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公开(公告)号：CN105826370A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610356218.X
申请日：2016-05-25
申请人： 深圳市华讯方舟科技有限公司 , 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778
CPC分类号： H01L29/788 , H01L29/778 , H01L2924/13064
摘要： 本发明涉及一种晶体管，在晶体管的势垒层中设置了低掺杂漏区，由于低掺杂漏区与势垒层中除低掺杂漏区外的区域的电负性的差异，低掺杂漏区的存在可以调节势垒层中二维电子气，改变势垒层中栅极下方的耗尽层的电场强度，使电场重新分布，减小电场峰值，降低陷阱效应，从而提高击穿电压，同时引入了场板，栅极边缘耗尽层边界的弯曲程度减弱，电场分布得到调制，峰值电场减小，陷阱效应降低，进一步提高了击穿电压，在低掺杂漏区和场板的共同作用下，极大地提高了晶体管的击穿电压，增加了晶体管工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN105721000A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610095319.6
申请日：2016-02-19
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 深圳市华讯方舟科技有限公司
IPC分类号： H04B1/04
CPC分类号： H04B1/0483
摘要： 本发明公开了一种射频发射模块、组件、相控阵天线及其制造方法，所述射频发射模块包括第一推动级放大器、功分网络、四个发射通道、电源模块和波控微波子板；所述射频发射组件由两个所述射频发射模块面对面互为镜像地贴合而成；所述相控阵天线由8个或8的整数倍的所述射频发射组件并排固定在一外壳中组合而成。本发明的各级功放均由超宽带功率放大器芯片实现，该芯片使用低压电源，成本低，非线性特性好，便于实现功率合成。
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公开(公告)号：CN105181623A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510470876.7
申请日：2015-08-04
申请人： 深圳市华讯方舟科技有限公司 , 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
IPC分类号： G01N21/3581
摘要： 本发明公开了一种邮件检测装置和方法，其中，所述装置包括：宽带太赫兹发生器、准直器、分束器、固定反射器、移动反射器、聚波器、面阵探测器、采集卡和信息处理模块；其中，信息处理模块，用于当移动反射器静止时，根据采集卡发送的电信号，生成待检邮件的太赫兹图像；当根据待检邮件的太赫兹图像发现可疑物时，控制所述移动反射器发生位移，并根据移动反射器发生位移过程中采集卡发送的电信号序列，生成可疑物的光谱信息。
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公开(公告)号：CN105611801A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510989157.6
申请日：2015-12-24
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 深圳市华讯方舟科技有限公司
IPC分类号： H05K7/20
CPC分类号： H05K7/20272
摘要： 本发明涉及一种用于给基板散热的微流道散热结构及方法，该结构包括散热板，该散热板内设置有第一微流道，该第一微流道划定出第一段和第二段，所述第一段在所述第一微流道上构成相对低温区，所述第二段在所述第一微流道上构成相对高温区，所述散热结构进一步包括第二微流道，该第二微流道划定出第A段和第B段，所述第A段构成所述第二微流道的相对高温区，所述第B段构成所述第二微流道上的相对低温区，所述第二微流道的第B段对应所述第一微流道的第二段的位置设置。本发明通过采用第二微流道进一步降低第一微流道的相对高温区如出口区所对应的基板的温度，使基板各处温度分布均匀，同时提高了冷却效率。
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公开(公告)号：CN105241816A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510677053.1
申请日：2015-10-16
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 深圳市华讯方舟科技有限公司
IPC分类号： G01N21/17
摘要： 本发明公开了一种太赫兹成像装置和方法，其中，所述太赫兹成像装置包括：准直模块、掩模模块和反射波采集模块；准直模块，用于将入射的太赫兹信号进行准直后照射向掩模模块和待成像物品；掩模模块，用于覆盖在待成像物品前，控制太赫兹信号照射所述物品的照射区域；反射信号采集模块，用于采集经过所述物品反射后的反射太赫兹信号，并将所述反射太赫兹信号转换为电信号发送至信号处理模块；信号处理模块，用于控制掩模模块的移动，并根据对应的电信号进行物品成像。
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公开(公告)号：CN105241815A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510670864.9
申请日：2015-10-16
申请人： 深圳市华讯方舟科技有限公司 , 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
IPC分类号： G01N21/17
摘要： 本发明公开了一种太赫兹成像装置和方法，其中，所述太赫兹成像装置包括：准直模块、掩模模块和透射波采集模块；准直模块，用于将入射的太赫兹信号进行准直后照射向掩模模块和待成像物品；掩模模块，用于覆盖在待成像物品前，控制太赫兹信号照射所述物品的照射区域；透射信号采集模块，用于采集经过所述物品透射后的透射太赫兹信号，并将所述透射太赫兹信号转换为电信号发送至信号处理模块；信号处理模块，用于控制掩模模块的移动，并根据对应的电信号进行物品成像。
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公开(公告)号：CN105448976A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510992401.4
申请日：2015-12-25
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 深圳市华讯方舟科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/20 , H01L29/45 , H01L21/335 , H01L21/86
CPC分类号： H01L29/778 , H01L21/86 , H01L29/2003 , H01L29/454 , H01L29/66462
摘要： 本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法，所述增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)包括：衬底；非故意掺杂的GaN(i-GaN)层，所述i-GaN层位于衬底之上，并且所述i-GaN层的左部表面和右部表面各嵌入一层p型掺杂的GaN(p-GaN)层，但所述i-GaN层的中部表面未嵌入p-GaN层。本发明公开的增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)，其无需进行凹栅刻蚀，因此制造工艺的可重复性较高，制造出的器件稳定性也较好。
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公开(公告)号：CN205232208U
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201521113735.1
申请日：2015-12-28
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 深圳市华讯方舟科技有限公司
IPC分类号： H04B1/04
摘要： 本实用新型公开了一种基于超宽带功率放大器芯片的射频发射模块、组件及相控阵天线，所述射频发射模块包括第一推动级放大器、功分网络、四个发射通道、电源模块和波控微波子板；所述射频发射组件由两个所述射频发射模块面对面互为镜像地贴合而成；所述相控阵天线由8个或8的整数倍的所述射频发射组件并排固定在一外壳中组合而成。本实用新型的各级功放均由超宽带功率放大器芯片实现，该芯片使用低压电源，成本低，非线性特性好，便于实现功率合成。
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公开(公告)号：CN205232669U
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201521097443.3
申请日：2015-12-24
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 深圳市华讯方舟科技有限公司
IPC分类号： H05K7/20
摘要： 本实用新型涉及一种用于给基板散热的微流道散热结构，该结构包括散热板，该散热板内设置有第一微流道，该第一微流道划定出第一段和第二段，所述第一段在所述第一微流道上构成相对低温区，所述第二段在所述第一微流道上构成相对高温区，所述散热结构进一步包括第二微流道，该第二微流道划定出第A段和第B段，所述第A段构成所述第二微流道的相对高温区，所述第B段构成所述第二微流道上的相对低温区，所述第二微流道的第B段对应所述第一微流道的第二段的位置设置。本实用新型通过采用第二微流道进一步降低第一微流道的相对高温区如出口区所对应的基板的温度，使基板各处温度分布均匀，同时提高了冷却效率。
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公开(公告)号：CN205160505U
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201520989189.1
申请日：2015-12-02
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 深圳市华讯方舟科技有限公司
IPC分类号： H04B1/04
摘要： 本实用新型属于微波通信技术领域，提供了一种相控阵天线及其发射组件。在本实用新型中，相控阵天线的发射组件包括功分模块、第一选通模块、第二选通模块、第一信号处理模块及第二信号处理模块，其中，第一选通模块选通处于第一预设频率范围内的微波信号，第二选通模块选通处于第二预设频率范围内的微波信号，发射组件所能够发射的微波信号的频率范围为第一预设频率范围与第二预设频率范围之和，因此，上述发射组件能够实现宽频带微波信号的发射。
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