公开(公告)号：CN116266357A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211222889.9

申请日：2022-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李赫 ,  梁宰圆 ,  吕尚哲 ,  金银珠 ,  李受龙

IPC: G06T7/13 ,  G06T17/00 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/048 ,  G06N3/08 ,  G06N20/10

Abstract: 提供了使用深度学习来预测轮廓的计算装置及其操作方法。所述操作方法包括：在全芯片中对独特图案进行采样；通过执行与所述独特图案对应的严格模拟来提取多个高度中的每个高度的抗蚀剂轮廓的等高线；准备与多个高度中的每个高度的等高线对应的输入图像和输出图像；使用输入图像和输出图像对所提取的等高线执行深度学习；以及根据深度学习的执行来生成轮廓预测模型。

公开(公告)号：CN119107276A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202410176784.7

申请日：2024-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕尚哲 ,  金度润 ,  梁宰圆

IPC: G06T7/00 ,  G06T7/13 ,  G06T7/70

Abstract: 提供了一种图案检查方法，包括：获得其上形成有图案的衬底的图像，基于图像提取轮廓，基于轮廓检测目标图案的位置，通过对所检测的目标图案的位置执行曲线拟合来生成图案检查数据，以及基于图案检查数据分析图案，其中，通过使用Sigmoid函数、双曲正切函数和费米‑狄拉克函数中的至少一个来执行曲线拟合，并且其中图案检查数据包括第一方向上的宽度、第二方向上的高度和目标图案的图案斜率。

公开(公告)号：CN117289543A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202310566686.X

申请日：2023-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕尚哲 ,  梁宰圆 ,  李赫

IPC: G03F1/70 ,  G03F1/36

Abstract: 提供了一种反映掩模偏差变化的可靠的光刻模型生成方法和包括该光刻模型生成方法的掩模制造方法。该光刻模型生成方法包括准备用于学习的基本图像数据，准备指示掩模偏差变化的变换图像数据，通过组合基本图像数据和变换图像数据执行深度学习来生成光刻模型，以及验证光刻模型。

公开(公告)号：CN116266407A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211448639.7

申请日：2022-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁宰圆 ,  朴圣真 ,  吕尚哲 ,  李宣旼 ,  李赫 ,  李洙龙 ,  韩承周

IPC: G06V30/422 ,  G06V10/82 ,  G06F30/392 ,  G06F30/398

Abstract: 一种半导体器件图案化方法包括：通过对关于样本的图案的信息进行成像来生成输入图像；在关于所述样本进行预设半导体工艺之后获取所述样本的所述图案的输出图像；通过用所述输入图像和所述输出图像使用深度神经网络(DNN)学习来生成预测模型；以及通过使用所述预测模型来针对半导体器件的图案预测所述半导体工艺之后的图案图像。

公开(公告)号：CN115933319A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210805477.1

申请日：2022-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕尚哲 ,  姜旼澈 ,  李受龙

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/36

Abstract: 公开了一种形成光学邻近校正(OPC)模型的方法和/或一种使用该OPC模型制造半导体装置的方法。形成OPC模型的方法可包括：获得扫描电子显微镜(SEM)图像和图形数据系统(GDS)图像，SEM图像是使用一个或多个扫描电子显微镜拍摄的多个图像的平均图像，GDS图像是通过对设计的布局成像获得的；将SEM图像和GDS图像对齐；对SEM图像执行图像滤波处理；从SEM图像提取轮廓；以及对轮廓进行验证。可使用遗传算法来执行轮廓的验证。遗传算法中的变量可包括与图像对齐处理有关的第一参数、与图像滤波处理有关的第二参数和与临界尺寸(CD)测量处理有关的第三参数。