公开(公告)号：CN112446167A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010876227.8

申请日：2020-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰浩 ,  白康铉 ,  李光熙 ,  全镕宇 ,  权义熙 ,  金润硕

IPC: G06F30/27 ,  G06F119/18 ,  G06K9/62 ,  G06N3/02 ,  G06N20/00

Abstract: 一种指导半导体制造过程的方法包括：接收与目标半导体产品对应的半导体制造过程数据；通过使用技术计算机辅助设计(TCAD)模型来生成与半导体制造过程数据对应的第一半导体特性数据，该TCAD模型是基于包括TCAD模拟数据的训练数据通过机器学习进行训练的；通过使用紧凑模型来生成与半导体制造过程数据对应的第二半导体特性数据，该紧凑模型是基于第一半导体产品的至少一个半导体特性的测量信息来生成的；基于第一半导体特性数据和第二半导体特性数据，通过使用多个对策模型生成分别与多个对策参考对应的多个过程策略；以及基于多个过程策略提供与目标半导体产品对应的最终过程策略。

公开(公告)号：CN105633161A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510611794.X

申请日：2015-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金琯英 ,  俞在炫 ,  卢镇铉 ,  孟佑烈 ,  全镕宇

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L23/528 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件包括第一鳍、与第一鳍分离的第二鳍、以及位于第一鳍和第二鳍上的栅极。栅极与第一鳍和第二鳍交叉。第一鳍包括位于栅极两侧的第一掺杂区。第一掺杂区配置为具有施加至其上的第一电压。第二鳍包括位于栅极两侧的第二掺杂区。第二掺杂区配置为具有施加至其上的第二电压。第二电压不同于第一电压。

公开(公告)号：CN102997993A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210186006.3

申请日：2012-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  宋利宪 ,  田尚勋 ,  金暎 ,  全镕宇 ,  金昌桢

IPC: G01J1/44 ,  G06F3/042 ,  G09G3/32

CPC classification number: H01L27/14609 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  G06F2203/04103

Abstract: 一种光感测装置、驱动光感测装置的方法以及包含光感测装置的光学触摸屏装置，其中，光感测像素中的光传感器晶体管由光敏氧化物半导体晶体管形成。光感测装置包括：光感测像素阵列，具有按照行和列排列的多个光感测像素；以及多条栅极线，按照行方向排列并且分别向光感测像素提供栅极电压，其中，光感测像素的每一个包括用于感测光的光传感器晶体管以及用于输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管。栅极线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的开关晶体管的栅极，且复位线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的光传感器晶体管的栅极。复位线经由相位反转器被连接到栅极线。因而，当栅极电压被施加于栅极线时，具有与栅极电压反转相位的复位信号可以被施加于复位线。