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公开(公告)号：CN105445367A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201511021770.5
申请日：2015-12-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: G01N29/036
CPC classification number: G01N29/036
Abstract: 本发明公开了氢气检测系统，采用超声谐振腔传感器检测氢气浓度，利用氢气进入谐振腔，利用声波传导速度发生变化导致谐振频率的变化的特性，获取氢气浓度，灵敏度高；在各检测端和接收端设置无线传输模块，实现氢气的遥测，能实现多地点的氢气检测。
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公开(公告)号：CN105374872A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410437289.3
申请日：2014-08-29
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种双多晶硅功率MOS管及其制备方法，主要由N+衬底、N型外延层、厚氧化层、源极多晶硅、栅极氧化层、栅极多晶硅、体区P、源区N+、硼磷硅玻璃、P+区、钨塞、源极和漏极组成。本发明利用双POLY结构(Source Poly和Gate Poly)利用不同厚度的氧化层，在满足MOS器件功能的前提下，达到减小极与极间的电容的目的，大幅减小Gate和Drain之间以及Gate和Source的电容，从而大幅减少Gate开关时的充电时间(栅极电荷密度Qg可以大幅降低)，提高了MOS管的开关速度，并利用深槽类3D结构，降低外延厚度对内阻Ron的影响，实现Low Ron。
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公开(公告)号：CN105222565A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510726798.2
申请日：2015-10-29
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种循环烘箱，包括箱体、设于箱体内的烘干腔以及箱体与烘干箱之间的通风道，所述箱体的顶部设有排风管、底端设有进风管，所述排风管与进风管之间通过加热元件连接，所述烘干腔的一侧设有与冷凝器连接的排湿口，所述烘干腔内沿着竖直方向设有多层横向设置的托架，烘干腔的顶端设有一排风板、底端设有一分风板，所述排风板、分风板均与通风道相通，所述干燥腔的两侧且在每层托架的上方均设置有与通风道连通的导风口，所述冷凝器的出口处连接有回收塔。本发明结构简单、易于实现，具有安全性能高、无污染、空气流通顺畅、加热均匀、烘烤质量高等特点，值得广泛推广。
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公开(公告)号：CN105140159A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510639954.1
申请日：2015-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67144
Abstract: 本发明公开了一种贴片机加热块子母模块，包括加热块，所述加热块由母模块和子模块构成一体，所述母模块与子模块之间可拆卸连接。本发明采用子母模块，磨损后只需更换子模块即可，操作方便、简单，提高工作效率，同时也能降低备件成本。
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公开(公告)号：CN105114325A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510639935.9
申请日：2015-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: F04C29/00 , F04C18/344
Abstract: 本发明公开了一种油式旋片真空泵自动加油装置，该装置包括开设于真空吸气口下方外壁上的进油口、金属管、流量控制阀门、吸油管道，所述金属管的一端与进油口相连接，另一端连接流量控制阀门；所述吸油管道的一端连接流量控制阀门，另一端为自由端伸入真空泵油桶中。本发明可以达到在连续运转不停机的情况下给真空泵进行自动加油，利用运行时真空泵吸气口所产生的负压吸入真空泵油，并通过流量控制阀门进行调节流量大小，操作方便、简单、快速，进一步减少了对生产的影响，在一定程度上可有效的提高生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103531481B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310460327.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种基于沟槽方式的通道分压场效应管及生产方法，其利用沟槽方式，再通过扩散制作一n型通道连接沟道与漏极，n型通道所形成的十字型结构或T字形也是3D结构，PN之间形成空乏区（耗尽层）从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，这样可以大幅提高这个区域的耐压，从而可以增加N通道的掺杂浓度，进而又起到降低导通电阻的作用；同时，上述结构中栅极底部与漏极之间由P外延阻隔，从而使栅极底部与漏极之间的电容基本为零；并且通道与沟道的接触部分较小，可以大幅消除栅极和Drain之间的电容，可以大幅减少Gate开关时的充、放电时间（Qgd可以大幅降低），从而提高了MOS管的开关速度。
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公开(公告)号：CN103681318A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210345828.1
申请日：2012-09-18
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/329 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/66143 , H01L21/76202 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开一种使用硅的选择氧化技术制造结势垒肖特基二极管的方法，使用LOCOS（硅的局部氧化）氧化硅的形成，把注入的杂质离子的扩散范围有效的局限在LOCOS氧化硅区域之间，从而有效减少PN结的P区域或N区域横向（水平方向）的扩散的范围，因而减少了P区域或N区域横向扩散所占用的肖特基介面，因此肖特基介面的面积可以得到充分的利用，同时将有效的肖特基势垒界面弯曲成曲面从而增加导电面积，补偿异型小岛占用的面积，因而提升了势垒结肖特基二极管正向通电的功能及效率。
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公开(公告)号：CN103515245A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310460632.1
申请日：2013-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/0634 , H01L29/0642 , H01L29/66666 , H01L29/7827
Abstract: 本发明公开一种基于高能离子注入方式的通道分压场效应管及生产方法，利用高能离子注入设备进行渐深注入，再通过扩散制作一N型通道连接沟道与漏极，N型通道所形成的类T形结构也是3D结构，PN之间形成空乏区从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，这样可以大幅提高这个区域的耐压，从而可以增加N通道的掺杂浓度，进而又起到降低导通电阻的作用；同时，上述结构中栅极底部与漏极之间由P外延阻隔，从而使栅极底部与漏极之间的电容基本为零；并且通道与沟道的接触部分较小，可以大幅消除栅极和漏极之间的电容，综合前述两方面的改进，可以大幅减少栅极开关时的充、放电时间（Qgd可以大幅降低），从而提高了MOS管的开关速度。
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公开(公告)号：CN105489515B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201511021788.5
申请日：2015-12-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片的共晶焊接方法，在芯片硅衬底背面蒸镀金属层，在一定温度下，使金属层与框架表面受压接触，在接触面发生键合形成共晶，实现共晶焊接，在半导体芯片硅衬底背面自里向外依次蒸镀W、Al、Ni、Cu，形成四层结构的金属层，其中W层厚度为Al层厚度为Ni层的厚度为Cu层的厚度为1.1～1.2μm，Cu层与框架表面的镀层形成共晶。本发明不需镀金或镀银，大大节约了生产成本，且提高了封装产品热导率，增长产品使用寿命。
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公开(公告)号：CN105428282B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510989316.2
申请日：2015-12-25
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: Y02P80/30
Abstract: 本发明公开一种具有防叠功能的贴片机，包括框架容置盒、传送轨道、贴装头和防叠框架检测机构。传送轨道位于框架容置盒的前端，贴装头位于传送轨道的后端。该防叠框架检测机构包括固定支架、活动杠杆、检测辊轮、传感器、控制器和报警器组成。当传送轨道上传送的引线框架的厚度大于检测辊轮的下端面与传送轨道之间的间隙时，检测辊轮被向上抬起，活动杠杆随之上升，此时传感器检测到活动杠杆的上升运动，发出信号到控制器，并通过控制器控制报警器发出报警。本发明能有效检查出两片及两片以上框架重叠送到轨道，使设备停机报警，提醒员工处理，这样直接地提高了焊接质量，减少原材料损耗，从而降低生产成本。
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