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公开(公告)号：CN102354705B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201110351212.0
申请日：2009-12-21
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/20 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/42316
Abstract: 本发明的一个方面在于一种半导体装置，其包含半导体区域、设置在该半导体区域的主表面上的源极电极和漏极电极、具有常关闭特性的栅极电极，该栅极电极设置在该半导体区域的主表面上同时在其间插入p型材料膜，并且该栅极电极排列在该源极电极和该漏极电极之间，以及第四电极，其设置在该半导体区域的主表面上，并且排列在该栅极电极和该漏极电极之间。其中保留在第四电极之下的半导体区域的厚度大于保留在栅极电极之下的半导体区域的厚度。
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公开(公告)号：CN102222689B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201110095110.7
申请日：2011-04-15
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L27/06
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L27/0605 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够在提升面积使用效率的同时，维持晶体管(T)的特性，还能够实现整流元件(D)在低顺向的电压化。作为解决手段，半导体装置(1)具有整流元件(D)和晶体管(T)。整流元件(D)具有电流路径(43)、配设于电流路径(43)的一端且具备整流作用的第1主电极(11)、配设于电流路径(43)的另一端的第2主电极(12)、配设于该第1主电极(11)与第2主电极(12)之间且顺向电压大于第1主电极(11)的第1辅助电极(15)。晶体管(T)具有电流路径(43)、在与电流路径(43)交叉的方向配设于电流路径(43)一端的第3主电极(13)、围绕第3主电极(13)配设的控制电极(14)、第2主电极(12)。
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公开(公告)号：CN102891126A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210247533.0
申请日：2012-07-17
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 町田修
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49 , H01L2224/49111 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供具有搭载在引线框架上的氮化物FET、开关特性优秀的氮化物半导体装置。该氮化物半导体装置的特征在于，具有：氮化物FET；以及包含多个引线的引线框架，所述氮化物FET至少具有第1主电极、第2主电极和控制电极，所述引线框架具有：与所述第1主电极连接的第1引线；与所述第2主电极连接的第2引线及第3引线；以及与所述控制电极连接的第4引线，在所述氮化物FET中，根据施加在所述第3引线与所述第4引线之间的电压，在所述第1引线与所述第2引线之间流过电流。
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公开(公告)号：CN102810973A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210174860.8
申请日：2012-05-30
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H02M3/1588 , H02M1/08 , Y02B70/1466
Abstract: 本发明提供一种栅极驱动电路，其导通时的开关特性不会发生变动，能够在不产生功率损失的情况下使开关元件稳定地导通。作为解决手段，该栅极驱动电路对于具有漏极、源极和栅极且由宽带隙半导体构成的开关元件（Q1）的栅极施加来自控制电路的控制信号，从而对开关元件进行导通截止驱动，其具有：连接于控制电路与开关元件的栅极之间，由第1电容器（C1）与第1电阻（R1）构成的并联电路；以及连接于开关元件的栅极与源极之间，使控制信号的截止信号延迟，使得栅极与源极之间短路的短路单元（S4）。
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公开(公告)号：CN102545559A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110396903.2
申请日：2011-12-02
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M1/088
CPC classification number: H03K17/0822 , H02M1/32 , H02M1/36 , H02M3/33507
Abstract: 本发明提供一种使用了不破坏响应性的、能够减少能动钳位元件的损失电力的能动钳位电路的栅极驱动电路及半导体装置。栅极驱动电路驱动开关元件(Tr7)的栅极，其具有：驱动部(晶体管Tr1，Tr2，Tr4，Tr5)，其根据控制信号驱动开关元件(Tr7)；以及有源钳位电路(二极管D1、稳压二极管ZD1、电阻R1、晶体管Tr3、Tr6)，其在施加到开关元件(Tr7)的第1主端子(漏极)与第2主端子(源极)之间的电压为规定电压以上时，强制地切断驱动部对于开关元件(Tr7)的驱动动作，以开关元件(Tr7)的第1主端子与第2主端子之间的电压钳位的方式驱动开关元件(Tr7)。
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公开(公告)号：CN102354705A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110351212.0
申请日：2009-12-21
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/20 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/42316
Abstract: 本发明的一个方面在于一种半导体装置，其包含半导体区域、设置在该半导体区域的主表面上的源极电极和漏极电极、具有常关闭特性的栅极电极，该栅极电极设置在该半导体区域的主表面上同时在其间插入p型材料膜，并且该栅极电极排列在该源极电极和该漏极电极之间，以及第四电极，其设置在该半导体区域的主表面上，并且排列在该栅极电极和该漏极电极之间。其中保留在第四电极之下的半导体区域的厚度大于保留在栅极电极之下的半导体区域的厚度。
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公开(公告)号：CN102222689A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110095110.7
申请日：2011-04-15
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L27/06
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L27/0605 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够在提升面积使用效率的同时，维持晶体管(T)的特性，还能够实现整流元件(D)在低顺向的电压化。作为解决手段，半导体装置(1)具有整流元件(D)和晶体管(T)。整流元件(D)具有电流路径(43)、配设于电流路径(43)的一端且具备整流作用的第1主电极(11)、配设于电流路径(43)的另一端的第2主电极(12)、配设于该第1主电极(11)与第2主电极(12)之间且顺向电压大于第1主电极(11)的第1辅助电极(15)。晶体管(T)具有电流路径(43)、在与电流路径(43)交叉的方向配设于电流路径(43)一端的第3主电极(13)、围绕第3主电极(13)配设的控制电极(14)、第2主电极(12)。
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公开(公告)号：CN102201441A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110059146.X
申请日：2011-03-11
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 町田修
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/43
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/7391 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供一种在具有当施加了高电压时在反向偏置中的漏电流少、正向压降(Vf)低的整流元件的单一基板上一体形成晶体管元件和整流元件的半导体装置。半导体装置(10)是在单一基板(11)上具有晶体管元件(12)和整流元件(13)的半导体装置(10)，晶体管元件(12)具有：形成在基板(11)上的活化层(14)；以及与活化层(14)接合的源电极(15)、漏电极(16)和栅电极(17)，整流元件(13)具有：与活化层(14)接合的阳电极(18)；使用漏电极(16)的阴电极；以及在阳电极(18)和阴电极之间的第1辅助电极(19)。
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公开(公告)号：CN104427719B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410409540.5
申请日：2014-08-19
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供LED驱动电路，其为使用宽禁带半导体作为开关元件并进行了高频化的降压斩波电路，在该降压斩波电路中，即使存在输入电压变动也能够维持恒流特性。作为解决手段，提供通过直流输出以恒流点亮LED的LED驱动电路(10a)，所述直流输出是利用基于常通型的第1开关元件(Q1)的接通断开动作的电抗器(L)的充放电而生成的，LED驱动电路(10a)具有对流过电抗器(L)的电抗器电流的平均值进行检测的平均值检测电路(跨导放大器OTA、和与跨导放大器OTA的输出端子连接的电容器Ccomp)，并根据由平均值检测电路检测到的电抗器电流的平均值控制使第1开关元件(Q1)断开的时机。
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公开(公告)号：CN104427721B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410411953.7
申请日：2014-08-20
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H05B37/02
CPC classification number: Y02B20/42
Abstract: 本发明提供LED驱动电路，其能够在不点亮LED的待机时供给微型计算机用的电源。LED驱动电路具有：恒流控制信号输出电路(电流检测电阻Rs)，其输出与流过电抗器(L)的电抗器电流对应的恒流控制信号；恒压控制信号输出电路(CV)，其输出与输出电压(Vout)对应的恒压控制信号；以及控制电路(Ta)，其在未被输入待机信号的通常动作时，通过恒流控制信号对LED电流进行恒流控制，在被输入了待机信号的待机动作时，通过恒压控制信号恒压控制成比LED阵列(LD)的点亮电压低的输出电压(Vout)。
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