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公开(公告)号：CN1945740B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610141578.4
申请日：2006-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/143 , G11C11/15 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
Abstract: 本发明涉及一种利用磁致电阻效应的相变存储器以及操作和制造这样的相变存储器的方法。该相变存储器包括：衬底；开关元件，形成在该衬底中；以及存储节点，连接到该开关元件，该存储节点包括：下电极，连接到该开关元件；第一相变层，形成在该下电极上；磁致电阻层，形成在该第一相变层上；第二相变层，形成在该磁致电阻层上；以及上电极，形成在该第二相变层上。
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公开(公告)号：CN101017878A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610159880.2
申请日：2006-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00 , H01L27/24 , H01L21/822
CPC classification number: H01L29/8615 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , H01L29/24 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种含有带二极管功能的电阻元件的相变RAM(PRAM)及其制造和操作方法。该PRAM包括：衬底；在衬底上所形成的相变二极管层；以及在相变二极管层上所形成的上部电极。相变二极管层包括掺杂了第一杂质的材料层和堆叠在掺杂层上的相变层。相变层显示出掺杂了具有与第一杂质相反的导电类型的杂质的半导体材料的特性。
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公开(公告)号：CN1825612A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510126836.7
申请日：2005-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1608
Abstract: 提供了一种PRAM，及其制造方法。所述PRAM包括晶体管和数据存储器。所述的数据存储器连接至所述晶体管。数据存储器包括顶部电极、底部电极和多孔PCM层。所述的多孔PCM层插入到所述顶部电极和底部电极之间。根据本发明，PRAM具有这样的结构，其能够增大PCM层的电流密度，并降低复位电流。
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公开(公告)号：CN100514665C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610005737.8
申请日：2006-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种操作包括开关器件和存储节点的相变随机存取存储器的方法，所述存储节点包括相变层。该方法包括对所述存储节点施加重置电流，所述重置电流从所述相变层的下部分朝向所述相变层的上部分流经所述相变层且小于1.6mA，从而将所述相变层的一部分变为非晶态。
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公开(公告)号：CN100514664C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610004963.4
申请日：2006-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L45/00 , H01L21/822
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1691 , Y10S977/754
Abstract: 提供了一种要求低驱动电流脉冲的相变存储器件及其制造方法。在所述相变存储器件中，在衬底上形成晶体管，第一电极电连接至所述衬底上的晶体管。在所述第一电极上沿纵向形成相变材料膜，在所述相变材料膜上形成第二电极。这里，所形成的位于所述相变材料膜和所述第二电极之间的接触区域具有30nm或更小的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101101919A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710108112.9
申请日：2007-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/144
Abstract: 本发明提供一种具有掺杂相变层的相变存储器及操作该相变存储器的方法。该相变存储器包括具有相变层的存储节点和开关装置，其中相变层中铟的含量a1为5at％＜a1＜15at％，该相变层可以是含有铟的GST层。
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公开(公告)号：CN101022120A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200610164044.3
申请日：2006-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种用于由阈值电压控制的相变随机存取存储器(PRAM)的编程方法，包括：利用编程来确定硫族化合物材料的无定形状态，从而形成具有与逻辑高和逻辑低相对应的阈值电压的编程区域；以及在编程期间控制编程脉冲的后沿，从而控制硫族化合物材料的淬火速度，以便调整硫族化合物材料的阈值电压。因此，与逻辑低或逻辑高相对应的编程脉冲能够具有均匀的幅度，而不管相应的逻辑电平为何。结果，PRAM器件的可靠性能够得到提高。
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公开(公告)号：CN1996572A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610141682.3
申请日：2006-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/24 , H01L45/00 , G11C11/56
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/35 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1675 , Y10S977/734
Abstract: 本发明提供了一种制造具有富勒烯层的相变随机存取存储器的方法。该制造相变随机存取存储器的方法包括在衬底上形成开关装置和连接到所述开关装置的下电极、形成覆盖所述下电极的层间介电膜、和在所述层间介电膜中形成暴露一部分下电极的下电极接触孔；通过用栓材料填充所述下电极接触孔而形成下电极接触栓；在至少包括所述下电极接触栓的上表面的区域上形成富勒烯层；和在所述富勒烯层上依次堆叠相变层和上电极。
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公开(公告)号：CN1945740A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610141578.4
申请日：2006-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/143 , G11C11/15 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
Abstract: 本发明涉及一种利用磁致电阻效应的相变存储器以及操作和制造这样的相变存储器的方法。该相变存储器包括：衬底；开关元件，形成在该衬底中；以及存储节点，连接到该开关元件，该存储节点包括：下电极，连接到该开关元件；第一相变层，形成在该下电极上；磁致电阻层，形成在该第一相变层上；第二相变层，形成在该磁致电阻层上；以及上电极，形成在该第二相变层上。
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公开(公告)号：CN1825613A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610005737.8
申请日：2006-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种操作包括开关器件和存储节点的相变随机存取存储器的方法，所述存储节点包括相变层。该方法包括对所述存储节点施加重置电流，所述重置电流从所述相变层的下部分朝向所述相变层的上部分流经所述相变层且小于1.6mA，从而将所述相变层的一部分变为非晶态。
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