公开(公告)号：CN100423265C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410067218.5

申请日：2004-10-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘卫丽 ,  宋志棠 ,  陈邦明 ,  封松林

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供一种三维互补金属氧化物半导体晶体管(CMOS)的结构及其制备方法，其特征在于pMOS制备在单晶硅(110)面上，nMOS制备在单晶硅(100)面上，且pMOS和nMOS分开在不同层上。其制作方法是在(100)面上形成nMOS并覆盖上绝缘层后，将表面为(110)面的单晶硅薄膜转移到绝缘层上，在(110)面上制备pMOS，连线形成CMOS结构；也可以在(110)面上形成pMOS并覆盖上绝缘层后，将表面为(100)面的单晶硅薄膜转移到绝缘层上，在(100)面上制备nMOS。本发明提供的金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法，可以获得高迁移率、高集成度和低成本。

公开(公告)号：CN101232037A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810033917.6

申请日：2008-02-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  丁晟 ,  刘波 ,  宝民 ,  封松林 ,  刘卫丽

IPC: H01L27/24 ,  H01L23/522 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明涉及多层次相变存储阵列与下层外围电路互连的方法，通过一定的互连方式实现上层相变存储阵列与下层外围电路互连。其特征在于本发明提出边缘互连、交错互连、共用字线互连和综合上述三种方式的互连等四种互连方式。并对每一种互连方式进行分析，指明其优缺点和一般适用范围。以实现高密度大容量、多层次相变存储器芯片的设计。

公开(公告)号：CN1588637A

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN200410053565.2

申请日：2004-08-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  夏吉林 ,  刘卫丽 ,  刘波 ,  封松林

IPC: H01L21/82 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种纳电子器件的制备方法。特征在于：首先在衬底材料上沉积一层下电极材料W，然后依次沉积一层Al和一层SiO2。通过曝光、刻蚀，在SiO2上刻蚀出孔，使下层Al暴露出来，然后通过阳极氧化法在暴露出的部分形成多孔氧化铝，同时对每个孔进行进一步的加工，可以形成唯一的一个纳米尺度的氧化铝小孔，或形成孔径一致，分布均匀纳米孔阵列，或形成孔径分散而分布均匀纳米孔阵列。再用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积薄膜，实现纳米孔的W填充，通过纳米抛光技术实现纳米孔顶端的平坦化，然后沉积相变材料与电极材料，引线，封装，实现纳米存储单元。

公开(公告)号：CN1564308A

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN200410017080.8

申请日：2004-03-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技有限公司

Inventor： 安正华 ,  林成鲁 ,  张苗 ,  刘卫丽 ,  门传玲

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅结构及制备方法，属于微电子技术领域。其特征在于先后通过Al薄膜沉积、键合、离子注入，结合热处理等技术来制备以氮化铝或氧化铝或AlN、Al2O3、Si3N4或SiO2中两种或多种复合层为埋层的SOI结构衬底材料，即先在硅片表面淀积Al薄膜，然后通过键合技术实现层转移，最后经N或O离子注入形成所需埋层材料。所制备的绝缘层上硅结构由三层构成，顶层为单晶硅层，厚度为20－2000nm，中间是绝缘埋层，厚度为50－500nm，底层为硅衬底。得到的SOI衬底材料具有良好的热传导性能，适合高温、大功率或辐照环境下的SOI电路的需要。

公开(公告)号：CN215842853U

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202122105562.0

申请日：2021-09-02

Applicant: 浙江新创纳电子科技有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 孔慧 ,  魏斯奇 ,  苏秀继 ,  刘卫丽 ,  宋志棠

IPC: B01J3/00 ,  B01J19/18 ,  C01B33/141

Abstract: 本实用新型涉及制备二氧化硅的设备技术领域，尤其是涉及一种制备胶体二氧化硅的装置。一种制备胶体二氧化硅的装置，包括反应釜、冷凝器、收集罐和真空发生器，所述收集罐和所述真空发生器连通，所述反应釜设有排气口和回气口，所述冷凝器设有气体入口和气体冷凝液出口，所述排气口与所述气体入口通过第一管道连通，所述气体冷凝液出口与所述回气口通过第二管道连通，所述气体冷凝液出口与所述收集罐通过第三管道连通。本实用新型的装置将多个相互独立的工艺流程进行一体化集成，使得胶体二氧化硅的合成反应、浓缩反应和置换反应得到有机结合，实现了同一反应釜内高效制备胶体二氧化硅的工业化制备，缩短了工艺流程，降低了工艺难度。

公开(公告)号：CN214810843U

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202121017496.5

申请日：2021-05-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新安纳电子科技有限公司 ,  浙江新创纳电子科技有限公司

Inventor： 孔慧 ,  李宏亮 ,  刘卫丽 ,  宋志棠

IPC: B01J19/18 ,  B01D36/00 ,  B01D61/18 ,  C01B33/14 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本实用新型涉及一种胶体二氧化硅制备装置，包括反应釜、高温泵、过滤器和超滤器，所述反应釜和所述高温泵连接，所述高温泵和所述过滤器连接，所述过滤器和所述超滤器连接，所述超滤器和所述反应釜连接；所述反应釜的外壁设置有夹套，所述夹套用于反应釜在制备二氧化硅时循环通入蒸汽对所述反应釜进行加热，所述夹套用于反应釜在反应结束后循环通入冷却水对所述反应釜进行降温；所述反应釜用于将物料经由所述高温泵输送至过滤器，所述过滤器将物料过滤后输送至所述超滤器，所述超滤器对过滤后的物料进行浓缩后输送至所述反应釜。本实用新型可实现高温下二氧化硅颗粒边生长边过滤边浓缩，同时还可避免后续的浓缩步骤。

公开(公告)号：CN202666703U

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201220202064.6

申请日：2012-05-07

Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 潘忠才 ,  宋志棠 ,  刘卫丽

IPC: B01D63/04

Abstract: 本实用新型提供一种中空纤维膜组件的封装结构及使用该封装结构的中空纤维膜组件。所述中空纤维膜组件的封装结构至少包括：套管、环氧树脂封装端、密封圈和压盖；所述套管的两端通过所述密封圈与所述压盖密闭连接；所述套管的两端内部均设有所述环氧树脂封装端，所述套管的内壁与所述环氧树脂封装端的边缘密闭连接，且所述套管与所述环氧树脂封装端相接触的部分中靠近外侧的内径大于靠近内侧的内径。本实用新型具有耐高温与不易泄漏的优点，可以满足高温情况下进行物质分离的需要。