公开(公告)号：CN105633161B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201510611794.X

申请日：2015-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金琯英 ,  俞在炫 ,  卢镇铉 ,  孟佑烈 ,  全镕宇

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件包括第一鳍、与第一鳍分离的第二鳍、以及位于第一鳍和第二鳍上的栅极。栅极与第一鳍和第二鳍交叉。第一鳍包括位于栅极两侧的第一掺杂区。第一掺杂区配置为具有施加至其上的第一电压。第二鳍包括位于栅极两侧的第二掺杂区。第二掺杂区配置为具有施加至其上的第二电压。第二电压不同于第一电压。

公开(公告)号：CN110620149A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201910384004.7

申请日：2019-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金琯英 ,  A.伊瓦纽科维赫 ,  申辉澈 ,  韩美珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/08 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明公开一种集成电路器件，该集成电路器件包括：块衬底，包括第一导电类型阱和第二导电类型漂移区；堆叠图案，设置在块衬底上并且包括在第二导电类型漂移区上的掩埋绝缘图案和在掩埋绝缘图案上的半导体主体图案；栅极绝缘层，在第一导电类型阱的上表面上以及在堆叠图案的侧壁和上表面上；以及栅电极，在栅极绝缘层上。栅电极包括与第一导电类型阱相对的第一栅极部分以及与第二导电类型漂移区相对的第二栅极部分，其中栅极绝缘层在第一栅极部分与第一导电类型阱之间，栅极绝缘层和堆叠图案在第二栅极部分与第二导电类型漂移区之间。

公开(公告)号：CN105633161A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510611794.X

申请日：2015-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金琯英 ,  俞在炫 ,  卢镇铉 ,  孟佑烈 ,  全镕宇

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L23/528 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件包括第一鳍、与第一鳍分离的第二鳍、以及位于第一鳍和第二鳍上的栅极。栅极与第一鳍和第二鳍交叉。第一鳍包括位于栅极两侧的第一掺杂区。第一掺杂区配置为具有施加至其上的第一电压。第二鳍包括位于栅极两侧的第二掺杂区。第二掺杂区配置为具有施加至其上的第二电压。第二电压不同于第一电压。

公开(公告)号：CN110620149B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201910384004.7

申请日：2019-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金琯英 ,  A.伊瓦纽科维赫 ,  申辉澈 ,  韩美珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/08 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明公开一种集成电路器件，该集成电路器件包括：块衬底，包括第一导电类型阱和第二导电类型漂移区；堆叠图案，设置在块衬底上并且包括在第二导电类型漂移区上的掩埋绝缘图案和在掩埋绝缘图案上的半导体主体图案；栅极绝缘层，在第一导电类型阱的上表面上以及在堆叠图案的侧壁和上表面上；以及栅电极，在栅极绝缘层上。栅电极包括与第一导电类型阱相对的第一栅极部分以及与第二导电类型漂移区相对的第二栅极部分，其中栅极绝缘层在第一栅极部分与第一导电类型阱之间，栅极绝缘层和堆叠图案在第二栅极部分与第二导电类型漂移区之间。

公开(公告)号：CN105590963A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510753020.0

申请日：2015-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞在炫 ,  金琯英 ,  卢镇铉 ,  孟佑烈 ,  全基文 ,  全镕宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/1045 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7816 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：基板，具有第一导电类型的有源区；在有源区中的第二导电类型的漂移区；覆盖有源区并在漂移区上的栅极；设置在有源区和栅极之间的栅绝缘膜；第二导电类型的漏极区，在漂移区中的与栅极间隔开的位置处，并具有比漂移区高的掺杂浓度；第一导电类型的浅阱区，在漂移区中与漏极区间隔开并在栅极和漏极区之间；和第二导电类型的源极区，形成在栅极和漏极区之间的第一导电类型的浅阱区中并具有比第一导电类型的浅阱区高的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN102569356A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110431885.7

申请日：2011-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高在赫 ,  金汉求 ,  金昌洙 ,  金锡震 ,  金琯英

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/73 ,  G09G3/20

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L23/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有保护环的半导体装置、显示驱动器电路和显示设备。该半导体装置包括：半导体基底，具有第一导电类型；至少两个第一阱区域，在半导体基底中具有第二导电类型和预定深度；至少一个第二阱区域，在每个第一阱区域中具有第一导电类型和预定深度；保护环区域，具有第二导电类型和预定深度，并位于第一阱区域之间，以与第一阱区域分开预定的距离。保护环区域连接到地电压。