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公开(公告)号：CN1298027C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN02800918.5
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3244
Abstract: 一种微波等离子体处理装置，为了使阻抗变化缓和，通过在微波供给波导管和微波天线之间设置锥面或具有中间介电常数的部件，可抑制微波供给波导管与微波天线的连接部中的反射波的形成，提高供电效率，抑制放电，在等离子体处理装置中稳定形成等离子体。
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公开(公告)号：CN1297473C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN03136649.X
申请日：2003-05-22
IPC: C01B23/00
CPC classification number: C01B21/0466 , B01D53/04 , B01D53/26 , B01D53/75 , B01D53/86 , B01D2253/108 , B01D2257/80 , C01B5/00 , C01B21/0416 , C01B21/0422 , C01B23/0021 , C01B23/0026 , C01B2210/0035 , C01B2210/0037 , C01B2210/0053 , C01B2210/0075 , Y02C20/10
Abstract: 一种气体精制方法及装置，能够有效率的除去使用氪气或氙气的各种过程的排放气体中所含有的不纯物，而且可以实现在半导体制造装置附近设置能够将排气中的稀有气体连续的分离、回收再利用的小型系统。此方法是为从以稀有气体与氮气作为主成分，且含有以氢气、氮与氢所组成的反应生成物、水蒸气作为微量不纯物的气体混和物中除去上述微量不纯物的气体精制方法，包括能够除去由氮与氢所形成的反应生成物与水蒸气的吸附过程、使氢气在氧气存在下经由氢气氧化触媒反应而能够转换成水蒸气的氢气氧化过程以及除去在氢气氧化过程中所生成的水蒸气的干燥过程，而且，在含有作为微量不纯物的氮氧化物的情况下，在吸附过程的前段，进行使氮氧化物在还原物质存在下经由脱氮触媒反应而能够转换成氮气与水蒸气的脱氮过程。
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公开(公告)号：CN1875467A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200480032469.8
申请日：2004-11-02
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/4411 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: 本发明以提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制该处理气体供给部的温度升高为课题。为此，在本发明中使用的等离子体处理装置，具备：具有保持被处理基板的保持台的处理容器；在前述处理容器上按照与被处理基板相对的方式设置的微波天线；在前述保持台上的被处理基板和前述微波天线之间，按照与前述被处理基板相对的方式设置的处理气体供给部，其特征在于，前述处理气体供给部具有使形成在前述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部；可以与处理气体源相连接的处理气体通路；与前述处理气体通路相连通的多个第2开口部；冷却该处理气体供给部的冷却媒体所流动的冷却媒体通路，前述冷却媒体包含冷却气体和雾。
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公开(公告)号：CN1285896C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN02808689.9
申请日：2002-11-22
Applicant: 株式会社富士金 , 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
CPC classification number: G05D7/0635 , G01D3/022 , G01F1/50 , G01F15/046 , G01L9/025
Abstract: 一种压力传感器、压力控制装置及流量控制装置，可以自动地修正压力传感器的温度漂移，且即使温度变动，仍可正确地检测出压力。本发明的压力式流量控制装置的温度漂移修正装置是在压力式流量控制装置上使用，该压力式流量控制装置在节流装置(4)与控制阀(22)之间设有检测上游侧压力(P1)用的上游侧压力传感器(10)，在根据上游侧压力(P1)运算通过节流装置(4)的流量的同时，还通过控制阀(22)的开闭来控制通过节流装置(4)的流量，该压力式流量控制装置的温度漂移修正装置由测定流体温度的温度传感器(14)、存储流体温度(T)与上游侧压力传感器(10)的输出漂移的关系的存储机构(64)、以及温度漂移修正机构构成，其中，温度漂移修正机构是在流体温度(T)发生变化的情况下，根据存储机构(64)的数据运算上游侧压力传感器(10)的输出漂移量，根据该运算的输出漂移量消除上游侧压力传感器(10)的输出漂移，从而修正温度漂移。利用该结构，可自动地修正压力传感器的温度漂移，进行正确的流量控制。
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公开(公告)号：CN1864112A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480029178.3
申请日：2004-09-14
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D16/208 , Y10T137/7761 , Y10T137/8741 , Y10T137/87507
Abstract: 本发明提供一种腔室内压控制装置，通过防止流量的控制精度在小流量范围大幅下降，并在整个流量控制范围可以进行高精度的流量控制，来调节向腔室供给的气体流量并在较大压力范围高精度控制腔室内压。具体来说，向腔室供给气体的装置，由并列状连接的多台压力式流量控制装置，和控制多台压力式流量控制装置的动作的控制装置形成，一边控制流量一边向由真空泵排气的腔室供给所希望的气体，其中，把一台压力式流量控制装置作为控制向腔室供给的最大流量的至多10％的气体流量范围的装置，把其余的压力式流量控制装置作为控制其余的气体流量范围的装置，进而在腔室上设置压力检测器并且向控制装置输入该压力检测器的检测值，调节向压力式流量控制装置的控制信号来控制向腔室的气体供给量，由此来控制腔室内压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1829830A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480021852.3
申请日：2004-07-07
IPC: C30B29/36 , H01L21/304 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02052 , C30B29/36 , H01L21/3148 , H01L29/1608 , Y10T428/31
Abstract: 本发明涉及特征为：具备具有1×1011(原子/cm2)或1×1011(原子/cm2)以下的金属杂质浓度的表面的碳化硅制品、其制造方法以及碳化硅制品的洗净方法。具有这样的高纯净度的表面的碳化硅是通过使用氢氟酸、盐酸、或含有硫酸和过氧化氢水的水溶液洗净得到的。按照本发明，可以得到具有高纯净度的碳化硅，其结果可以得到不必考虑由于杂质引起的特性劣化等的半导体装置。另外，在本发明中，在使用于半导体制造用部件等时，还具有可以防止由于杂质的飞散给被处理物带来不良影响等的优点。
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公开(公告)号：CN1267576C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN01143879.7
申请日：2001-12-14
IPC: C23C16/00 , C23C16/513 , H01L21/205
CPC classification number: C23F4/00 , H01L21/32136
Abstract: 按照一种等离子体处理方法，送入处理腔体(1)内的处理气体产生等离子体并且借助等离子体对处理腔体(1)内放置的衬底(8)进行处理。衬底(8)包括至少两种类型被等离子体刻蚀的堆叠薄膜(21，22)，并且根据被刻蚀的薄膜类型，改变等离子体产生期间内的处理气体。因此可以缩短除主等离子体处理以外的任何过程所需时间从而可以缩短整个等离子体处理的总计时间以改善处理速度。
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公开(公告)号：CN1806385A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016313.0
申请日：2004-06-11
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社 , 大见忠弘
CPC classification number: H01L21/82385 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/785 , H03F1/26 , H03F2200/372 , H03G1/0029 , H03G1/007
Abstract: 一种低噪声放大器，其具有用于将噪声抑制在低电平并放大输入信号的MIS晶体管。MIS晶体管包括：半导体衬底，其具有作为主表面的第一晶体表面；半导体结构，其是作为半导体衬底的一部分形成；以及相同导电型扩散区。半导体结构具有：一对侧壁面，其是由不同于第一晶体表面的第二晶体表面限定；顶面，其是由不同于第二晶体表面的第三晶体表面限定；栅极绝缘膜，其以均匀的厚度覆盖主表面、侧壁面和顶面；以及栅电极，其使用插入的栅极绝缘膜连续覆盖主表面、侧壁面和顶面。使用插入的栅极绝缘膜在一端和另一端上形成扩散区，并且沿主表面、侧壁面和顶面连续扩展该扩散区。这种结构急剧降低了低噪声放大器输出信号的1/f噪声和信号失真，从而不需要用于补偿降低的电路，并减小了尺寸。
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公开(公告)号：CN1806333A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016314.5
申请日：2004-06-11
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L27/092 , H03D7/14 , H04B1/30 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1033 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L29/045 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D2200/0033 , H03D2200/0047
Abstract: 利用CMOS晶体管(800)配置混频电路，CMOS晶体管包括p沟道MOS晶体管(840A)和n沟道MOS晶体管(840B)，每个晶体管包括具有至少两个晶面的半导体衬底(810A，810)，并且还包括形成在半导体衬底上的至少两个晶面上的栅绝缘层(820A)，其中沿栅绝缘层形成在半导体衬底中的沟道的沟道宽度由分别在所述至少两个晶面上形成的沟道的各个沟道宽度的总和表示。这种配置能够降低由于晶体管元件的电气特性变化引起的晶体管元件中出现的1/f的噪声、输出信号中出现的DC偏置、以及由于沟道长度调制效应引起的信号畸变。
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公开(公告)号：CN1806330A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016259.X
申请日：2004-06-11
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L27/092 , H03G11/00 , H03K5/00 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H03G1/0029 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H01L29/66795 , H03G1/0023 , H03G7/00 , H03K5/08
Abstract: 在硅衬底上形成高度为HB、宽度为WB的矩形平行六面体突出部分(21)，并且在该突出部分(21)的上壁表面及侧壁表面部分上形成栅极氧化膜。在栅电极(26)的两个对边上形成源极和漏极，从而形成MOS晶体管。包括MOS晶体管(61，62)的差动放大器电路用于配置限幅电路。以这种方式，限幅电路可表现出更大的增益。
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