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公开(公告)号：CN110451453A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910613814.5
申请日：2019-07-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种红外探测器的制备方法，包括如下步骤：选用半导体晶圆作为衬底；在衬底表面形成复合薄膜；在复合薄膜表面形成热电薄膜；在热电薄膜上形成沿对角线密排图形化的硼和磷重掺杂热电偶，其由硼重掺杂热电条和磷重掺杂热电条组成；使硼和磷重掺杂热电偶金属欧姆互连；以及将复合薄膜从衬底上释放，得到封闭膜式的密排热电偶的红外探测器。本发明还提供由上述的制备方法得到的红外探测器。本发明通过密排图形和硼/磷离子重掺杂，沿红外探测器对角线上依次形成平面或堆叠密排的热电偶，最后形成金属欧姆互连，实现密排热电偶的红外探测器的制备。
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公开(公告)号：CN106841629B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201510882994.9
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 北京正旦国际科技有限责任公司
IPC: G01N33/68
Abstract: 本发明涉及生物传感技术领域，特别是涉及一种基于硅纳米线的气味识别生物传感器。本发明采用硅纳米线作为换能器，其比表面积高，对表面电荷密度改变极为敏感，可实现气相条件下气味分子的高灵敏检测，检测灵敏度达到ppb量级；工艺过程简单，可控性强，可与现有半导体工艺完全兼容；成本较低，适于批量生产。
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公开(公告)号：CN110182754A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910412251.3
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种具有微纳结构增强的微加热器及其制备方法，包括步骤：提供半导体单晶衬底，在衬底表面制备薄膜掩膜，并刻蚀窗口阵列；采用湿法技术腐蚀衬底表面，在该表面形成微纳金字塔结构；移除薄膜掩膜，在衬底表面制备出薄膜，在微纳金字塔结构表面制备出微纳结构薄膜；采用金属沉积技术和金属薄膜图形化技术在微纳结构薄膜表面制备出微加热器电阻丝和电极；对薄膜进行图形化和薄膜刻蚀形成释放区域；以及采用干法刻蚀技术或湿法腐蚀技术释放微纳结构薄膜，即得。本发明采用微加工技术，通过薄膜的微纳结构改变其热传导特性，可以显著降低热量损耗，增强光辐射，为获得低功耗、热稳定性强的微加热器和强辐射的光源开辟了新道路。
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公开(公告)号：CN105448743B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201410395317.X
申请日：2014-08-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种二硫化钼场效应管的制作方法。包括：首先提供一包括已经掺杂的硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成金属电极填埋窗口；然后在顶绝缘层和金属电极填埋窗口上方沉积金属薄膜；接着利用减薄的方法将顶绝缘层上方金属薄膜去除，得到金属源极和金属漏极；同时可以保持金属电极填埋窗口上方剩余的金属薄膜与顶绝缘层在同一水平高度；在金属源极、金属漏极和顶绝缘层上方制作钝化层，并制作出外接电路窗口和二硫化钼窗口；最后将二硫化钼转移到二硫化钼窗口上，并与金属源极和金属漏极相连接。本发明工艺简单、与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，同时可以重复循环使用，在微电子领域和生化检测领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN108303122A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201710024581.6
申请日：2017-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 北京正旦国际科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种基于温度调节性能的石墨烯仿生光探测器及其制备方法，所述制备方法包括：1)提供石墨烯及微加热器平台，并将所述石墨烯转移至所述微加热器平台上；2)将步骤1)所得到的结构置于化学气相沉积反应炉中退火；3)于退火后的所述石墨烯表面通过试剂进行修饰，形成具有活性基团的活性薄膜；4)于所述活性薄膜表面形成光受体蛋白。本发明通过采用悬膜式的加热结构连接石墨烯，并在石墨烯表面修饰光受体蛋白，一方面采用光受体蛋白实现波长选择性，提高光吸收率；另一方面采用悬膜式加热结构，减少衬底对石墨烯性能的影响，更可以通过加热电压来调节工作温度，从而调节光生载流子迁移率和浓度，以提高光探测器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108011030A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711445344.3
申请日：2017-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种SiC热电堆型高温热流传感器及其制备方法，包括：硅衬底，具有第一表面和第二表面，在第一表面上设有沟槽以及由沟槽围绕形成的平台区域；复合介质膜，覆盖沟槽及平台区域；隔热腔体，设于硅衬底中，由第二表面向内凹入，位于平台区域的部分复合介质膜下方；P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块，位于平台区域位置的复合介质膜上，且局部位于隔热腔体上方；绝缘介质层，覆盖P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块以及复合介质膜；金属图层，形成于绝缘介质层上，包括电极及引线，将P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块连接形成热电堆。本发明采用具有优异高温性能的单晶SiC作为热电材料，可实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量。
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公开(公告)号：CN104045075B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201310080808.0
申请日：2013-03-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种利用化学气相沉积法制备硫掺杂石墨烯的方法，包括步骤：1）提供一金属衬底，将该金属衬底置于化学气相沉积反应腔中；2）采用惰性气体对所述反应腔进行通气及排气处理；3）于第一温度下对所述反应腔通入氢气，以对所述金属衬底表面的氧化物进行还原；4）于第二温度下将碳源气体与硫源气体通入所述反应炉进行反应，于所述金属衬底表面形成硫掺杂石墨烯；5）于氢气及惰性气体气氛中对所述反应腔进行降温。本发明可以简单高效的在金属衬底上制备硫掺杂石墨烯，经济成本低，可大规模生产大面积的硫掺杂石墨烯，可以实现对石墨烯进行可控掺杂并且便于后续器件制备的进行。
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公开(公告)号：CN106706710A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510764605.2
申请日：2015-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/00
CPC classification number: G01N27/00
Abstract: 本发明提供一种基于硫掺杂石墨烯的氮氧化物气体传感器及其制备方法，包括以下步骤：1）提供石墨烯及微加热器平台衬底，将石墨烯转移至微加热器平台衬底上；2）将表面覆盖有石墨烯的微加热器平台衬底置于化学气相沉积反应炉中；3）采用惰性气体对反应炉进行通气及排气处理；4）于第一温度下向反应炉内同时通入惰性气体及氢气；5）于第二温度下向反应炉内通入惰性气体、氢气及硫源气体进行反应，以对石墨烯进行硫掺杂；6）停止通入硫源气体，于氢气及惰性气体保护气氛中进行降温。本发明的制备方法可采用圆片级衬底，实现圆片级制备，达到批量制造的水平，大大降低生产成本；制备的气体传感器对氮氧化物气体分子具有较高的灵敏度和选择性。
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公开(公告)号：CN106449417A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611152254.0
申请日：2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/10 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/7624 , H01L29/1075 , H01L29/66045
Abstract: 本发明提供一种圆片级制备硅纳米线阵列场效应管的方法，所述方法包括：提供(111)型SOI硅片，包括底层硅、氧化层及顶层硅；并在顶层硅表面形成氮化硅掩膜层，而后通过半导体工艺在(111)型SOI硅片上制备出硅纳米线阵列，再将硅纳米线阵列中每条硅纳米线表面的氮化硅掩膜层作为栅介质层，并在其上制作栅极，同时在硅纳米线阵列两端制作源、漏极，并通过隔离沟道将源、漏极进行物理隔离，最终形成硅纳米线阵列场效应管。通过本发明提供的圆片级制备硅纳米线阵列场效应管的方法及其结构，解决了现有技术中基于硅片制备硅纳米线阵列时无法实现高可控性及高一致性的问题。
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公开(公告)号：CN103928295B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310015048.5
申请日：2013-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种将石墨烯转移到柔性衬底上的方法。该方法包括如下步骤：在附着石墨烯的原衬底上涂胶并烘干使胶固化成为柔性衬底；将固化的柔性衬底与硬质衬底进行键合；采用化学腐蚀液腐蚀原衬底；用去离子水反复清洗石墨烯/柔性衬底/硬质衬底结合体并吹干；将柔性衬底与石墨烯直接从硬质衬底上剥离，得到所需的附着在柔性衬底上的石墨烯。该方法操作简单，成本低，适用范围广，转移过程中石墨烯材料不容易被破坏，可以高效、稳定地将石墨烯转移到柔性衬底上，可与半导体工艺结合用于制备石墨烯柔性电子器件。
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