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公开(公告)号：CN117739837A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410182564.5
申请日：2024-02-19
Applicant: 法博思(宁波)半导体设备有限公司
IPC: G01B11/06
Abstract: 本申请公开了一种基于衍射元件的对射光谱共焦测厚系统及方法，涉及硅片厚度检测技术领域，系统包括第一光谱共焦系统、第二光谱共焦系统和电脑；其中，第一光谱共焦系统的第一光谱共焦探头内部从入射端到出射端依次固定设置有准直透镜、第一非球面镜和第一衍射元件，第二光谱共焦系统的第二光谱共焦探头内部从入射端到出射端依次固定设置有第二非球面镜、第二衍射元件和折射镜，第一光谱共焦探头的出射端和第二光谱共焦探头的出射端相对设置。本申请通过使用衍射元件对光谱共焦系统进行改进，从而能够校正空间姿态误差，并提高硅片的测量精度，且衍射元件的引入使得系统能够更加灵活地处理入射和反射光。
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公开(公告)号：CN116878407B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311155284.7
申请日：2023-09-08
Applicant: 法博思(宁波)半导体设备有限公司
IPC: G01B11/06 , G06F18/10 , G06F18/2113 , G06F18/2131 , G06F123/02
Abstract: 本申请公开了一种基于红外干涉的外延片测厚方法及装置，涉及光学薄膜厚度测量技术领域，通过获取原始光谱信号：采用自适应光谱切除算法切除原始光谱信号中干涉质量不佳的区域，得到高质量干涉光谱信号；将高质量干涉光谱信号进行FFT变换，并将横坐标进行转换，得到厚度图；采用双层厚度提取算法对厚度图进行处理，得到外延片衬底和外延层的厚度结果。本申请不仅通过自适应光谱切割算法切除了原始光谱信号中干涉质量不佳的区域，并且通过双层厚度提取算法解决了由晶圆特殊双层结构导致的多次干涉问题，从而实现外延片衬底、外延层厚度的精确测量。
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公开(公告)号：CN117128877A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311394444.3
申请日：2023-10-26
Applicant: 法博思(宁波)半导体设备有限公司
IPC: G01B11/06
Abstract: 本申请公开了一种薄膜厚度检测方法、计算机及系统，涉及光学薄膜厚度测量技术领域，方法包括：通过获取光源的波长范围以及薄膜样品的折射率函数得到所有仿真反射光谱曲线和所有仿真反射光谱曲线的零点；采集实测反射光谱，并将实测反射光谱进行分解得到实测反射光谱Imf2分量的所有零点；根据评价函数获取所有仿真反射光谱曲线的零点中与实测反射光谱Imf2分量的所有零点差异最小的一组，并得到薄膜样品的实测厚度；获取CCD相机采集到的干涉图中的条纹个数；根据厚度校正公式校正薄膜样品的实测厚度，得到最终厚度。本申请提供的薄膜厚度检测方法、计算机及系统在测量厚度小于1mm的薄膜时，不仅精度高，而且还具备强大的稳定性。
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公开(公告)号：CN116878407A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311155284.7
申请日：2023-09-08
Applicant: 法博思(宁波)半导体设备有限公司
IPC: G01B11/06 , G06F18/10 , G06F18/2113 , G06F18/2131 , G06F123/02
Abstract: 本申请公开了一种基于红外干涉的外延片测厚方法及装置，涉及光学薄膜厚度测量技术领域，通过获取原始光谱信号：采用自适应光谱切除算法切除原始光谱信号中干涉质量不佳的区域，得到高质量干涉光谱信号；将高质量干涉光谱信号进行FFT变换，并将横坐标进行转换，得到厚度图；采用双层厚度提取算法对厚度图进行处理，得到外延片衬底和外延层的厚度结果。本申请不仅通过自适应光谱切割算法切除了原始光谱信号中干涉质量不佳的区域，并且通过双层厚度提取算法解决了由晶圆特殊双层结构导致的多次干涉问题，从而实现外延片衬底、外延层厚度的精确测量。
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公开(公告)号：CN116518873A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310464359.3
申请日：2023-04-24
Applicant: 法博思(宁波)半导体设备有限公司
Abstract: 本申请公开了一种可判别 晶向和 晶向的晶圆翘曲度量测方法及设备，该方法包括：将待量测晶圆放置在三个支撑点上，三个支撑点构成顶角为45°的等腰三角形，使晶圆的中心与等腰三角形的外心重合，在晶圆上规划采集翘曲度的采样路径，沿采样路径采集得到晶圆的形貌信息，计算获得去干扰因素的翘曲度值，根据翘曲度值判定晶圆的晶向。这种量测方法适用于晶圆物料主要是 晶向及 晶向两种的工厂或企业，该方法可在量测晶圆形貌的同时进行晶向判定，相比现有技术中通过不同设备、工序分别对晶圆翘曲度量测和晶向判定，本申请提供的量测方法一举多得，操作步骤简单，检测效率高，判定准确可靠，贴合实际生产需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115358998B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211008652.0
申请日：2022-08-22
Applicant: 法博思(宁波)半导体设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种随机阵列图片中点坐标的获取方法及系统，获取随机阵列图片并进行二值化处理，所述图片中包括由多个点组成的阵列；基于预设卷积核通过卷积计算将所述图片中处于同一行/列的点连接起来形成多行/列连通域；获取每个连通域的外接矩形，根据待检测点所对应的连通域的行数和列数，获取待检测点的行列坐标。可对在芯片阵列出现行数和列数不固定、中间也有可能出现缺漏，整体矩阵倾斜等情况时对阵列中瑕疵芯片的行列坐标进行确定，对阵列角度的要求较低，倾斜度可以在5度左右(取决于阵列点与点之间的距离)，并且整个算法中点的像素坐标都没有参与到确定位置中去，避免了阵列角度倾斜造成坐标的错位。
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公开(公告)号：CN115638757A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211415218.4
申请日：2022-11-11
Applicant: 法博思(宁波)半导体设备有限公司
IPC: G01B21/02
Abstract: 本发明公开了一种硅片量测范围无限制的装置及方法，其中，装置包括硅片运载台、直线导轨、左滑台、右滑台、上探头、下探头、前角度旋转台以及后角度旋转台；两个直线导轨间隔且平行设置，左滑台滑动设置在左侧的直线导轨上，右滑台滑动设置在右侧的直线导轨上，硅片运载台安装在左滑台和右滑台的上表面，硅片运载台的中间开设有开口，硅片运载台的顶面设置有三个具有真空吸附功能的支撑点，上探头与下探头设置在两个直线导轨之间，上探头位于下探头的正上方，前角度旋转台和后角度旋转台分别位于下探头的前后侧，前角度旋转台和后角度旋转台的上端具有真空吸附、升降和旋转功能。
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公开(公告)号：CN115638757B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202211415218.4
申请日：2022-11-11
Applicant: 法博思(宁波)半导体设备有限公司
IPC: G01B21/02
Abstract: 本发明公开了一种硅片量测范围无限制的装置及方法，其中，装置包括硅片运载台、直线导轨、左滑台、右滑台、上探头、下探头、前角度旋转台以及后角度旋转台；两个直线导轨间隔且平行设置，左滑台滑动设置在左侧的直线导轨上，右滑台滑动设置在右侧的直线导轨上，硅片运载台安装在左滑台和右滑台的上表面，硅片运载台的中间开设有开口，硅片运载台的顶面设置有三个具有真空吸附功能的支撑点，上探头与下探头设置在两个直线导轨之间，上探头位于下探头的正上方，前角度旋转台和后角度旋转台分别位于下探头的前后侧，前角度旋转台和后角度旋转台的上端具有真空吸附、升降和旋转功能。
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公开(公告)号：CN115358998A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211008652.0
申请日：2022-08-22
Applicant: 法博思(宁波)半导体设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种随机阵列图片中点坐标的获取方法及系统，获取随机阵列图片并进行二值化处理，所述图片中包括由多个点组成的阵列；基于预设卷积核通过卷积计算将所述图片中处于同一行/列的点连接起来形成多行/列连通域；获取每个连通域的外接矩形，根据待检测点所对应的连通域的行数和列数，获取待检测点的行列坐标。可对在芯片阵列出现行数和列数不固定、中间也有可能出现缺漏，整体矩阵倾斜等情况时对阵列中瑕疵芯片的行列坐标进行确定，对阵列角度的要求较低，倾斜度可以在5度左右(取决于阵列点与点之间的距离)，并且整个算法中点的像素坐标都没有参与到确定位置中去，避免了阵列角度倾斜造成坐标的错位。
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公开(公告)号：CN119714121B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510213599.5
申请日：2025-02-26
Applicant: 法博思(宁波)半导体设备有限公司
Abstract: 本申请公开了一种基于多信号相位提取的两平面绝对面形检测方法及装置，涉及光学干涉测量技术领域，利用初始位置的波前相位分布数据和多个旋转后的波前相位分布数据的平均值，得到旋转非对称误差；然后将参考镜沿着X轴平移，并测量平移后的波前相位分布数据，根据平移后的波前相位分布数据得出旋转对称误差，将旋转对称误差和与旋转非对称误差进行结合即可到所求解的面形误差。本申请提供的一种基于多信号相位提取的两平面绝对面形检测方法及装置消除了待测镜翻转所带来的误差，提高了测量精度，简化了测量步骤，且提高了面形检测的稳定性。
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