-
公开(公告)号：CN116828844A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310085613.9
申请日：2023-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体存储器件可以包括：下层，包括第一区域和第二区域，下层沿第一方向和垂直于第一方向的第二方向延伸；以及堆叠，包括沿垂直于第一方向和第二方向的第三方向交替堆叠的字线和层间绝缘图案，该堆叠具有在第二区域上的阶梯结构。字线可以沿第一方向从第一区域延伸到第二区域。每条字线可以包括在第一区域中的彼此平行延伸的子栅电极，以及在第二区域中的共同连接到子栅电极的字线焊盘。
-
公开(公告)号：CN112750829A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010801170.5
申请日：2020-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 提供了一种三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置包括：第一半导体图案，第一半导体图案在基底上彼此竖直地分隔开，每个第一半导体图案包括彼此分隔开的第一端部和第二端部以及彼此分隔开以连接第一端部和第二端部的第一侧表面和第二侧表面；第一源/漏区和第二源/漏区，设置在每个第一半导体图案中并且分别与第一端部和第二端部相邻；沟道区，位于每个第一半导体图案中并且在第一源/漏区与第二源/漏区之间；第一字线，与第一侧表面和沟道区相邻并且竖直地延伸；以及栅极绝缘层，置于第一字线与第一侧表面之间。栅极绝缘层可以延伸，以置于第一源/漏区之间。
-
公开(公告)号：CN112151546A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010348098.5
申请日：2020-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 公开了一种半导体存储器件，其包括：堆叠结构，包括垂直地堆叠在衬底上的层，每个层包括在第一方向上延伸的位线和在第二方向上从位线延伸的半导体图案；栅电极，在穿透堆叠结构的孔中，并沿着半导体图案的堆叠延伸；垂直绝缘层，覆盖栅电极并填充孔；以及数据存储元件，电连接到半导体图案。数据存储元件包括第一电极和第二电极，第一电极在垂直绝缘层的第一凹陷中并具有其一端敞开的圆筒形状，第二电极包括在第一电极的圆筒中的第一突起和在垂直绝缘层的第二凹陷中的第二突起。
-
公开(公告)号：CN119183300A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202410790855.2
申请日：2024-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括下芯片结构和位于所述下芯片结构上的上芯片结构。所述下芯片结构包括：存储结构；下互连结构，所述下互连结构电连接到所述存储结构；以及下接合焊盘，所述下接合焊盘电连接到所述下互连结构。所述上芯片结构包括：上基底；外围晶体管，所述外围晶体管位于所述上基底上；第一上互连结构，所述第一上互连结构在所述上基底上电连接到所述外围晶体管；通路，所述通路穿透所述上基底并电连接到所述第一上互连结构；上接合焊盘，所述上接合焊盘位于所述上基底下方接合到所述下接合焊盘；以及中间连接结构，所述中间连接结构在所述上基底和所述下芯片结构之间电连接所述上接合焊盘和所述通路。
-
公开(公告)号：CN118678698A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410189715.X
申请日：2024-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件，其包括：在基板上的外围栅极结构；在外围栅极结构上的第一接合焊盘；在第一接合焊盘上的屏蔽导电图案；位于屏蔽导电图案与第一接合焊盘之间并且接触第一接合焊盘的第二接合焊盘；在屏蔽导电图案上沿第一方向延伸的位线；在所述位线上的有源图案，并且该有源图案包括下表面和上表面以及在第一方向上彼此相反的第一侧壁和第二侧壁，该有源图案的下表面连接到位线；位于有源图案的第一侧壁上并且在第三方向上延伸的字线；以及位于有源图案上的数据存储图案，并且该数据存储图案连接到有源图案的上表面。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117881183A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311198493.X
申请日：2023-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：衬底；栅电极，在衬底上；位线，在衬底上；单元半导体图案，在栅电极的一侧并且电连接到位线；电容器结构，包括电连接到单元半导体图案的第一电极、第一电极上的第二电极、以及在第一电极与第二电极之间的电容器介电膜；位线跨接线，在第二方向上与位线间隔开并且电连接到位线；位线选择线，在位线与位线跨接线之间；以及选择半导体图案，在位线与位线跨接线之间，并且与位线、位线跨接线和位线选择线全部电连接。
-
公开(公告)号：CN117715413A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311163952.0
申请日：2023-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括基板、在基板上沿第一方向延伸的位线以及在位线上的有源图案。该半导体器件可以包括在有源图案的一侧旁边在垂直于第一方向的第二方向上延伸跨过位线的背栅电极，以及在有源图案的另一侧旁边在第二方向上延伸的字线。有源图案在第二方向上的长度可以大于位线在第二方向上的长度。
-
公开(公告)号：CN112151546B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202010348098.5
申请日：2020-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体存储器件，其包括：堆叠结构，包括垂直地堆叠在衬底上的层，每个层包括在第一方向上延伸的位线和在第二方向上从位线延伸的半导体图案；栅电极，在穿透堆叠结构的孔中，并沿着半导体图案的堆叠延伸；垂直绝缘层，覆盖栅电极并填充孔；以及数据存储元件，电连接到半导体图案。数据存储元件包括第一电极和第二电极，第一电极在垂直绝缘层的第一凹陷中并具有其一端敞开的圆筒形状，第二电极包括在第一电极的圆筒中的第一突起和在垂直绝缘层的第二凹陷中的第二突起。
-
公开(公告)号：CN116234317A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211478284.6
申请日：2022-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本发明构思的一些实施例，半导体存储器件包括：多个模制绝缘层，位于衬底上并且彼此间隔开；多个半导体图案，分别位于所述多个模制绝缘层中的彼此相邻的模制绝缘层之间；多个栅电极，位于所述多个半导体图案中的相应的半导体图案上；信息存储元件，包括电连接到所述多个半导体图案中的每一者的第一电极、位于第一电极上的第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的电容器电介质膜；位线，位于衬底上并且接触半导体图案；以及绝缘缓冲膜，位于第一电极和第二电极之间，并且位于所述多个模制绝缘层中的相应的模制绝缘层的侧壁上。
-
公开(公告)号：CN114121968A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110483367.3
申请日：2021-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11551 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11578
Abstract: 提供了三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置可以包括：第一基底，包括位线连接区和字线连接区；单元阵列结构，位于第一基底上；第二基底，包括第一核心区和第二核心区，第一核心区与位线连接区叠置，第二核心区与字线连接区叠置；以及外围电路结构，位于第二基底上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.024 seconds)
