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公开(公告)号：CN101922008B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010232641.1
申请日：2010-07-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种硅的腐蚀深度实时监控方法，属于微电子机械系统加工工艺技术领域。本发明方法在相同条件下对硅腐蚀片和用于监控硅腐蚀片的腐蚀深度的硅陪片同时进行腐蚀，所述硅陪片包括位于硅陪片表面的腐蚀凹槽，位于腐蚀凹槽底面的腐蚀面，和位于腐蚀凹槽侧面的监控面，所述腐蚀面和监控面的晶向相同，所述腐蚀凹槽中盛放腐蚀液，腐蚀液浸没所述腐蚀面，所述监控面，以及所述监控面和所述表面相交的监控线，在腐蚀过程中或腐蚀过程后，通过所述监控线的位移确定所述腐蚀深度。本发明可用于微电子机械系统加工工艺。
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公开(公告)号：CN101922008A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010232641.1
申请日：2010-07-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅的腐蚀深度实时监控方法，属于微电子机械系统加工工艺技术领域。本发明方法在相同条件下对硅腐蚀片和用于监控硅腐蚀片的腐蚀深度的硅陪片同时进行腐蚀，所述硅陪片包括位于硅陪片表面的腐蚀凹槽，位于腐蚀凹槽底面的腐蚀面，和位于腐蚀凹槽侧面的监控面，所述腐蚀面和监控面的晶向相同，所述腐蚀凹槽中盛放腐蚀液，腐蚀液浸没所述腐蚀面，所述监控面，以及所述监控面和所述表面相交的监控线，在腐蚀过程中或腐蚀过程后，通过所述监控线的位移确定所述腐蚀深度。本发明可用于微电子机械系统加工工艺。
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公开(公告)号：CN100447467C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200510086322.3
申请日：2005-08-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种由微鳞片结构组成的微型阀，属于微流体控制输运领域。该微型阀包括微流道及连接于流道侧壁上的微型鳞片阵列结构，微鳞片彼此平行排布，并与流道侧壁成一定的倾角，顺着鳞片排布方向的流动为正向流动，反之为逆向流动。由于正向流动时鳞片对流体产生的阻力小，而逆向时鳞片对流体产生较大的阻力，因此正向与逆向产生流量差，结构实现了单向阀的功能。本发明利用MEMS微加工工艺或化学合成技术制备，可广泛应用于微流体芯片系统内的流体控制。
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公开(公告)号：CN101086504A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200610012117.7
申请日：2006-06-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种微流体离心芯片及其制备方法。本发明所提供的微流体离心芯片，包括芯片基质和盖片，在所述芯片基质上含有：一具有弯曲且连续展开特性的平面曲线线形的微槽道，所述曲线的曲率半径为20微米－1000微米；至少一个进口，位于微槽道的中心；至少两个出口，位于微槽道的尾部。本发明微流体离心芯片采用硅微加工工艺制作，含有一个具有微小曲率半径的螺旋线型微槽道，当流体样品在该槽道内做高速运动时，由于弯曲通道的作用，将会产生离心加速度，从而实现片上离心操作。实验证明本发明所提出的芯片适于微加工，能够实现非常好的离心效果，同时具有成本低、速度快、便于与其他生物或化学操作进行片上集成等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1684546A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200410033638.1
申请日：2004-04-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种微硅麦克风及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域，该微硅麦克风包括作为电容极板的单晶硅薄膜和多晶硅薄膜，多晶硅薄膜为可动极板，单晶硅薄膜上设有若干个释放孔，在多晶硅薄膜上形成加强筋结构，该加强筋结构与单晶硅薄膜上的释放孔相对应，且镶嵌在释放孔中。本发明的制备方法是利用ICP技术进行深槽刻蚀的制造工艺，该工艺既可以得到释放孔，又可实现带有加强筋结构的多晶硅薄膜，工艺流程简单，工艺兼容好，所制备的麦克风成本低、结构应力小、稳定性好且可靠性高。
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公开(公告)号：CN1159772C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN01123428.8
申请日：2001-07-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备光电探测器的方法。采用特殊版图设计，宽引线铝覆部分场区，氯离子处理炉管，在有氢气氛的低温炉中退火，慢降温和磷吸杂工艺。经此方法制备的光电探测器反向击穿高，暗电流小，结电容小，响应速度快，光谱响应范围广，参数优异并稳定。可广泛应用于光电探测器的制备领域。
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公开(公告)号：CN1431142A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN03104782.3
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种微电子机械加工方法。将MEMS技术的发展分为器件结构设计和工艺加工两大方向，包括硅片工艺部分，PYREX7740或HOYASD2玻璃片上的工艺部分和组合工艺部分。采用了先进的对准静电键合和高深宽比硅刻蚀技术；但整体工艺结构比较简单，而且能够满足多种器件芯片结构的加工需求，还具有可扩展的工艺模块与之配套。可广泛应用于MEMS技术领域。
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公开(公告)号：CN119291970B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411833671.6
申请日：2024-12-13
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/1685 , G02F1/167 , G02F1/1673
Abstract: 本发明公开一种可重构单元操控方法、可重构单元、设备和存储介质，涉及可重构电子技术领域，所述方法包括：制备可重构单元，所述可重构单元包括超原子、磁性响应材料和可重构单元主体材料；通过磁场和/或电场操控所述可重构单元在设定流体环境范围内运动。通过制备包含超原子、磁性响应材料和主体材料的可重构单元，创建一种能够在外部磁场和/或电场控制下改变其物理和光学特性的超表面。利用磁场和/或电场操控可重构单元，实现超原子在设定流体环境范围内的精确运动控制。
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公开(公告)号：CN119342932B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411886622.9
申请日：2024-12-20
Applicant: 北京大学
IPC: H10F71/00 , H10F77/20 , H10F77/50 , H10F30/225 , H10F39/90 , H01S5/026 , H01S5/183 , H01S5/042 , F16L59/02
Abstract: 本申请提供一种光‑热隔离的共封装结构制备方法和共封装结构，涉及半导体技术领域，包括：获取封装所需的第一转接板；确定热敏感芯片待放置在第一转接板上的第一位置，在第一位置的四周制备热隔离结构，热隔离结构包括：填充聚对二甲苯的第一通孔结构和第二通孔结构，第一通孔结构与第二通孔结构之间的距离小于第一距离；在第一转接板的第一表面上定义第一互连金属电极和第二互连金属电极；将光隔离芯片埋入第一转接板中，并将光隔离芯片的电极连接至第一表面上的所述第一互连金属电极；将热敏感芯片固定在第一位置，通过打线工艺将热敏感芯片连接至第一表面上的第二互连金属电极，得到热敏感芯片‑光隔离芯片共封装结构。
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