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公开(公告)号：CN1855501A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610005080.5
申请日：2006-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/112 , H01L21/8246
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , G11C2213/15 , H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/14 , H01L51/0036 , H01L51/0591
Abstract: 本发明的存储器件包括具有布置在上电极和下电极之间的纳米沟道的存储层，其中该存储层由用于形成纳米孔的有机－无机复合物形成，并且所述存储层具有填入纳米孔的金属纳米颗粒或金属离子。因此，存储器件具有优异的重现性和均一的性能。
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公开(公告)号：CN111490178B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN201911403003.9
申请日：2019-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/852 , H10K50/856 , H10K59/38
Abstract: 一种发光器件包括：金属反射层，具有相位调制表面；颜色转换层，设置在金属反射层的相位调制表面上；第一电极，设置在颜色转换层上；空穴注入传输层，设置在第一电极上；蓝色有机发光层，设置在空穴注入传输层上；电子注入传输层，设置在蓝色有机发光层上；以及第二电极，设置在电子注入传输层上。金属反射层的相位调制表面相对于入射光产生磁谐振。颜色转换层包括光致发光材料。
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公开(公告)号：CN114975816A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110978000.9
申请日：2021-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种发光器件和显示装置。发光器件包括：反射层，包括以规则周期结构二维布置的多个纳米结构；第一电极，设置在反射层的多个纳米结构上；有机发射层，设置在第一电极上；以及第二电极，布置在有机发射层上。反射层的中心部分中相邻纳米结构之间的间隔或围绕反射层的中心部分的外围部分中相邻纳米结构之间的间隔等于或小于70纳米。
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公开(公告)号：CN112713208A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010679051.7
申请日：2020-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本公开提供了超光学器件及其制造方法以及电子装置。一种配置为感测入射光的超光学器件包括多个纳米棒，每个纳米棒具有比入射光的波长小的形状尺寸。每个纳米棒包括第一导电类型半导体层、本征半导体层以及第二导电类型半导体层。超光学器件可以分离并感测入射光的波长。
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公开(公告)号：CN100478748C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510098159.2
申请日：2005-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133
CPC classification number: G02F1/13473 , G02F1/133533 , G02F1/141
Abstract: 公开了一种LCD器件(200)，具有胆甾混合物层(205)，光底板(201)和一个或多个偏振器(203，209)和液晶近晶C*层。胆甾混合物层(205)透射具有与偏振的角度旋转相关的吸收量的椭圆偏振光。一个或多个液晶近晶C*层可以被控制作为偏振滤光片来选择透射光的视在色。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101271962A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200710087861.8
申请日：2007-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , H01L51/004 , H01L51/0095 , H01L51/0579
Abstract: 提供有机存储装置和该存储装置的制造方法。该有机存储装置可包括第一电极、第二电极及第一电极和第二电极之间的离子转移层。该有机存储装置可具有较低的操作电压和电流，并可以较低成本制造。
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公开(公告)号：CN101237028A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710004747.4
申请日：2007-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0083 , B82Y10/00 , G11C13/0009 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/77 , H01L27/285 , H01L51/0036 , H01L51/0042 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678 , Y10T428/31786 , Y10T428/31855 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明公开了有机存储装置及制备该存储装置的方法。该有机存储装置可包括第一电极、第二电极和介于第一和第二电极之间的有机活性层，其中该有机活性层由导电聚合物和金属茂化合物的混合物形成。由于该有机存储装置具有缩短的切换时间、降低的操作电压、减少的制造成本和增加的可靠性，因此该有机存储装置可用作高度集成的大容量存储装置。
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公开(公告)号：CN101013741A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710004081.2
申请日：2007-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0579 , B82Y10/00 , G11C11/5614 , G11C11/5664 , G11C13/0011 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/77 , H01L27/285 , H01L51/002 , H01L51/0036
Abstract: 本发明公开了有机存储装置及制造该装置的方法。该有机存储装置包括第一电极、第二电极及在第一和第二电极之间延伸的有机活性层，其中有机活性层由一种或多种导电有机材料形成，该导电有机材料包含杂原子且以以下方式构造，使得所述杂原子可用来结合或络合有机活性层内的金属原子。然后，金属离子可以在有机活性层被还原而形成金属丝，从而形成低电阻态，反过来，金属丝可经氧化形成高电阻态，由此用作存储装置。
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公开(公告)号：CN1832218A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200510121629.2
申请日：2005-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/20 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , H01L21/02
Abstract: 一种制备含有插入上电极层和下电极层之间的存储层的非易失性有机存储器件的方法，其包括将导电性纳米粒子的离子分散于位于两电极之间的有机材料中，并随后在所述有机材料中，将所述导电性纳米粒子的离子还原为导电性纳米粒子，以形成存储层。此外，提供了由本发明的方法制备的非易失性有机存储器件。所述方法容许使用快速、简单、和环境友好的工艺制备所述存储器件，且不需要包裹工艺。并且所述存储器件具有低操作电压，因此，适用于在必须具备低能耗的各种便携式电子器件中应用。
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公开(公告)号：CN1828962A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610007027.9
申请日：2006-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种具有用于控制转换窗的电阻器部件的电阻式存储器件。本发明的电阻式存储器件能控制转换窗从而确保其操作可靠性。另外，因为该存储器件通过向各种电阻式存储器件仅额外提供用于控制转换窗的电阻器部件来实现，所以它能够容易地制造且应用于所有电流和电压驱动型电阻式器件。
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