公开(公告)号：CN110858600A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910739568.8

申请日：2019-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成东俊 ,  朴勇振 ,  白晙焕 ,  吴圭焕

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

Abstract: 一种可变电阻存储器装置可包括第一导线、多个堆叠结构和模制图案。第一导线可形成在衬底上。所述多个堆叠结构可形成在第一导线上，并且所述多个堆叠结构中的每一个包括彼此堆叠的下电极、可变电阻图案和中间电极。模制图案可形成在第一导线上，以填充所述多个堆叠结构之间的空间。模制图案的上部可包括表面处理层，并且模制图案的下部可包括非表面处理层。

公开(公告)号：CN109216402A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810637195.9

申请日：2018-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜信在 ,  吴圭焕 ,  郑智允 ,  黄俊渊

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/141 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L27/24 ,  H01L45/122

Abstract: 提供了可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件包括导电线、以及在导电线中的一个上包含可变电阻元件的存储单元。可变电阻存储器件包括在导电线之间的第一绝缘区。此外，可变电阻存储器件包括在导电线之间在第一绝缘区上的第二绝缘区。还提供了形成可变电阻存储器件的方法。

公开(公告)号：CN101271961B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200810083078.9

申请日：2008-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度亨 ,  姜信在 ,  朴仁善 ,  林炫锡 ,  吴圭焕

IPC: H01L45/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C14/0623 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/252 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供了形成相变材料层的方法，所述方法包括：在一温度下提供衬底和硫族化物目标，所述硫族化物目标包括锗(Ge)、锑(Sb)和碲(Te)，在所述温度，碲挥发，而锑不挥发；以及，执行溅射处理以在所述衬底上形成包括硫族化物材料的所述相变材料层。还提供了使用所述相变材料层来制造相变存储器的方法。

公开(公告)号：CN112310280A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010399732.8

申请日：2020-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白晙焕 ,  朴勇振 ,  梁辰旭 ,  吴圭焕 ,  郑智允

IPC: H01L45/00

Abstract: 提供了一种可变电阻存储器装置，所述可变电阻存储器装置包括：第一导线结构，在基底上具有位于其中的绝热线；可变电阻图案，接触第一导线结构的上表面；低电阻图案，接触可变电阻图案的上表面；选择结构，位于低电阻图案上；以及第二导线，位于选择结构上。

公开(公告)号：CN112054119A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202010423728.0

申请日：2020-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正熙 ,  朴洸珉 ,  朴志镐 ,  吴圭焕 ,  李政武 ,  堀井秀树

IPC: H01L45/00

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：基体结构，包括半导体基底；第一导电结构，设置在基体结构上，并且在第一方向上延伸，第一导电结构包括下层，并且下层之中的至少一个下层包括碳；数据存贮材料图案，设置在第一导电结构上。所述半导体器件还包括：中间导电图案，设置在数据存贮材料图案上并且包括中间层，中间层之中的至少一个中间层包括碳；开关材料图案，设置在中间导电图案上；以及开关上电极图案，设置在开关材料图案上并且包括碳。所述半导体器件还包括：第二导电结构，设置在开关上电极图案上，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及孔间隔件，设置在数据存贮材料图案的侧表面上。

公开(公告)号：CN107275358B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201710570965.8

申请日：2013-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴圭焕

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明提供了包括多水平单元的非易失性存储装置及其编程方法。该装置包括第一导电图案和第二导电图案。另外，该装置包括在第一导电图案与第二导电图案之间的电极结构和数据存储图案。数据存储图案可包括相变材料，数据存储图案的第一部分的第一垂直厚度可以小于数据存储图案的第二部分的第二垂直厚度。电极结构可包括第一电极和第二电极，第一电极的垂直厚度可以大于第二电极的垂直厚度。

公开(公告)号：CN110880549A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910782748.4

申请日：2019-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴勇振 ,  白晙焕 ,  成东俊 ,  吴圭焕 ,  郑炯钟

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 一种可变电阻式存储器装置，包括：第一导线，其设置在衬底上；第二导线，其设置在第一导线上并与第一导线交叉；以及存储器单元，其设置在第一导线和第二导线之间。存储器单元包括可变电阻图案和设置在可变电阻图案上的加热器电极。加热器电极包括穿透加热器电极的通孔。通孔暴露可变电阻图案的一个表面。

公开(公告)号：CN109659430A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811092261.5

申请日：2018-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金交燮 ,  宣昌佑 ,  吴圭焕 ,  金俊 ,  黄俊渊

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2427 ,  H01L23/525 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/04 ,  H01L45/14 ,  H01L45/16

Abstract: 提供了一种包括数据存储图案的半导体装置，所述半导体装置包括：基体绝缘层，位于基底上；第一导电线，在基体绝缘层上沿第一方向延伸；数据存储结构，位于第一导电线上；选择器结构，位于数据存储结构上，每个选择器结构包括下选择器电极、选择器和上选择器电极；绝缘层，位于选择器结构之间的空间中；以及第二导电线，设置在选择器结构和绝缘层上，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸。绝缘层的上表面高于上选择器电极的上表面。