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公开(公告)号：CN108662228B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201810353713.4
申请日：2018-04-19
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 华讯方舟科技有限公司
摘要： 本发明属于阀门装置技术领域，尤其涉及一种半潜式防水透气阀，包括阀帽和阀体机构，阀体机构包括装配柱体和连接柱体，阀帽旋盖罩设于装配柱体，装配柱体的第一端固定安装于连接柱体上，装配柱体和连接柱体的连接处朝向其周侧凸起延伸形成有法兰环，装配柱体的第二端形成有斜切平面，斜切面开设有贯通于装配柱体和连接柱体的沉头通气孔，斜切平面上覆设有呈平板状的防水透气膜。覆设于斜切平面上的防水透气膜上的水珠便能够随时自防水透气膜上滑落，不会在其上聚集。防水透气膜的形状可被制成简单的平板状，无需通过热压成型为中间凸起的形状，这样便显著简化了其制造工艺，降低了其制造难度和制造成本。
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公开(公告)号：CN110389338A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910559917.8
申请日：2019-06-26
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 华讯方舟科技有限公司
摘要： 本发明适用于计算机技术领域，提出一种基于毫米波雷达判断交通状况的方法，包括：解析由发射信号和每个车辆反射的回波信号混合生成的中频信号，得到每个车辆的目标参数，目标参数为车辆相对于雷达的运行参数；基于目标参数分别计算每个车辆相对于雷达的横向距离、纵向速度以及纵向距离；基于横向距离、纵向速度以及预设的探测周期确定每个车道上的车流速度；基于纵向距离以及预设的检测区域确定每个车道上单位时间内的车流量，根据车流速度和所述车流量确定所述每个车道上的交通拥塞状况。通过解析雷达的发射信号与车辆反射的回波信号混合生成的中频信号，得到车辆的目标参数，不受环境状况的影响，能够提高判断交通拥塞状况的准确性。
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公开(公告)号：CN108364878B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201810102334.8
申请日：2018-02-01
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 华讯方舟科技有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
摘要： 本发明涉及一种微组装方法，用导体材料带使第一目标和第二目标电连接。所述方法包括：在金相显微镜下测量所述第一目标和所述第二目标之间的直线距离；根据所述直线距离准备所述导体材料带；其中，所述导体材料带的长度大于所述直线距离的15％至50％，所述导体材料带的两端分别为第一端和第二端；将所述导体材料带的第一端焊接至所述第一目标，且将所述导体材料带的第二端焊接至所述第二目标。本发明还涉及一种芯片装置。上述微组装方法和芯片装置，将导体材料带的两端分别焊接至至第一目标和第二目标时，无需对第一目标和第二目标的表面及导体材料带做额外处理。因此，第一目标和第二目标的互连比较简单，组装效率较高。
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公开(公告)号：CN107086345B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201710225684.9
申请日：2017-04-07
IPC分类号： H01P5/16
CPC分类号： H01P5/16
摘要： 本发明涉及一种超宽带威尔金森功分器，包括介质层，附着在所述介质层一侧的信号金属层，和附着在所述介质层另一侧的金属底层，所述信号金属层包括微波传输支路，用于将一路微波信号分成多路微波分支信号输出，和微带线拓展结构，所述微带线拓展结构由微带线组成，所述微带线拓展结构的一端连接在所述微波传输支路上，另一端悬空，所述微带线的长度均为经过所述超宽带威尔金森功分器的微波的1/4中心波长，用于增加威尔金森功分器的极点；通过在威尔金森功分器的传输支路上设置微带线拓展结构，增加威尔金森功分器的极点，可以拓宽其频带，进而得到一种结构简单的超宽带威尔金森功分器。
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公开(公告)号：CN106411264B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201610930567.8
申请日：2016-10-31
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 华讯方舟科技有限公司
IPC分类号： H03B5/32
CPC分类号： H03B5/32
摘要： 本发明适用于射频通信领域，提供了一种毫米波基频振荡电路及毫米波振荡器，该电路包括：旁路电容；输出匹配单元，使振荡器的二次谐波输出能量最大，输出毫米波振荡信号；负阻效应产生单元，产生负阻效应来补偿谐振回路的损耗；缓冲单元，生成缓冲级输出信号；电感变压单元，利用电感形成变压器结构来降低开关管的寄生电容，并将缓冲级输出信号反馈回给谐振回路。本发明利用输出缓冲级电感与谐振回路电感的耦合效应，利用了有源开关器件的栅端和漏端电感的耦合效应，来提高振荡器的输出频率和能量，将输出信号从电路的共模结点引出，由共面波导结构实现输出匹配，将电路的二次谐波提取出来，实现了输出频率、输出功率高的毫米波振荡器电路。
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公开(公告)号：CN108364878A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810102334.8
申请日：2018-02-01
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 华讯方舟科技有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
摘要： 本发明涉及一种微组装方法，用导体材料带使第一目标和第二目标电连接。所述方法包括：在金相显微镜下测量所述第一目标和所述第二目标之间的直线距离；根据所述直线距离准备所述导体材料带；其中，所述导体材料带的长度大于所述直线距离的15％至50％，所述导体材料带的两端分别为第一端和第二端；将所述导体材料带的第一端焊接至所述第一目标，且将所述导体材料带的第二端焊接至所述第二目标。本发明还涉及一种芯片装置。上述微组装方法和芯片装置，将导体材料带的两端分别焊接至至第一目标和第二目标时，无需对第一目标和第二目标的表面及导体材料带做额外处理。因此，第一目标和第二目标的互连比较简单，组装效率较高。
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公开(公告)号：CN105826370A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610356218.X
申请日：2016-05-25
申请人： 深圳市华讯方舟科技有限公司 , 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778
CPC分类号： H01L29/788 , H01L29/778 , H01L2924/13064
摘要： 本发明涉及一种晶体管，在晶体管的势垒层中设置了低掺杂漏区，由于低掺杂漏区与势垒层中除低掺杂漏区外的区域的电负性的差异，低掺杂漏区的存在可以调节势垒层中二维电子气，改变势垒层中栅极下方的耗尽层的电场强度，使电场重新分布，减小电场峰值，降低陷阱效应，从而提高击穿电压，同时引入了场板，栅极边缘耗尽层边界的弯曲程度减弱，电场分布得到调制，峰值电场减小，陷阱效应降低，进一步提高了击穿电压，在低掺杂漏区和场板的共同作用下，极大地提高了晶体管的击穿电压，增加了晶体管工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN105448977A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201511027694.9
申请日：2015-12-31
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7789 , H01L29/66462
摘要： 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管，包括：衬底、形成于衬底上缓冲层、包覆所述缓冲层鳍片的氮化铝镓势垒层、分别形成于所述势垒层上的栅极、源极及漏极以及形成于源极与栅极和漏极与栅极之间的钝化层。所述缓冲层为一具有鳍片的三维结构。本发明高电子迁移率晶体管通过将缓冲层的设置为三维结构，并使得冲层与势垒层形成三维结构的异质结接触，提高了输出功率。同时本发明高电子迁移率晶体管可以适当降低漏极电压来消减电流崩塌效应带来的漏电流下降现象。本发明还提供了一种高电子迁移率晶体管的制造方法。
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公开(公告)号：CN109273526A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811242989.1
申请日：2018-10-24
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L23/373 , H01L21/335
摘要： 本发明属于电子技术领域，公开了一种高性能晶体管及其制造方法，包括多晶衬底层、键合层、第一非掺杂GaN层、AlGaN层、源电极、漏电极以及栅电极；其中，键合层设置在多晶衬底层第一表面；第一非掺杂GaN层设置在键合层第一表面；AlGaN层设置在非掺杂GaN层第一表面；源电极和漏电极间隔设置在AlGaN层第一表面；栅极设置在AlGaN层第一表面的源电极和漏电极之间区域；由于通过键合和衬底移除技术将AlGaN/GaN器件转移到高导热多晶衬底材料上，有效提高了器件在高频应用时散热性能，从而提高器件及其应用的系统的可靠性；增加了产品的市场竞争力。
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公开(公告)号：CN109244131A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811243002.8
申请日：2018-10-24
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/24 , H01L21/34
摘要： 本发明属于电子技术领域，公开了一种高速晶体管及其制造方法，高速晶体管包括衬底层；设置在衬底层上表面的沟道层；设置在沟道层上表面的第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层；设置在第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面的高掺杂(AlxGa1-x)2O3层；设置在高掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面的电压调制层；间隔设置在电压调制层上表面的源电极和漏电极；及设置在电压调制层上表面，且位于源电极和漏电极之间区域的栅电极；由于通过超宽禁带半导体材料体系制备新型高速大功率晶体管，并通过高掺杂(AlxGa1-x)2O3层调制形成异质结二维电子气，有效提高了器件的频率和功率性能，同时提高了器件材料自身击穿电压，从而降低对器件封装的要求，增加了产品的市场竞争力。
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