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公开(公告)号：CN102914750A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210470225.4
申请日：2012-11-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/028
CPC classification number: G01R33/028
Abstract: 本发明提供一种微机械磁场传感器及其应用，所述微机械磁场传感器至少包括：谐振振子对和依次形成于其表面上的绝缘层及金属线圈。本发明利用单端电容激励和电磁感应来测量磁场大小，其中，构成谐振振子对的两个谐振振子结构工作在同相位模式，各该谐振振子结构上的金属线圈环绕方向相反，两个谐振振子结构上的金属线圈产生的感应电动势相互串联；由于采用了差分方式输出，消除输出信号中的容性耦合信号，以获得单纯的磁场输出信号；同时，本发明利用耦合结构将两个谐振振子结构耦合起来使两个谐振振子结构连接为一体运动；进一步，本发明结构简单，受温度影响小，输出信号大，灵敏度高，检测的准确度高，适合高工作频率。
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公开(公告)号：CN101917174B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010244689.4
申请日：2010-08-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及亚微米间隙微结构的制作方法及其制作的微机械谐振器，其特征在于亚微米间隙不是通过光刻定义，而是通过氧化多晶硅薄膜来制作，亚微米间隙的大小由多晶硅薄膜上的间隙和氧化工艺在多晶硅薄膜上生长的氧化硅厚度共同决定，并且直接利用氧化硅作为掩膜，通过刻蚀将亚微米间隙转移到器件结构层上。由于无需亚微米级光刻，工艺难度及工艺成本大大降低，利用氧化硅直接作为掩膜则保证了将亚微米间隙转移到器件结构层上时亚微米间隙具有良好的陡直度。微机械谐振器制作工艺步骤包括氮化硅沉积，多晶硅条形成，多晶硅条氧化，氮化硅刻蚀，引线孔形成，金属引线及焊盘形成，器件结构释放。由于在微机械谐振器的间隙是亚微米级，谐振器的性能得到改善。
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公开(公告)号：CN102786029A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110128172.3
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了提供一种用于制作纳米器件的自对准硅盖板，以及该硅盖板的制作方法和使用方法。该硅盖板的正面开设有用于制作电极的图形开口，该硅盖板的背面设有一梯台型凹槽，所述梯台型凹槽的底部与所述图形开口的底部相连通，所述梯台型凹槽的底部尺寸与所制作纳米器件的衬底尺寸相同。利用(100)单晶硅的各向异性腐蚀特性，通过对双面抛光硅片的氧化，双面光刻，各向异性腐蚀和划片等步骤可制作出所述硅盖板。将所述硅盖板盖在尺寸一致的表面有纳米材料的衬底上，经过金属沉积之后直接拿掉盖板，完成器件的制作。这一方法减小了电极布置位置的误差，避免了在金属沉积过程中由于样品台转动而发生的盖板移动导致器件的失效。
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公开(公告)号：CN101303366B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200710040541.7
申请日：2007-05-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/135
Abstract: 本发明涉及硅基带锁止功能的阈值可调加速度开关传感器及制作方法，其特征在于所述的加速度开关传感器是由绝缘衬底上的锚区和硅框架、单端固支在锚区的低阻硅悬臂梁、绝缘衬底上的金属静电驱动导电定极板、悬臂梁下表面上的绝缘介质层、介质层上金属接触电极、固定金属接触电极以及信号驱动/检测回路组成。提供的传感器驱动电压与阀值加速度间存在一定关系且具有锁止功能。同时利用金属桥路通断检测传感器工作状态的信号输出方式，使利用MEMS制作的加速度开关传感器具有结构简单、体积小、功耗低、导通电阻小、接口电路方便、输入、输出隔离性好等特点。
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公开(公告)号：CN102213919B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010144358.3
申请日：2010-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明涉及一种悬架结构光刻胶的涂胶方法，具有能够在沟槽、孔洞、微柱等结构上形成悬架结构，并用于光刻掩膜的特性。其具体步骤为：首先将少量一定浓度的光刻胶滴于极性溶液表面，使之在气-液界面自组装形成一定厚度的光刻胶膜，再将该光刻胶膜转移至已刻蚀出图形的半导体材料上，使之跨过沟槽和孔洞等形成悬架的光刻胶结构，之后对该光刻胶膜进行前烘、曝光、显影及后烘等步骤形成光刻图形。该光刻胶膜可实现刻蚀掩膜、牺牲层材料、胶保护等功能，其工艺过程简单、用料节省、成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101691200B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910196795.7
申请日：2009-09-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种非致冷红外探测器的低温真空封装结构及制作方法，其特征在于所述低温真空封装的结构包括1)一包含悬浮红外敏感元件的硅基底传感器芯片；2)一包含凹腔结构硅基底红外滤光片盖板；3)包含凹腔结构红外滤光片盖板通过真空圆片对准键合固定在硅基底传感器芯片上，两者组成一个完整的非致冷红外探测器。本发明的制作是利用圆片级低温对准键合技术将包含红外敏感元件的硅衬底圆片与包含红外滤光薄膜的硅衬底圆片进行低温真空键合，实现了探测器红外滤光片与探测器的红外敏感元件制作工艺的集成。不仅可以保护红外敏感元件免受外界的污染和破坏，还通过圆片对准键合对红外探测器的红外敏感元件进行真空封装，提高了红外探测器的性能。
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公开(公告)号：CN102530847A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210041259.1
申请日：2012-02-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种热绝缘微结构及制备方法，属于微机电系统领域。该热绝缘微结构的制备方法是通过在一SOI衬底顶层硅上光刻并刻蚀出与SOI衬底中绝缘埋层相接的环形沟槽，并在所述环形沟槽中填充一种不易被衬底腐蚀气体或等离子体所腐蚀的腐蚀终止材料，利用干法各向同性腐蚀技术将所述填充腐蚀终止材料的环形沟槽与SOI衬底绝缘埋层组成的腐蚀终止层所包围的区域去除，从而实现微结构体的释放和热绝缘。本发明在不增加工艺复杂度的条件下实现了对热绝缘结构下方的衬底腐蚀形貌的精确控制，从而也达到了对微结构的热绝缘性能的精确控制。同时，既利用了干法各向同性腐蚀技术的释放微结构成品率高的优点，又克服了其不易控制的缺点，具有较好的利用价值。
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公开(公告)号：CN102486972A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201110257242.5
申请日：2011-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种双通道射频MEMS开关及其制造方法，该双通道射频MEMS开关包括一具有多个引脚的基座，一设置在该基座上的衬底以及一设置在该衬底上的可动微机械结构。衬底上具有两个微波传输线及锚点，可动微机械结构是由折叠梁、直梁、上电极、连接梁及触点构成。本发明可利用左右两对独立的驱动电极对单个可动微机械结构驱动来实现对两个微波传输线进行各自独立的控制，组成多种传输模式。同时依靠利用折叠梁的扭转来实现开关断开与闭合、控制折叠梁的厚度及缩短驱动电极间距三种手段，能够使双通道射频MEMS开关的驱动电压低于5V。此外，本发明采用键合技术制作的单晶硅折叠梁，消除了因残余应力发生的翘曲现象，提高成品率。
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公开(公告)号：CN102376629A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010255550.X
申请日：2010-08-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种借助悬架光刻胶制作硅通孔互连的方法。其具体步骤为：首先在减薄或未减薄的硅片上刻蚀出通孔，再利用自组装方法在硅片上表面形成跨越通孔的悬架光刻胶膜并光刻形成悬架光刻胶对通孔一端的封口，溅射形成金属种子层后再去胶以形成通孔一端的悬架金属膜封口结构，之后进行铜电镀以填满通孔形成连通结构。该方法先刻蚀通孔后形成了平整的金属种子层表面结构，避免了表面平坦化后处理，工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102375332A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010258142.X
申请日：2010-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺，首先将自组装方法制作的光刻胶薄膜粘覆转移于存在沟槽或间隙的半导体材料表面形成平整的悬架光刻胶结构，曝光显影以选择性去除不需要部位的光刻胶膜并坚膜，之后在室温条件下在光刻胶表面沉积金属或其它半导体材料层以实现其结构的平坦化工艺，最后对沉积的材料层刻蚀形成结构和图形。该方法有别于传统的平坦化工艺，利用自组装的方法将平坦化和光刻工艺结合在了一起，方法简单、材料节约、成本低廉、对设备要求低。
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