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公开(公告)号：CN108303122B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201710024581.6
申请日：2017-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 北京正旦国际科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种基于温度调节性能的石墨烯仿生光探测器及其制备方法，所述制备方法包括：1)提供石墨烯及微加热器平台，并将所述石墨烯转移至所述微加热器平台上；2)将步骤1)所得到的的结构置于化学气相沉积反应炉中退火；3)于退火后的所述石墨烯表面通过试剂进行修饰，形成具有活性基团的活性薄膜；4)于所述活性薄膜表面形成光受体蛋白。本发明通过采用悬膜式的加热结构连接石墨烯，并在石墨烯表面修饰光受体蛋白，一方面采用光受体蛋白实现波长选择性，提高光吸收率；另一方面采用悬膜式加热结构，减少衬底对石墨烯性能的影响，更可以通过加热电压来调节工作温度，从而调节光生载流子迁移率和浓度，以提高光探测器件的性能。
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公开(公告)号：CN116593532A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310602055.9
申请日：2023-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/00 , C12Q1/6806
Abstract: 本发明提供一种硅纳米线传感器的饱和电流响应标定测试方法，利用硅纳米线传感器的电流响应饱和值对标准溶液的电流响应值进行归一化处理，建立硅纳米线传感器对含有目标物溶液的响应标准曲线，利用测试获取所需要的待测样品和标定溶液的电流响应值，基于标定后的响应标准曲线确定对应的待测样品浓度，标定测试结果稳定，具有良好的重复性且标定测试过程方便。相比利用其他的标定手段，利用电流响应饱和值标定不用依赖昂贵的设备，标定过程简洁且标定成本低。此外，在标定过程中，不会对硅纳米线传感器的本身造成损害，不影响硅纳米线传感器的使用性能。
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公开(公告)号：CN115308269A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210937290.7
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种气体传感器的制备方法，包括提供衬底；在衬底上制备至少一个由石墨烯缓冲层和有机柔性绝缘材料缓冲层组成的组合缓冲层；在最顶端的有机柔性绝缘材料缓冲层上制备敏感材料层，敏感材料层为石墨烯传感层；在敏感材料层上形成源极和漏极；进行后处理，在石墨烯缓冲层和有机柔性绝缘材料缓冲层的接触面处引入含氧官能团增加层间的互斥作用，优化敏感材料层的氧化程度。根据本发明的气体传感器及其应用，其用于检测苯类气体。根据本发明的气体传感器，将有机柔性绝缘材料缓冲层放置于两个石墨烯层中间抵消外界作用力，通过简单堆叠石墨烯层的方式增加石墨烯层与层之间的滑动作用，增强石墨烯气体传感器的耐弯折性能。
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公开(公告)号：CN115078472A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210801907.2
申请日：2022-07-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/06
Abstract: 本发明提供一种调控德拜长度实现复杂环境高灵敏生化检测的方法，包括：对复杂样本进行稀释，得到多个浓度的目标溶液；将复杂样本以及稀释后的目标溶液通过纳米传感器阵列；通过纳米传感器的检测灵敏度确定合适的稀释倍数和探针的类型，随后根据确定的稀释倍数和探针的类型完成复杂样本中目标物的特异性检测。本发明的调控德拜长度实现复杂环境高灵敏生化检测的方法通过对待测目标液进行稀释，使得溶液中的德拜长度与纳米传感器表面修饰的探针长度相当，从而能够使用纳米传感器对目标物进行检测，利用稀释和DNA、PNA组合等探针来完成在复杂环境中对目标物的特异性检测，具有简单、高效、速度快和成本低的优点。
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公开(公告)号：CN111999338B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202010714074.7
申请日：2020-07-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明涉及一种微型热导气体传感器，包括下盖、以及与所述下盖气密性键合的上盖，所述下盖的上表面设有两个悬浮的热丝组件，其中，每个热丝组件连接一组焊盘；所述上盖的下表面上设有两组依次连接的第一浅槽气道、气道和第二浅槽气道，其中，两个气道分别与两个旁路测试腔室相连，所述两个旁路测试腔室所在的位置与两个所述热丝组件所在的位置相互对应。本发明可以对气体实现分流，避免流动的气体直吹热丝，从而使得整个微型热导气体传感器对流速不敏感，能够有效降低气路流速波动产生的噪声。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113933364A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111031603.4
申请日：2021-09-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414 , G01N33/531 , G01N33/535 , G01N33/543 , G01N33/58
Abstract: 本发明公开了一种基于硅纳米线场效应生化传感器的靶标物浓度检测方法，包括制备免疫磁珠‑靶标物‑免疫硅纳米颗粒；修饰硅纳米线场效应生化传感器，用于识别不同的所述三层结构催化所述pH酶的底物发生催化反应所产生的pH变化；使免疫磁珠‑靶标物‑免疫硅纳米颗粒与pH酶的底物发生催化反应，以改变待测溶液的pH；将待测溶液进行磁性分离，取上清液在硅纳米线场效应生化传感器上进行pH检测，根据浓度与pH的标准曲线，得到靶标物的浓度。本发明将靶标物浓度转化为pH变化，利用硅纳米线场效应生化传感器对该pH变化进行检测，根据其电流变化量，能够实现靶标物的定性与定量测定，简单稳定，灵敏度高，检测准确性好，通用性强。
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公开(公告)号：CN109752418B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201910053633.1
申请日：2019-01-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/18
Abstract: 本发明涉及一种微型热导气体传感器，其包括：一下盖以及一与该下盖气密性键合的上盖，其中，所述下盖的上表面上设有：两个彼此相对设置的焊盘以及两个分别与两个所述焊盘连接且彼此相对设置的悬浮的热丝组件；所述上盖的下表面上设有：两组依次连通的第一浅槽气道、气体扩散腔和第二浅槽气道，其中，两个气体扩散腔分别与两个所述热丝组件的位置对应，且每个气体扩散腔中设有自所述上盖向下突起的隔离结构。本发明避免了流动的气体直吹热丝，从而使得整个微型热导气体传感器对流速不敏感，由此在无需进行后续补偿计算的情况下能够有效降低气路流速波动产生的噪声，进而实现高性能、功耗极低、体积极小的微型热导气体传感器。
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公开(公告)号：CN111721710B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010073597.8
申请日：2020-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用光标定硅纳米线传感器的方法，包括：对所述硅纳米线传感器进行表面修饰；获取预定测试环境下已修饰硅纳米线传感器在不同光照强度下的光响应电流；基于所述光响应电流确定光响应函数表达式的光响应函数解析式；根据所述光响应函数解析式和环境变量偏置值，确定目标物响应函数表达式的目标物响应函数解析式；基于所述目标物响应函数解析式，确定待测样品的响应电流所对应的待测样品浓度。该方法利用硅纳米线对光的吸收效率来评估硅纳米线传感器的性能，解决由于传感单元差异引起的传感器件响应效率不一致问题。该标定方法具有简单、高效、成本低、器件无损和不干扰后续器件使用的优点。
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公开(公告)号：CN110687065B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201910875346.9
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/01 , G01N21/03
Abstract: 本申请提供一种红外光源的制备方法及一种红外气体传感器，该红外光源的制备方法包括以下步骤：制备加热器，加热器包括硅衬底、支撑膜和加热电阻层，支撑膜和加热电阻层依次沉积在硅衬底上；绝缘层沉积在加热电阻层上；制备辐射波长控制结构，辐射波长控制结构包括金属反射层、介质层和周期性纳米金属层，金属反射层、介质层和周期性纳米金属层依次沉积在绝缘层上。红外光源为窄带红外光源，窄带红外光源通过调整超材料结构和尺寸能够辐射中心波长3μm‑9μm的窄带红外光，窄带红外光的半高宽不大于220nm；该红外气体传感器采用上述红外光源的制备方法所制备的红外光源，如此，大大减小了红外气体传感器的体积，有利于实现红外气体传感器的微小型化。
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公开(公告)号：CN112103157A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010862895.5
申请日：2020-08-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种平面型空气通道晶体管，包括：衬底、绝缘层、多晶硅、第一牺牲层、第一导电材料、第二导电材料、第一极、第二极和第三极；绝缘层位于衬底上，多晶硅和第二导电材料均位于绝缘层远离衬底的一侧，第二导电材料、多晶硅之间形成有空气通道；第一导电材料和第一牺牲层均设置在多晶硅上，第一牺牲层连接第一导电材料和多晶硅，第一导电材料设置有贯通第一牺牲层的第一接触点，第一极位于第一接触点处；第三极位于绝缘层上的第二接触点处；绝缘层和第二导电材料均与第二极的底部相接触；本发明通过去除多晶硅侧壁生长的牺牲层在第二导电材料和多晶硅之间形成空气通道，无需高精度的光刻工艺，提高生产效率，增加了实用价值。
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