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公开(公告)号：CN105826370A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610356218.X
申请日：2016-05-25
申请人： 深圳市华讯方舟科技有限公司 , 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778
CPC分类号： H01L29/788 , H01L29/778 , H01L2924/13064
摘要： 本发明涉及一种晶体管，在晶体管的势垒层中设置了低掺杂漏区，由于低掺杂漏区与势垒层中除低掺杂漏区外的区域的电负性的差异，低掺杂漏区的存在可以调节势垒层中二维电子气，改变势垒层中栅极下方的耗尽层的电场强度，使电场重新分布，减小电场峰值，降低陷阱效应，从而提高击穿电压，同时引入了场板，栅极边缘耗尽层边界的弯曲程度减弱，电场分布得到调制，峰值电场减小，陷阱效应降低，进一步提高了击穿电压，在低掺杂漏区和场板的共同作用下，极大地提高了晶体管的击穿电压，增加了晶体管工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN105448977A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201511027694.9
申请日：2015-12-31
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7789 , H01L29/66462
摘要： 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管，包括：衬底、形成于衬底上缓冲层、包覆所述缓冲层鳍片的氮化铝镓势垒层、分别形成于所述势垒层上的栅极、源极及漏极以及形成于源极与栅极和漏极与栅极之间的钝化层。所述缓冲层为一具有鳍片的三维结构。本发明高电子迁移率晶体管通过将缓冲层的设置为三维结构，并使得冲层与势垒层形成三维结构的异质结接触，提高了输出功率。同时本发明高电子迁移率晶体管可以适当降低漏极电压来消减电流崩塌效应带来的漏电流下降现象。本发明还提供了一种高电子迁移率晶体管的制造方法。
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公开(公告)号：CN111045008B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202010042315.8
申请日：2020-01-15
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 华讯方舟科技有限公司
IPC分类号： G01S13/931
摘要： 本申请属于雷达目标类型识别的技术领域，提供了一种基于展宽计算的车载毫米波雷达目标识别方法，该方法包括：获取接收到的雷达回波信号，对所述雷达回波信号的空间分布信息和多普勒信息进行提取，得到距离‑多普勒二维矩阵；对所述距离‑多普勒二维矩阵的数据进行目标检测，得到目标点迹的特征数据；根据预设聚类算法对所述特征数据进行聚类，得到所述目标的聚类数据；根据所述距离‑多普勒二维矩阵从所述聚类数据中提取目标特征，根据所述目标特征构建特征样本数据；根据所述特征样本数据对目标识别模型进行训练，构建所述目标识别模型。本申请实施例解决由于毫米波雷达的点云数据稀疏造成目标特征提取困难的问题。
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公开(公告)号：CN110717262B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910921836.8
申请日：2019-09-27
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本发明属于滤波器技术领域，提供了一种C频段波导滤波器的仿真方法、仿真装置、终端以及可读存储介质，通过获取用户输入的初始华夫参数，建立初始华夫模型；获取用户输入的初始几何参数，建立长方体模型，在长方体模型上设置匹配节；其中长方体模型包覆初始华夫模型；在长方体模型的两端分别设置一个端口，建立初始波导滤波器模型；判断初始波导滤波器模型的S参数是否在预设范围；若是，则输出当前初始波导滤波器模型，生成波导滤波器的目标尺寸参数，若否，则调整初始华夫参数以及初始几何参数，直至初始波导滤波器的S参数在预设范围内。使得在相同模型长度的情况下，在短周期内即可快速仿真出所需的波导滤波器，节约生产时间、降低生产成本。
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公开(公告)号：CN108375757B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201810102335.2
申请日：2018-02-01
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 华讯方舟科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种用于相控阵发射系统的发射组件，包括盒体、多个芯片、上盖板、下盖板及吸波件。盒体包括多个容置腔及与所述多个容置腔连通的顶部开口和底部开口。多个芯片设置于所述容置腔中。上盖板固定连接于所述顶部开口处。下盖板固定连接于所述底部开口处。吸波件设于所述上盖板的朝向所述容置腔的一侧，且所述吸波件朝向所述下盖板的正投影覆盖所述容置腔朝向所述下盖板的正投影。通过设置上述的用于相控阵发射系统的发射组件，在上盖板处设置吸波件，能够吸收影响容置腔内的芯片作用的电磁能量，降低外界环境对发射组件的影响，提高发射组件的抗干扰能力。本发明还提供一种用于相控阵发射系统的发射组件的安装结构。
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公开(公告)号：CN108527195B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201810265274.1
申请日：2018-03-28
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 华讯方舟科技有限公司
IPC分类号： B25B11/00
摘要： 本发明涉及工装夹具领域，提供一种吸波材料的贴合装置，包括：底座；上滑块，包括限位凹模，所述限位凹模的凹槽的形状和尺寸与所述吸波材料相配合，用于对置于所述凹槽内的所述吸波材料进行限位和导向，所述上滑块在所述限位凹模的上表面四周还开设有大小和形状与所述待贴合构件相匹配的限位槽，以对所述待贴合构件进行限位；底座凸模，设于所述底座上，所述底座凸模与所述限位凹模的形状互补，所述底座凸模用于承载所述吸波材料；连接件，所述连接件用于连接所述底座和所述上滑块。还提供一种吸波材料的贴合方法。利用此装置可以实现快速对位，准确贴合，稳定生产，同时还可避免手工贴合时顾此失彼而出现部分区域偏位严重，甚至出现褶皱现象。
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公开(公告)号：CN111046592A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911424269.1
申请日：2019-12-31
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 华讯方舟科技有限公司
摘要： 本申请属于天线技术领域，提供了一种波束赋形天线的设计方法及雷达天线，首先根据天线的工作频率以及介质基板的材料参数确定辐射单元的初始尺寸以及介质波长，根据所述介质波长确定相邻所述辐射单元的间距，并将多个所述辐射单元串联，以形成单元线阵天线，然后通过对多个所述初始尺寸进行加权处理，以得到多个加权尺寸，在所述单元线阵天线的一端设置一阻抗变换段，对所述单元线阵天线的阻抗值进行调节，建立面阵天线模型，对多个所述单元线阵天线的电流幅度分布比及电流激励相位进行调节，从而在不增加外部微波结构的情况下对单元线阵天线进行调节，解决了目前阵列天线耦合现象严重的问题。
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公开(公告)号：CN111001925A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911366118.5
申请日：2019-12-26
申请人： 华讯方舟科技有限公司 , 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
发明人： 范志敏
摘要： 本发明涉及金丝键合技术领域，提供一种金丝键合工装及工艺，上述金丝键合工装包括具有第一压合面的压板及具有受热面和第二压合面的导热板，所述受热面用于与加热机构贴合且与所述第二压合面相背离设置，所述第一压合面与所述第二压合面相对设置，以将工件紧压于所述压板与所述导热板之间，所述压板设有用于供所述工件外露的键合窗口，工件在压板和导热板的共同压紧作用下与导热板有效贴合，使工件能够均匀受热，保证对工件进行键合时的焊接强度，有效提高工件的合格率。
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公开(公告)号：CN108733121B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810404693.9
申请日：2018-04-28
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 华讯方舟科技有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本申请适用于晶体管技术领域，提供了一种温度补偿电路，包括：分压模块，适于与外部电源连接，还与第一补偿模块连接，将外部电源的电压分压为第一电压输出给第一补偿模块；第一补偿模块，与第二补偿模块连接，根据第一电压向第二补偿模块输出第一静态电流；第二补偿模块，适于与外部电源连接，还与第三补偿模块连接，根据外部电源的电压和第一静态电流调整自身的第一偏置电压，并向第三补偿模块输出调整后的第一偏置电压；第三补偿模块，根据调整后的第一偏置电压调整自身的偏置电压，进而调整自身的温度变化改变的静态工作点。本申请可以实现更好的温度补偿效果，同时避免了对晶体管工作性能的影响。
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公开(公告)号：CN110673099A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910934383.2
申请日：2019-09-29
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 河北华讯方舟太赫兹技术有限公司
摘要： 本申请适用于雷达信息处理技术领域，提供了一种多雷达点迹关联方法及装置，其中方法包括：基于雷达观测数据，得到与不同雷达分别对应的点迹数据集合；以不同雷达中第一雷达对应的第一点迹数据集合初始化一临时数据集合；循环将第二点迹数据集合中的所有点迹数据与所述临时数据集合中的点迹数据进行关联操作，得到融合后的数据集合并更新为所述临时数据集合，直至所有的雷达的点迹数据集合被执行完毕，其中，所述第二点迹数据集合为不同雷达中下一雷达所对应的点迹数据集合，输出最终的临时数据集合，提升信息融合过程的全面性和准确度。
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