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公开(公告)号：CN100474530C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200680005022.0
申请日：2006-02-15
Applicant: 株式会社爱发科 , 三井化学株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , C01B33/12 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76826 , C01B33/12 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02214 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/31608 , H01L21/31695 , Y10T428/249994
Abstract: 本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1777560A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200480011066.5
申请日：2004-04-26
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C01B33/12 , C09D183/00
CPC classification number: H01L21/02216 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 本发明涉及一种多孔质二氧化硅形成用涂布液，其特征为：较佳含有烷氧基硅烷化合物的部分水解缩合物、界面活性剂、和有机两性电解质，且其金属含量为50ppb或其以下。以往的多孔质二氧化硅形成用涂布液，一旦保存期间变长，就会有所得到的多孔质二氧化硅膜的细孔的排列规则性变低的情形。与此相反，若根据本发明的多孔质二氧化硅形成用涂布液，则可提供一种具有优良的保存稳定性的涂布液。即，所得到的多孔质二氧化硅的性能不易受到上述涂布液的保存期间的影响。因此，期望能贡献于稳定地生产一种多孔质二氧化硅，即使将其暴露于电场，也不会引起电容、电压的偏移，并且具有规则排列的均匀的细孔，可适合用作为光功能材料或电子功能材料的多孔质二氧化硅膜。
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公开(公告)号：CN1366509A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN01801051.2
申请日：2001-04-26
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C01B33/12 , C09D183/02 , C09D183/08 , H01L21/316 , H01L21/312
CPC classification number: C01B33/124 , B01J20/103 , B01J20/2809 , B82Y30/00 , C01P2002/70 , C01P2004/61 , C01P2004/64 , C01P2006/16 , C01P2006/17 , C01P2006/60 , C01P2006/80 , C01P2006/90 , C08J9/0004 , C08J2300/14 , C09C1/3045 , C09D183/02 , C09D183/08 , H01L21/31695 , Y10T428/264 , Y10T428/265
Abstract: 合成的孔隙均匀的防水性多孔二氧化硅,该二氧化硅包括硅石骨架,其中氟原子通过共价键固定,并且碱金属含量不超过10ppb。用该防水性多孔二氧化硅,防水性多孔二氧化硅膜具有均匀的孔隙,适用于光功能性材料或电子功能性材料,还提供了该物质的制备方法,和它的用途。
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公开(公告)号：CN110114143A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201780079669.6
申请日：2017-12-21
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: B01J37/10 , C07C2/08 , C07C11/113 , C07B61/00 , B01J27/232 , B01J32/00 , B01J35/10 , B01J37/00 , C01D7/12 , C01D7/38
Abstract: 本发明提供一种多孔质成型体的制造方法，其具有下述工序：通过将包含AHCO3(式中的A为Na或K)所示的碳酸氢化合物(A)1质量份～100质量份和BnX(式中的B为Na或K，X为CO3、SO4、SiO3、F、Cl或Br，n为由X的价数决定的1或2的整数)所示的化合物(B)0质量份～99质量份(其中使(A)与(B)的合计为100质量份。)的原料进行成型来获得成型体的工序；以及将上述成型体在温度100℃～500℃的范围且包含水蒸气1.0g/m3～750000g/m3的气氛下进行热处理，从而将上述碳酸氢化合物(A)的90质量％以上进行热分解，获得多孔质成型体的工序。
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公开(公告)号：CN102341173B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201080010201.X
申请日：2010-03-25
Applicant: 三井化学株式会社
CPC classification number: C01B7/04 , B01J21/08 , B01J23/83 , B01J35/002 , B01J35/023 , B01J35/08 , B01J35/1038 , B01J35/1042 , B01J35/1047 , B01J37/0045 , B01J37/0201
Abstract: 本发明的课题在于提供一种用于制造氯的催化剂、及使用该催化剂的制造氯的方法，所述用于制造氯的催化剂在利用氧来氧化氯化氢生成氯的反应中，反应活性优异，廉价且能够稳定地供给，适用于流化床反应器。本发明的用于制造氯的催化剂的特征在于由平均球形度为0.80以上的球状粒子构成，所述球状粒子含有(A)铜元素、(B)碱金属元素及(C)镧系元素，镧系元素(C)是满足在298K下的与氧形成的键的解离能为100～185kcal/mol的元素，催化剂中的铜元素(A)含量为0.3重量％以上、4.5重量％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102341173A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080010201.X
申请日：2010-03-25
Applicant: 三井化学株式会社
CPC classification number: C01B7/04 , B01J21/08 , B01J23/83 , B01J35/002 , B01J35/023 , B01J35/08 , B01J35/1038 , B01J35/1042 , B01J35/1047 , B01J37/0045 , B01J37/0201
Abstract: 本发明的课题在于提供一种用于制造氯的催化剂、及使用该催化剂的制造氯的方法，所述用于制造氯的催化剂在利用氧来氧化氯化氢生成氯的反应中，反应活性优异，廉价且能够稳定地供给，适用于流化床反应器。本发明的用于制造氯的催化剂的特征在于由平均球形度为0.80以上的球状粒子构成，所述球状粒子含有(A)铜元素、(B)碱金属元素及(C)镧系元素，镧系元素(C)是满足在298K下的与氧形成的键的解离能为100～185kcal/mol的元素，催化剂中的铜元素(A)含量为0.3重量％以上、4.5重量％以下。
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公开(公告)号：CN101120436A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200680005022.0
申请日：2006-02-15
Applicant: 株式会社爱发科 , 三井化学株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , C01B33/12 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76826 , C01B33/12 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02214 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/31608 , H01L21/31695 , Y10T428/249994
Abstract: 本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。
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公开(公告)号：CN100339302C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200480011066.5
申请日：2004-04-26
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C01B33/12 , C09D183/00
Abstract: 本发明涉及一种多孔质二氧化硅形成用涂布液，其特征为：较佳含有烷氧基硅烷化合物的部分水解缩合物、界面活性剂、和有机两性电解质，且其金属含量为50ppb或其以下。以往的多孔质二氧化硅形成用涂布液，一旦保存期间变长，就会有所得到的多孔质二氧化硅膜的细孔的排列规则性变低的情形。与此相反，若根据本发明的多孔质二氧化硅形成用涂布液，则可提供一种具有优良的保存稳定性的涂布液。即，所得到的多孔质二氧化硅的性能不易受到上述涂布液的保存期间的影响。因此，期望能贡献于稳定地生产一种多孔质二氧化硅，即使将其暴露于电场，也不会引起电容、电压的偏移，并且具有规则排列的均匀的细孔，可适合用作为光功能材料或电子功能材料的多孔质二氧化硅膜。
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公开(公告)号：CN110114143B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201780079669.6
申请日：2017-12-21
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: B01J37/10 , C07C2/08 , C07C11/113 , C07B61/00 , B01J27/232 , B01J32/00 , B01J35/10 , B01J37/00 , C01D7/12 , C01D7/38
Abstract: 本发明提供一种多孔质成型体的制造方法，其具有下述工序：通过将包含AHCO3(式中的A为Na或K)所示的碳酸氢化合物(A)1质量份～100质量份和BnX(式中的B为Na或K，X为CO3、SO4、SiO3、F、Cl或Br，n为由X的价数决定的1或2的整数)所示的化合物(B)0质量份～99质量份(其中使(A)与(B)的合计为100质量份。)的原料进行成型来获得成型体的工序；以及将上述成型体在温度100℃～500℃的范围且包含水蒸气1.0g/m3～750000g/m3的气氛下进行热处理，从而将上述碳酸氢化合物(A)的90质量％以上进行热分解，获得多孔质成型体的工序。
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公开(公告)号：CN105813738A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480068134.5
申请日：2014-12-10
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: B01J27/232 , B01J32/00 , B01J35/04 , B01J37/04 , B01J37/08 , C07C2/14 , C07C11/113 , C07B61/00
CPC classification number: B01J27/232 , B01J21/18 , B01J23/04 , B01J27/236 , B01J35/002 , B01J35/1038 , B01J35/1066 , B01J35/1071 , B01J35/1076 , B01J35/12 , B01J37/023 , B01J37/04 , B01J37/08 , C07C2/14 , C07C2/24 , C07C2521/18 , C07C2523/04 , C07C2527/232 , C07C11/113
Abstract: 一种成型体，其包含选自Na2CO3和K2CO3中的至少1种碳酸化合物(A1)，细孔直径在0.05μm～10μm的范围的细孔容积为0.10mL/g～0.30mL/g，并且压碎强度为1.8kgf～10.0kgf。
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