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公开(公告)号：CN114078879A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110910979.6
申请日：2021-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11578
Abstract: 一种半导体器件，包括：下部结构，包括外围电路、覆盖外围电路的下部绝缘结构、和下部绝缘结构上的图案结构；堆叠结构，包括交替堆叠在下部结构上的层间绝缘层和水平层，其中水平层包括在堆叠结构的栅极区中的栅极水平层、和在堆叠结构的第一绝缘区中的第一绝缘水平层；存储竖直结构，包括穿透栅极水平层的部分；虚设竖直结构，包括穿透栅极水平层的部分；第一外围接触插塞，包括穿透第一绝缘区的部分；和栅极接触插塞，在栅极水平层的栅极焊盘上，其中栅极接触插塞和第一外围接触插塞的上表面彼此共面，其中存储竖直结构和虚设竖直结构接触图案结构，并且其中与存储竖直结构相比，虚设竖直结构中的至少一个在向下方向上延伸到图案结构中更远。
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公开(公告)号：CN106558591B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201610815844.0
申请日：2016-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11597 , H01L27/11551
Abstract: 公开了一种三维(3D)半导体器件，其包括：堆叠结构，包括竖直堆叠在基底上的电极；沟道结构，结合到电极以构成在基底上三维布置的多个存储器单元，沟道结构包括穿过堆叠结构的第一竖直沟道和第二竖直沟道以及设置在堆叠结构下面以使第一竖直沟道和第二竖直沟道彼此横向连接的第一水平沟道；第二水平沟道，具有第一导电类型并且连接到沟道结构的第一水平沟道的侧壁；导电塞，具有第二导电类型并且设置在第二竖直沟道的顶端上。
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公开(公告)号：CN113013176A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011278401.5
申请日：2020-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11575 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 公开了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括栅电极、沟道、第一导电贯穿过孔和绝缘结构。栅电极在基底上沿基本垂直于基底的上表面的第一方向彼此间隔开，并且可以以阶梯形状堆叠。沟道沿第一方向延伸穿过栅电极。第一导电贯穿过孔延伸穿过栅电极之中的第一栅电极的导电垫并且与该导电垫电连接。第一导电贯穿过孔延伸穿过栅电极之中的在第一栅电极下的第二栅电极。绝缘结构形成在第一导电贯穿过孔与第二栅电极中的每个的侧壁之间，并且使第一导电贯穿过孔与第二栅电极中的每个电绝缘。
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公开(公告)号：CN111863828A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010332058.1
申请日：2020-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11565
Abstract: 一种竖直半导体装置可包括堆叠结构和多个沟道结构。堆叠结构可包括交替和重复地堆叠在衬底上的绝缘层和栅极图案。堆叠结构可在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸。栅极图案可包括至少多个第一栅极图案。堆叠结构可包括第一栅极图案之间的牺牲图案。沟道结构可穿过堆叠结构。沟道结构中的每一个可延伸至衬底的上表面，并且沟道结构中的每一个可包括电荷存储结构和沟道。沟道结构中的一些可穿过堆叠结构中的牺牲图案到达衬底的上表面，并且可延伸至衬底的上表面。
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公开(公告)号：CN107017261A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610952076.3
申请日：2016-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/7889 , H01L29/7926 , H01L27/11551 , H01L27/115 , H01L27/11578
Abstract: 半导体器件被提供。半导体器件包括多个栅极电极。半导体器件包括相邻于多个栅极电极的沟道结构。半导体器件包括在沟道结构和多个栅极电极之间的多个电荷存储段。还提供形成半导体器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111863823B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202010017036.6
申请日：2020-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件包括：第一半导体层、第二半导体层以及在第一半导体层和第二半导体层之间的第三半导体层；栅电极，布置在第二半导体层上并在与第二半导体层的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开；以及沟道结构，被第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层以及栅电极围绕，沟道结构中的每个相应沟道结构包括栅极绝缘膜、沟道层和掩埋绝缘膜，栅极绝缘膜包括与沟道层相邻的隧道绝缘膜、与栅电极相邻的电荷阻挡膜、以及在隧道绝缘膜和电荷阻挡膜之间的电荷存储膜，电荷存储膜包括朝向相应沟道结构的外部突出的上部盖。
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公开(公告)号：CN112701126B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202010756081.3
申请日：2020-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种垂直存储器件，其包括：在衬底上的栅电极，栅电极在垂直于衬底的上表面的第一方向上间隔开并以阶梯布置堆叠；沟道，在第一方向上延伸穿过栅电极；第一接触插塞，延伸穿过栅电极中的第一栅电极的垫以接触第一栅电极的上表面，第一接触插塞延伸穿过栅电极中的第二栅电极的一部分，并且第二栅电极与第一栅电极相邻；第一间隔物，在第一接触插塞与第一栅电极和第二栅电极的面对第一接触插塞的侧壁之间，第一间隔物使第一接触插塞与第二栅电极电绝缘；以及第一掩埋图案，接触第一接触插塞和第一间隔物的底表面，第一掩埋图案包括绝缘材料。
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公开(公告)号：CN118678680A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311563088.3
申请日：2023-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了三维半导体存储器装置和电子系统。一种三维半导体存储器装置，包括源极结构、布置在源极结构上并包括交替堆叠的绝缘图案和导电图案的栅极堆叠结构、贯通插塞、与贯通插塞接触的焊盘、以及焊盘下方的焊盘绝缘图案。导电图案包括与贯通插塞接触的选择导线。贯通插塞包括延伸插塞部分和平行插塞部分。焊盘的高度小于导电图案的高度。
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公开(公告)号：CN114256263A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111105868.4
申请日：2021-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11519 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11565 , H01L27/11582 , G11C16/06
Abstract: 一种半导体装置包括：衬底；衬底上的堆叠结构，并且堆叠结构包括层间绝缘层和栅电极的交替堆叠件；第一分离区和第二分离区，其各自延伸穿过堆叠结构并在第一方向上延伸；第一上分离区，第一上分离区在第一分离区与第二分离区之间并且延伸穿过堆叠结构的一部分；多个沟道结构，多个沟道结构在第一分离区与第二分离区之间并且延伸穿过堆叠结构；以及多个第一竖直结构，每个第一竖直结构延伸穿过第一分离区和第二分离区中的特定一个。第一分离区和第二分离区中的每一个在垂直于第一方向的第二方向上具有第一宽度。每个第一竖直结构在第二方向上具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度。
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公开(公告)号：CN107017261B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201610952076.3
申请日：2016-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L27/115
Abstract: 半导体器件被提供。半导体器件包括多个栅极电极。半导体器件包括相邻于多个栅极电极的沟道结构。半导体器件包括在沟道结构和多个栅极电极之间的多个电荷存储段。还提供形成半导体器件的方法。
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