公开(公告)号：CN106169307B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201610341728.X

申请日：2016-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌炫 ,  李到显 ,  朴泳雨 ,  安洙珍 ,  李载悳

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/04 ,  G11C16/34 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L29/16 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11529 ,  H01L29/04

Abstract: 公开一种三维半导体存储器装置及其操作方法，该三维半导体存储器装置包括：单元阵列，形成在第一基底上；以及外围电路，形成在被第一基底至少部分地叠置的第二基底上，其中外围电路被构造为提供用于控制单元阵列的信号。单元阵列包括：绝缘图案和栅极图案，交替堆叠在第一基底上；至少第一支柱，形成在与第一基底垂直的方向上，并且通过绝缘图案和栅极图案而与第一基底接触。三维半导体存储器装置还包括：包括与第一基底相邻的第一栅极图案和第一支柱的第一地选择晶体管，以及包括位于第一栅极图案上的第二栅极图案和第一支柱的第二地选择晶体管，其中，第一地选择晶体管不可编程，第二地选择晶体管是可编程的。

公开(公告)号：CN107017262A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610971038.2

申请日：2016-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔昌玟 ,  林周永 ,  安洙珍

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11578

Abstract: 一种垂直存储器件包括：基板；多个沟道，在基本上垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；多条栅线，围绕沟道当中的预定数量的沟道；多条公共布线，电连接到栅线；以及多条信号布线，经由公共布线电连接到栅线。栅线沿第一方向层叠并彼此间隔开。每条公共布线经由相应的接触电连接到栅线当中的在相同水平的相应栅线。

公开(公告)号：CN1637948B

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200410081973.9

申请日：2004-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安洙珍

IPC: G11C13/00 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0092

Abstract: 本发明的示范实施例提供了用于相变存储阵列的置位编程方法和写入驱动器电路。置位编程方法的示范实施例可包括将置位电流脉冲施加到可包括在相变存储阵列中的相变单元，这可使得该相变单元转变到置位阻抗状态。置位编程方法和/或写入驱动器电路的示范实施例可导致相变单元转变到置位阻抗状态。