公开(公告)号：CN117706312A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311436497.7

申请日：2023-10-31

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网重庆市电力公司营销服务中心 ,  国家电网有限公司

Inventor： 黄凯 ,  付振 ,  张泉 ,  肖超 ,  尹强 ,  王勇 ,  要文波 ,  刘型志

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种功率模块的循环试验装置及系统，属于半导体功率模块检测领域，该装置包括：控制装置，用于基于用户的触发指令生成升/降温控制信号；至少一个循环试验模块，每一循环试验模块包括：温度传感器，用于检测功率模块的温度，并输出模块温度信号；温控器，用于根据模块温度信号和升/降温控制信号，生成调温控制指令，并将调温控制指令发送至冷热板模块；冷热板模块，用于根据调温控制指令调节冷热板模块，使得设置在所述冷热板模块上的功率模块实现多个升/降温的温度循环。通过本发明提供的装置，能够准确控制升/降温度，使得试验温度达到试验要求，准确检测功率模块的可靠性。

公开(公告)号：CN117317025B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311589953.1

申请日：2023-11-27

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  中国科学院半导体研究所 ,  国网重庆市电力公司营销服务中心 ,  国家电网有限公司

Inventor： 付振 ,  陈燕宁 ,  张泉 ,  尹强 ,  杨毓龙 ,  张文敏 ,  申占伟 ,  岳世忠 ,  朱晓钢 ,  要文波 ,  刘型志

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

公开(公告)号：CN116805864A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310612009.7

申请日：2023-05-26

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  西安电子科技大学

Inventor： 赵东艳 ,  王帅鹏 ,  李振荣 ,  付振 ,  黄海潮 ,  李文彬

IPC: H03H11/04 ,  H03H11/34

Abstract: 本发明实施例提供一种低通滤波器及设备，属于滤波器技术领域。所述低通滤波器，包括：第一滤波网络，其输入端接入待处理信号，用于提供针对该待处理信号的低通截止频率和可调增益以进行信号滤波，并输出第一滤波信号；以及第二滤波网络，其输入端接入所述第一滤波信号，用于滤除该第一滤波信号中的杂波，并输出第二滤波信号。本发明实施例通过第一滤波网络进行了低通截止频率和可调增益的设计，有助于适应场景来降低滤波器功耗，通过第二滤波网络进行杂波滤除，有助于进一步降低滤波器功耗，且改善了信号的线性度。

公开(公告)号：CN116743141A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310560064.6

申请日：2023-05-17

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院 ,  国网山西省电力公司 ,  国家电网有限公司

Inventor： 邵亚利 ,  解尧明 ,  沈美根 ,  刘芳 ,  付振 ,  赵扬 ,  李东镁 ,  梁英宗 ,  邵瑾 ,  孟庆萌 ,  常泽洲

IPC: H03K17/567

Abstract: 本发明涉及电子信息领域，公开了一种IGBT的控制装置和控制方法、芯片及电路，该控制装置包括：电压采样模块，用于采集所述IGBT的集电极电压；电流采样模块，用于采集所述IGBT的输出电流；以及控制模块，用于：比较输入控制信号和预设控制信号阈值；以及基于比较结果，根据所述电流采样模块采集的所述输出电流或所述电压采集模块采集的所述集电极电压和所述输入控制信号确定输入至所述IGBT的栅极的输入电压。藉此，实现了对IGBT的栅极进行控制。

公开(公告)号：CN116597885A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310501016.X

申请日：2023-05-05

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 符艳军 ,  潘成 ,  付振 ,  王帅鹏 ,  马媛

IPC: G11C29/12

Abstract: 本发明提供一种NOR Flash阵列可靠性测试装置、设备及方法，属于芯片测试技术领域。该装置包括：处理单元，与NOR Flash模拟单元和逻辑运算单元连接，用于产生测试信号，并将测试信号传输到待测NOR Flash芯片阵列和NOR Flash模拟单元；用于对逻辑运算结果信号与目标结果信号进行比较，判断测试是否通过；逻辑运算单元与NOR Flash模拟单元连接，用于接收待测NOR Flash芯片阵列产生的输出信号阵列进行逻辑运算，并根据第一输出信号输出逻辑运算结果信号到处理单元；NOR Flash模拟单元用于模拟NOR Flash芯片根据测试信号产生第一输出信号并传输到逻辑运算单元。

公开(公告)号：CN115308558B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211039166.5

申请日：2022-08-29

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国家电网有限公司

Inventor： 赵东艳 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  张东嵘 ,  鹿祥宾 ,  付振 ,  刘芳

IPC: G01R31/26 ,  G06F18/214 ,  G06F18/241 ,  G06N3/0442 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/045

Abstract: 本公开实施例公开了一种CMOS器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质。其中CMOS器件寿命预测方法包括：获取CMOS器件在加速应力试验下电参数的时间序列样本数据集，所述时间序列样本数据集包括表征所述CMOS器件寿命的电参数退化量的时间序列样本数据；基于所述时间序列样本数据集得到训练集；用所述训练集训练时序模型，获得寿命预测模型；用所述寿命预测模型预测所述CMOS器件的失效时间。上述技术方案减少了现有技术中因对CMOS器件进行完整的加速应力试验以确定其使用寿命的时间成本，提高了产品质检效率，缩短了CMOS器件的生产周期，解决了CMOS器件生产效率低的问题。

公开(公告)号：CN114818393B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202210740098.9

申请日：2022-06-28

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

Inventor： 赵东艳 ,  王于波 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  鹿祥宾 ,  张东嵘 ,  付振 ,  刘芳 ,  闫振华 ,  张庆平 ,  夏绪卫

IPC: G06F30/20 ,  G01R31/26 ,  G06F119/04

Abstract: 本公开实施例公开了一种半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质。本公开实施例提供的半导体器件失效时刻预测方法，包括：获取所述半导体器件的静态参数的第一阶段测试数据，其中，所述测试数据为时间序列数据；基于所述第一阶段测试数据和预先构建的差分整合移动平均自回归ARIMA模型得到所述半导体器件的第二阶段预测数据；基于所述半导体器件的第二阶段预测数据确定所述半导体器件的失效时刻。本公开实施例的技术方案解决了现有的HCI测试耗时过长，无法满足工业生产过程中产品数量大、工期紧的需求的技术问题，大幅缩短了半导体器件失效时刻的获取时长，降低了测试成本，提高了测试效率。

公开(公告)号：CN115939197A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202310061014.3

申请日：2023-01-19

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

Inventor： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  刘春颖 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  鹿祥宾 ,  李君建

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件。LDMOSFET器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区；在漂移区形成沟槽；在沟槽的侧壁形成氮化硅侧墙；在具有氮化硅侧墙的沟槽内填充隔离介质形成填充沟槽；去除填充沟槽内的氮化硅侧墙形成空气侧墙；在具有空气侧墙的填充沟槽表面覆盖氧化层，形成具有封闭的空气侧墙的场板隔离结构；在场板隔离结构上形成栅极和场板。本发明通过空气侧墙将场板隔离结构中的氧化物与漂移区的硅从侧面隔离开，彻底消除隔离结构侧面、上角处和下角处的二氧化硅与硅之间的界面态，提高LDMOSFET器件的可靠性；具有空气侧墙的场板隔离结构可以更好的降低表面电场，提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN115881778A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202310056870.X

申请日：2023-01-19

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

Inventor： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  张东 ,  安铁雷 ,  连亚军 ,  朱亚星

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；漂移延伸区，形成于漂移区的上表面，漂移延伸区包括第一延伸层和层叠设置于第一延伸层之上的第二延伸层，第一延伸层与第二延伸层具有不同的导电类型，第一延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于漂移延伸区的两侧；栅极，形成于体区上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够改善晶体管的自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。

公开(公告)号：CN115224113B

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211124222.5

申请日：2022-09-15

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 赵东艳 ,  肖超 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  董广智 ,  付振 ,  刘芳 ,  张泉 ,  尹强 ,  田俊 ,  杨毓龙

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法，属于芯片领域。该横向超结器件包括：P型衬底、P柱、N柱、栅极结构、源极结构和漏极结构；栅极结构包括多晶硅栅，多晶硅栅与漏极结构之间设置有场氧化层；场氧化层上方还设置有多晶硅场板，多晶硅场板上方设置有金属场板；多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，金属场板包括多段金属微场板，多段金属微场板对应设置在多段多晶硅微场板上方，首级金属微场板通过接触孔与多晶硅栅相连，后一级金属微场板通过接触孔与前一级多晶硅微场板相连，末级金属微场板通过接触孔与漏极结构相连。横向超结器件中的电容耦合结构能减弱表面电荷对横向超结器件电场的影响。