公开(公告)号：CN110707064B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201810818358.3

申请日：2018-07-24

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  田中雄季 ,  韦宁

IPC: H01L23/52 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：单极性部件，该单极性部件至少包括第一外延层和第一基板；以及旁路部件，该旁路部件至少包括第二外延层和第二基板，且该单极性部件和该旁路部件并联；其中，该单极性部件的厚度与该旁路部件的厚度之差小于或等于预定值。

公开(公告)号：CN109309118B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201710670126.3

申请日：2017-08-08

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 川口博子 ,  鹿内洋志 ,  熊仓弘道 ,  工藤真二 ,  田中雄季

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：配置在上区域与下区域之间的中间区域；该中间区域内的第一导电类型的掺杂浓度低于漂移层内的该第一导电类型的掺杂浓度。因此，在施加后向偏压时，可延伸消耗层并且将该消耗层与该下区域连接；且可减小该上区域的电场。

公开(公告)号：CN110707064A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201810818358.3

申请日：2018-07-24

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  田中雄季 ,  韦宁

IPC: H01L23/52 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：单极性部件，该单极性部件至少包括第一外延层和第一基板；以及旁路部件，该旁路部件至少包括第二外延层和第二基板，且该单极性部件和该旁路部件并联；其中，该单极性部件的厚度与该旁路部件的厚度之差小于或等于预定值。

公开(公告)号：CN110071033A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201810151850.X

申请日：2018-02-14

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  保立伦则 ,  田中雄季 ,  工藤真二

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L23/12

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体晶片以及形成半导体的方法。该半导体晶片包括：第一半导体元件，该第一半导体元件具有第一器件；第二半导体元件，该第二半导体元件具有第二器件；绝缘层，该绝缘层侧向延伸到该第一半导体元件和该第二半导体元件；以及研磨层，该研磨层配置在该半导体晶片的背面上或临近于该半导体晶片的背面。因此，在制薄过程中(例如背面研磨)将研磨层暴露时，可以减少或避免碎屑或裂纹。