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公开(公告)号：CN114262942A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202210200525.4
申请日：2022-03-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片腐蚀化系统，包括工作台面、传送机构、密封舱和排气装置；工作台面包括多个工作腔，密封舱用于对所述工作腔进行密封，防止有害气体泄露；传送机构用于根据设定程序自动将碳化硅晶片依次从密封舱传送到不同的工作腔中进行功能化处理；排气装置用于对从工作腔散发出的有害气体进行无害化处理。本发明将碳化硅片晶片的腐蚀化过程都集成在一个工作台面，通过自动化机构，实现碳化硅晶片在功能化处理过程中的自动化；整个工作台面通过密封舱和排气装置保持负压状态，防止有害气体的挥发，工作人员只需取放样品和通过观察窗查看腐蚀进度，避免高温和有害气体的接触，最大限度保护人员安全。
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公开(公告)号：CN113897683B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111490083.3
申请日：2021-12-08
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶片制造领域，公开了一种n型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：提供n型碳化硅晶锭，包括非晶层和位于非晶层表面的单晶层；将n型碳化硅晶锭浸泡入刻蚀液中，基于三电极体系将n型碳化硅晶锭作为阳极并在刻蚀液中设置阴极和参比电极；采用特定波长的入射光对n型碳化硅晶锭进行照射，入射光照射在非晶层表面形成光生空穴‑电子对；在照射的过程中，向n型碳化硅晶锭提供正恒电位，非晶层表面的光生电子沿电流转移到阴极上与刻蚀液发生反应，刻蚀液对非晶层表面进行选择性刻蚀，实现单晶层的剥离，得到n型碳化硅单晶片。通过本发明得到的单晶片表面或亚表面无损伤层、无应力残余，操作简单，成本低。
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公开(公告)号：CN114197056A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202210044062.7
申请日：2022-01-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料退火装置及退火方法，涉及半导体制造技术领域，其中，一种半导体材料退火装置，包括：转移室，转移室内设有载样台，转移室上活动设有样品传送装置；第一加热室，第一加热室与转移室相连通；第二加热室，第二加热室与转移室相连通；冷却室，冷却室与转移室相连通；旋转升降机构，旋转升降机构与载样台相连接，旋转升降机构用于带动载样台并带着样品在第一加热室、第二加热室和冷却室之间进行转换。本申请的退火装置不仅可以实现连续加热，无需进行重复升温降温操作，有效降低工作过程能耗以及提高退火效率，且每个室既可以配合工作，也可以单独工作，进一步降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN114059173A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210047059.0
申请日：2022-01-17
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种制备氧化镓料棒的装置及方法，在接近常压的条件下，用气相沉积法制备纯氧化镓或特定掺杂氧化镓料棒；通过将有机的镓料与有机或无机的目标掺杂料和氧气混合，通过燃烧将目标元素掺杂的氧化镓粉末堆积在目标棒上，获得掺杂氧化镓的原料棒。由气相法制备的氧化镓料棒可以避免氧化镓料棒的污染，同时可以实现目标元素的纳米级别掺杂，在后续的晶体生长过程中，使熔体中元素的分布更加均匀分散，进而使掺杂晶体的性能更加的均一稳定。
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公开(公告)号：CN113897683A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111490083.3
申请日：2021-12-08
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶片制造领域，公开了一种n型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：提供n型碳化硅晶锭，包括非晶层和位于非晶层表面的单晶层；将n型碳化硅晶锭浸泡入刻蚀液中，基于三电极体系将n型碳化硅晶锭作为阳极并在刻蚀液中设置阴极和参比电极；采用特定波长的入射光对n型碳化硅晶锭进行照射，入射光照射在非晶层表面形成光生空穴‑电子对；在照射的过程中，向n型碳化硅晶锭提供正恒电位，非晶层表面的光生电子沿电流转移到阴极上与刻蚀液发生反应，刻蚀液对非晶层表面进行选择性刻蚀，实现单晶层的剥离，得到n型碳化硅单晶片。通过本发明得到的单晶片表面或亚表面无损伤层、无应力残余，操作简单，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113774494A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111344971.4
申请日：2021-11-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及单晶片剥离技术领域，公开了一种半绝缘型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：提供半绝缘型碳化硅晶锭，将半绝缘型碳化硅晶锭浸泡入刻蚀液中，其中，半绝缘型碳化硅晶锭包括非晶层和位于非晶层表面的单晶层，非晶层位于半绝缘型碳化硅晶锭内部的预定位置处；采用特定波长的入射光对半绝缘型碳化硅晶锭进行照射，入射光经过单晶层照射在非晶层表面，在非晶层表面形成光生空穴‑电子对；在照射的过程中，刻蚀液对具有光生空穴‑电子对的非晶层表面进行选择性刻蚀，得到半绝缘型碳化硅单晶片；本发明能够获得厚度可控的半绝缘型碳化硅单晶片，无需减薄研磨处理，且得到的单晶片表面或亚表面无损伤层、无应力残余，操作简单，成本低。
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公开(公告)号：CN113745409A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110870607.5
申请日：2021-07-30
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种高品质高稳定性钙钛矿活性层的制备方法，通过将钙钛矿单晶进行二次重溶，然后通过真空旋涂，反溶剂旋涂或刮涂的方法制备钙钛矿活性层，解决了由于传统多晶钙钛矿膜组分偏差及残余应力存在，使得钙钛矿带隙略宽且键能变弱的问题，从而大幅度提高了钙钛矿太阳电池的性能和稳定性，同时，该方法制备的钙钛矿太阳电池在相同组分下的电流显著突破。本发明还提供了一种带隙可调的基于单晶重溶钙钛矿活性层的太阳电池制备方法，所涉及的器件结构从下至上分别为透明导电玻璃、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层和金属电极层，利用本发明，极大地促进了钙钛矿太阳电池的效率及稳定性，为其商业化迈出重要一步。
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公开(公告)号：CN111304739B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010111319.7
申请日：2020-02-24
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B25/06 , C30B28/14 , C30B29/06 , C30B29/34 , C23C14/35 , C23C14/10 , C23C14/58 , C23C14/16 , C23C14/08 , H01L33/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种硅酸铒晶体和硅纳米晶体共镶嵌二氧化硅薄膜及其制备方法和应用，采用反应共溅射制备富硅硅酸铒薄膜，在通过高温热处理得到硅酸铒晶体和硅纳米晶。本发明还公开了在上述薄膜基础上制备得到的低开启电压高效率红外发光二极管。由于硅纳米晶的形成，薄膜导电性增强，器件开启电压减小；由于硅酸铒晶体的形成，薄膜铒的有效掺杂浓度提高，器件红外电致发光强度上升、效率大幅提高。本发明制备工艺简单，工业兼容性好，在硅基集成光源或半导体发光、光通信等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN112366299A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011172167.8
申请日：2020-10-28
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种石墨‑硅基锂离子电池负极材料的制备方法，包括：(1)将石墨类材料置于腐蚀气体中进行热处理，得到空心化石墨，并控制所述空心化石墨的腐蚀程度D为20～40％；腐蚀气体选自二氧化碳和/或空气；(2)将步骤(1)制备的空心化石墨置于硅基的气态前驱体中进行化学气相沉积，得到石墨‑硅基锂离子电池负极材料。采用本发明公开的方法制备得到的负极材料，首次可逆容量达到800mAh/g以上，100个充放电循环后容量保持率在88％以上，有望在锂离子电池领域获得更广泛的应用。
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