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公开(公告)号：CN111766438A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010735256.2
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明提供了一种瞬态电流测试系统及其测试方法，涉及电路测试领域。本发明所述的瞬态电流测试系统，包括能量注入模块、SET感应模块和采样模块，所述能量注入模块与所述SET感应模块连接，所述采样模块与所述SET感应模块连接；所述能量注入模块用于将被测电流导入所述SET感应模块；所述SET感应模块用于基于所述被测电流产生SET波形；所述采样模块用于对所述SET波形采样。本发明所述的技术方案，通过将具有危害性的SET信号应用在波形展宽，捕获皮秒级信号，从而实现皮秒级脉冲测试。
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公开(公告)号：CN108254668B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201810134762.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种分析电子元器件电离辐射损伤机制过程中加速界面态缺陷形成的方法，涉及一种加速界面态缺陷形成的方法。目的是解决SiO2作为绝缘材料和钝化层的电子元器件的电离辐射损伤机制分析过程中，辐射诱导的氧化物俘获正电荷和界面态缺陷同时产生影响损伤机制分析的问题。方法：计算单位注量入射粒子的电离/位移吸收剂量和入射深度，根据电离和位移吸收剂量的比例关系，设定入射粒子的剂量率，进行先高后低的顺序辐照。该方法达到了加速界面态缺陷形成，将氧化物俘获正电荷和界面态缺陷的形成的过程分开，实现对氧化物俘获正电荷或界面态缺陷对电子器件辐射损伤性能的影响实现分开研究。本发明适用于电子元器件电离辐射损伤机制的分析。
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公开(公告)号：CN106353344B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201610911408.3
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/00
Abstract: 双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法，属于双极型器件辐射损伤缺陷辨别技术领域。所述方法包括：利用深能级瞬态谱仪对双极型器件的敏感区进行测试，在测试过程中，通过单一改变反偏电压、填充电压、测试周期或脉冲宽度，获取温度扫描测试曲线，根据温度扫描测试曲线中的信号峰，确定该双极型器件为位移缺陷或电离缺陷。在电离辐射损伤条件下，针对器件的各个敏感区进行深能级瞬态谱仪DLTS测试，利用本发明的方法在DLTS测试过程中可准确辨别位移缺陷及电离缺陷，并能定量分析测试氧化物电荷和界面态，大大减少测量双极晶体管氧化物俘获正电荷与界面态的难度。
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公开(公告)号：CN108335770B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201810130004.X
申请日：2018-02-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G21F1/02 , G21F1/08 , G21F1/10 , G21F1/12 , G21F3/00 , H01B1/02 , H01B1/04 , H01L23/373 , H01L23/48 , B82Y30/00
Abstract: 一种多功能的梯度结构柔性防护薄膜，它涉及空间环境中电子器件防护领域，特别是一种抗空间带电粒子辐射以及具有优异导电导热性能的纳米薄膜防护金属膜柔性聚合物多层梯度结构功能防护材料。本发明是要解决现有抗空间辐射防护材料存在质量重、非柔性、成本高及易于产生二次粒子的问题。多功能的梯度结构柔性防护薄膜为三层结构，所述三层结构分别为纳米管薄膜、微纳米单质层和柔性聚合物；所述纳米管薄膜为石墨烯薄膜、氮化硼纳米管或碳纳米管薄膜；微纳米单质层中所述单质为铝、镍、钛、铜或银；所述柔性聚合物为低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超高分子量聚乙烯或微纳米粒子掺杂聚合物。本发明用于电子器件防护。
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公开(公告)号：CN109557442A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811404082.0
申请日：2018-11-23
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国空间技术研究院 , 锦州七七七微电子有限责任公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种线性电路辐射缺陷提取方法，其包括：步骤100，对线性电路进行分析，确定待分离的分立器件；步骤200，对待分离的所述分立器件进行切割分离；步骤300，测试分离后的所述分立器件电性能，进行筛选；步骤400，从筛选后的所述分立器件中引出电极；步骤500，通过引出的所述电极对所述分立器件进行缺陷测试。本发明所述的线性电路辐射缺陷提取方法，通过切割筛选的方式，对线性电路中的分立器件进行分离，并引出电极，从而可以对线性电路中的分立器件独立地进行缺陷测试，从而丰富现有的低剂量率增强效应的研究，达到更好的研究效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108346575A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810136610.2
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/324 , H01L21/66
Abstract: 本发明涉及电离辐射缺陷的形成及演化机制，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明是为了解决现有的技术中对于降低低剂量率辐射损伤增强效应缺乏有效手段的缺点而提出的，包括：将晶体管放入密闭容器中，并抽真空或填充保护性气体；所述晶体管为双极晶体管；使用电炉对晶体管进行加热，并进行保温；保温结束后，将晶体管降温至室温。本发明适用于航天器舱内电子系统中的元器件的抗辐射处理。
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公开(公告)号：CN108345023A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810135793.6
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/02
CPC classification number: G01T1/02
Abstract: 本发明提供基于吸收剂量深度分布计算辐射敏感部位电离吸收剂量的方法，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明首先选取一种已知一维电离吸收剂量深度分布的材料，并将其吸收剂量深度分布转化为吸收剂量随等效厚度的分布；对辐射敏感部位所处的结构进行区域划分，确定各区域材料种类、材料厚度以及辐射敏感部位与区域连线的最大角度；然后将各个区域的材料的厚度转化为等效厚度，确定各个等效厚度的吸收剂量和单向吸收剂量，最终计算得到结构中敏感部位的电离吸收剂量。本发明解决了现有技术辐射敏感部位电离吸收剂量计算复杂、耗时长的问题。本发明可用于快速评估航天器等复杂结构的电离吸收剂量。
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公开(公告)号：CN108335984A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810135795.5
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 一种判断电子器件费米能级发生钉扎效应的方法，涉及一种电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法。本发明为了解决目前还没有一种针对粒子辐射环境用电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法的问题。本发明首先利用软件计算辐照粒子在芯片材料中单个辐照粒子产生的空位数量，确定辐照粒子种类和能量，然后选择不同辐照注量进行辐照试验，辐照注量点不少于3个并对辐照后器件进行深能级瞬态谱测试；对比按照不同辐照注量的DLTS结果曲线，分别比较深能级缺陷和浅能级缺陷对应的信号峰，如果随着辐照注量的增大，深能级缺陷浓度升高且浅能级缺陷浓度降低，则器件材料发生了费米能级的钉扎效应。本发明适用于电子器件发生费米能级钉扎效应的确定。
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公开(公告)号：CN108334707A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810136619.3
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种单粒子辐照碳化硅功率MOSFETs安全边界性能退化的分析方法，涉及一种碳化硅功率器件安全边界性能的确定方法。为了解决目前无法准确获得SiC型功率器件单粒子辐照的安全边界的问题。本发明首先采用地面单粒子辐照碳化硅功率器件，获得器件发生单粒子烧毁或栅穿效应的试验数据；将每对试验数据值在反向偏置电压-电参性能数值坐标系中描出来，并标记出发生单粒子烧毁或栅穿效应时所对应的最小反向偏置电压及其电参数值对应的点，以及在未发生单粒子烧毁或栅穿效应时所对应的最大反向偏置电压及其电参数值对应的点，从而确定电荷收集区、电参数值增大区和器件击穿烧毁区。本发明用于碳化硅功率器件安全边界性能的确定。
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公开(公告)号：CN103887155B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410135934.6
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/331
Abstract: 一种基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固方法，属于电子技术领域。适应了对位移辐射损伤小、双极型器件抗辐照能力强的双极型器件的需求。本发明利用双极型器件的结构参数，采用SRIM软件模拟获得注入双极型器件的离子的能量和射程信息；采用TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化，改变双极型器件的离子注入量，使TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化量小于未注入离子时双极型器件电流增益的10%，记录离子注入量；并根据注入双极型器件的离子的能量、射程信息和离子注入量设置离子注入机的电压、电流和注入时间，最后进行退火处理，实现双极型器件抗位移辐照加固。本发明适用于对双极型器件进行抗位移辐照加固。
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