公开(公告)号：CN100504697C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200480002284.2

申请日：2004-01-16

Applicant: 株式会社富士金 ,  东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  杉山一彦 ,  水泽兼悦 ,  高桥荣治 ,  宇野富雄 ,  西野功二 ,  土肥亮介 ,  池田信一 ,  永濑正明

IPC: G05D7/06

CPC classification number: H01L21/67023 ,  G05D7/0635 ,  Y10T137/6416 ,  Y10T137/6606 ,  Y10T137/7761

Abstract: 本发明使得能够使用压力式流量控制装置，在3～300SCCM左右的流量范围内，对供给真空腔室等的HF气体等簇化流体高精度地进行流量控制。具体地说，使用压力式流量控制装置的簇化流体的流量控制方法是下述方法，即在节流孔上游侧的气体的压力P1与节流孔下游侧的气体的压力P2之比P2/P1保持在气体的临界压力比以下的状态下，在节流孔中流通的气体的流量Q按照Q＝KP1(其中，K为常数)进行运算，其中，将前述压力式流量控制装置加温到40℃以上，或者向簇化流体中添加稀释气体使之达到分压以下，从而使得缔合的分子离解，之后使得变成了单分子状态的簇化流体通过所述节流孔流通。

公开(公告)号：CN100483620C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200710003265.7

申请日：2002-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H05H1/26 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 在微波等离子体处理装置中，通过使正对被处理基片的喷盘或等离子体透过窗的、正对所述被处理基片的一侧成凹面状，从而，与所述被处理基片表面一致的平面和所述内表面之间的间隔沿着所述微波透过窗的径向向外呈多阶梯形地减小，由此来补偿被处理基片周围部分中的等离子体密度的降低。其结果，即使在进行蚀刻等低压下的等离子体处理时，也能在被处理基片表面附近维持稳定均匀的等离子体。此外，通过所述结构，还可以促进等离子体的点火。

公开(公告)号：CN100475315C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN02824130.4

申请日：2002-12-04

Applicant: 日本酸素株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  石原良夫 ,  中村章宽

IPC: B01D53/68 ,  B01D53/46 ,  C01B23/00 ,  H01L21/31

CPC classification number: C01B23/0052 ,  B01D53/46 ,  B01D53/68 ,  B01D53/70 ,  B01D53/74 ,  B01D2257/11 ,  B01D2257/2066 ,  C01B23/001 ,  C01B2210/0029 ,  C01B2210/0035 ,  C01B2210/0042 ,  Y02P20/154

Abstract: 本发明提供了一种在不受废气流量变化以及组成变化影响的条件下，有效地分离精制废气中的有用气体组分并再次供给、而且可以有效地补充所消耗的组分的供气方法及其装置。在回收气体使用设备中排出的废气，分离精制该废气中所含的有用气体组分，将得到的有用气体组分供给到上述气体使用设备中的供气方法中，在从上述气体使用设备中排出的废气中，添加与上述有用气体组分相同组分的补充气体后分离精制有用气体组分。

公开(公告)号：CN100454499C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200480015408.0

申请日：2004-05-31

Applicant: 大见忠弘 ,  东京威力科创股份有限公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/82385 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在具有多个结晶面的立体构造的硅基板表面，使用等离子体形成栅极绝缘膜。等离子体栅极绝缘膜，即使在多个结晶面中与Si(100)结晶面相比仍不会增加界面水平，且立体构造的角部中也具有均匀的膜厚。由此，通过由等离子体形成高品质的栅极绝缘膜，能够得到特性良好的半导体装置。

公开(公告)号：CN101273671A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200580051671.X

申请日：2005-09-26

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/00

Abstract: 本发明能够尽量抑制高价氪、氙气的消耗量，同时降低等离子处理时对被处理物的损伤。在利用稀有气体进行的基板的等离子处理中，使用2种以上的不同的稀有气体，稀有气体之一采用廉价的氩气，其以外的气体采用与电子的碰撞截面积大于氩气的氪、氙的一种或两种，能够尽量抑制高价氪、氙气的消耗量，同时降低等离子处理时对被处理物的损伤。

公开(公告)号：CN100385162C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200580002923.X

申请日：2005-01-13

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  皆见幸男 ,  坪田宪士 ,  筱原努 ,  山路道雄 ,  池田信一 ,  森本明弘 ,  川田幸司 ,  成相敏朗

IPC: F16K51/00

CPC classification number: F16K51/02 ,  Y10T137/6606 ,  Y10T137/7043 ,  Y10T137/7062

Abstract: 本发明提供一种在气体供给系和气体排放系中可在高温状态下使用并且因具有优异的绝热性能而能够大大提高小型化、紧凑化程度的真空绝热阀。在由具有阀本体和执行器的阀以及容纳该阀的真空绝热箱形成的真空绝热阀中，所述真空绝热箱(S)由在其侧面具有真空绝热配管接口(J)并且上面敞口的方形的下部真空箱壳(S5)、以及从上方呈气密状态嵌合在该下部真空箱壳(S5)上并且下面敞口的上部真空箱壳(S4)形成。

公开(公告)号：CN100376829C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200480004466.3

申请日：2004-02-09

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  池田信一 ,  山路道雄 ,  北野真史 ,  森本明弘

IPC: F16K7/12 ,  F16K27/00

CPC classification number: F16K7/16 ,  F16K51/02

Abstract: 本发明提供一种适用于半导体制造装置的真空排气系统用的隔膜阀，可以防止由气体的热分解所产生的生成物的堆积附着所带来的部件的腐蚀、或由生成物而带来堵塞或泄漏的发生，进而，可以实现真空排气系统的设备的小型化、随之可降低成本，而且，可以相应地进行用于缩短真空排气时间的真空排气系统的配管的小口径化。具体来说，真空排气系统用的隔膜阀(1)具有阀体(2)、隔膜(3)和驱动机构(4)，所述阀体(2)具有流入通路(6)、流出通路(7)和形成于其间的阀座(8)，所述隔膜(3)设于阀体(2)上并可接触或离开阀座(8)，所述驱动机构(4)设于阀体(2)上并可使隔膜(3)与阀座(8)接触或离开阀座(8)，在上述阀体(2)和隔膜(3)的流体接触部分(25)上涂覆规定厚度的合成树脂覆膜(5)。

公开(公告)号：CN101126463A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710142236.9

申请日：2003-12-18

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  池田信一 ,  西野功二 ,  永濑正明 ,  土肥亮介 ,  西村龙太郎

IPC: F16K7/17 ,  G05B13/00 ,  G05D16/02

CPC classification number: F16K47/02 ,  F16K47/023 ,  F16L55/043 ,  Y10T137/0324 ,  Y10T137/0379 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/86389 ,  Y10T137/86461

Abstract: 通过极为简单的装置及操作，不会发生水击、而且在短时间内，可以将流体通路紧急关闭。为此，由以下部分构成无水击关闭装置：加装在流体通路上的致动器动作式阀；向致动器动作式阀供应两级阶梯状的致动器动作压力Pa的电－气变换装置；可自由拆装地固定到前述致动器动作式阀的上游侧管路上的振动传感器；输入由振动传感器检测出来的振动检测信号Pr、并且向电－气变换装置输出控制前述两级阶梯状的致动器动作压力Pa的阶梯动作压力Ps′的大小的控制信号Sc，通过该控制信号Sc的调整、从电－气变换装置输出振动检测信号Pr基本上成为零的阶梯动作压力Ps′的两级阶梯状的致动器压力Pa的调整箱。

公开(公告)号：CN1311531C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN02807489.0

申请日：2002-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  B01J19/08 ,  C23C16/511 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32339

Abstract: 在微波等离子体处理装置(10)中设置促进利用微波进行等离子体点火的等离子体点火促进部件。等离子体点火促进部件具有产生真空紫外线的重氢灯(30)，以及，使真空紫外线透过并将之导入等离子体激发用空间(26)内的透过窗(32)。透过窗(32)构成为凸透镜结构，通过聚焦真空紫外线来促进等离子体激发气体的电离。通过所述结构，可以容易且快速地进行等离子体点火。

公开(公告)号：CN1938447A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580009990.4

申请日：2005-03-29

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  C23C16/448 ,  H05B33/10 ,  H05B33/28

CPC classification number: C23C14/541 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/243 ,  C23C14/564 ,  F28D2021/0077 ,  F28F9/026 ,  F28F13/08

Abstract: 以提供成膜速度快，使均匀成膜成为可能，能够节省原料的成膜装置和成膜方法为目的，使蒸发的成膜材料通过输运气体的气体流动到达基板表面，可以通过气体的气体流动控制成膜条件，能够将均匀的膜堆积在大面积的基板上。即、通过将气化的原料引导向基板而提高成膜速度，可以均匀成膜。