个存取周期时间内进行存取。这样，由于提供了大量随机数据，数据存取时间变得更快且系统特性能得到大的改进。
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公开(公告)号：CN1015031B
公开(公告)日：1991-12-04
申请号：CN90104916.6
申请日：1990-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/4094 , G11C11/4072 , G11C11/409 , G11C11/4096 , G11C29/34
Abstract: 一种扩展的用于存储器电路中DRAM检测的快速写入电路具有均衡和连接部分，节点连接部分以及写信号处理部分。所构成的快速位线节点结构将所有位线连接起来并通过该快速位线形成一条数据写入通道；因此，DRAM的布局简单而且用于均衡作用的位线的电平稳定性相当可靠。根据本发明，无需使用I/O线，通过位线直接将数据写入每个存储单元。而且有可能在同一时刻快速把数据写入连接到一个所选择的字线上的每个存储单元上。
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公开(公告)号：CN1052966A
公开(公告)日：1991-07-10
申请号：CN90106625.7
申请日：1990-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/02
CPC classification number: G11C5/063 , G11C8/14 , H01L23/5222 , H01L23/5225 , H01L23/528 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体存储设备，包括多个排成阵列的存储单元、多个字线WL、多个位线BL、和多个连接到各字线的字线驱动器10。各字线每四个一组进行扭曲，使得各线在其整个长度上与其毗邻接线相隔一段距离，且系配置得使各线之间的耦合电容减小。各字线驱动器以这样的方式配置在阵列两边，使得存储设备的布局达到最佳情况。
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