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公开(公告)号：CN116913345A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310363597.5
申请日：2023-04-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 蛇岛浩史
Abstract: 半导体器件具有电可写入或可擦除的非易失性存储器以及用于执行非易失存储器的写入操作和擦除操作的模式控制的控制电路，其中非易失性存储器具有重写暂停/恢复控制电路：其对来自控制单元的请求暂停重写操作的暂停请求信号作出响应；对用于暂停施加写入电压或擦除电压的操作以及来自控制单元的请求从重写操作的暂停进行恢复的恢复请求信号作出响应；控制用于从电压施加的暂停中恢复的操作；以及在写入电压或擦除电压的电压施加停止时向重写中断/返回控制电路输出电压施加停止标志，重写中断/返回控制电路向控制电路输出电压施加停止标志，并且重写信息保持电路保持用于标识在暂停请求信号的响应时间时被施加了写入电压的选择线的写入位置信息。
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公开(公告)号：CN116912313A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310260213.7
申请日：2023-03-17
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种包括用于对象检测标记的边界框检查器的系统。描述了用于评估混合图像中的边界框集合的系统和方法。系统可以包括被配置为获得预期边界框数据的集成电路。预期边界框数据可以是基于图像的坐标数据。集成电路可以基于预期边界框数据来确定目标坐标。集成电路可以接收包括对象集合和边界框集合的混合图像。集成电路可以提取位于混合图像中的目标坐标处的像素值。集成电路可以基于提取的像素值和预期边界框数据，来标识与边界框集合有关的错误。
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公开(公告)号：CN111033721B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201780094075.2
申请日：2017-11-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 在一实施方式的半导体器件中，将构成模拟电路的场效应晶体管形成于其上的SOI衬底的半导体层的厚度设置为2nm以上且24nm以下。
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公开(公告)号：CN109150109B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201810504307.3
申请日：2018-05-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 柴田贤一
Abstract: 本公开涉及无线电信号处理装置、半导体装置和振荡频率变化校正法。即使在伴随着功率放大器的放大操作的振荡器的干扰量和极性不恒定的情况下，也可以抑制振荡器的振荡频率的变化。振荡器被配置为能够以根据控制信号Vcont和FREQ_CTRL的振荡频率振荡。锁相环使用控制信号Vcont允许振荡器与参考信号RELCLK同步输出振荡信号Vout。功率放大器放大振荡信号Vout的电功率。在引起与振荡器的干扰的功率放大器开始放大操作之后，变化检测单元检测控制信号Vcont相对于时间改变的变化。变化校正单元基于由变化检测单元检测到的变化产生控制信号FREQ_CTRL，并且校正伴随着功率放大器的放大操作的干扰引起的振荡频率的变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109037320B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201810589501.6
申请日：2018-06-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 神田良
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件1包括：包括上表面的半导体衬底50；沟槽电极22，设置在形成在上表面上的沟槽20内；以及沟槽绝缘膜21，设置在沟槽电极22和半导体衬底50之间。半导体衬底50包括：第一导电类型的第一半导体层，到达第一半导体层的沟槽电极22的下端；第二导电类型的深层19，部分地设置在第一半导体层上并且与沟槽绝缘膜21接触；第二导电类型的第二半导体层，设置在第一半导体层上和深层19上并且与沟槽绝缘膜21接触；以及第一导电类型的第三半导体层，设置在深层19之上的第二半导体层上。
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公开(公告)号：CN109388136B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201810864005.7
申请日：2018-08-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05D1/02
Abstract: 本申请涉及移动对象控制系统、移动对象控制方法和程序。移动对象控制系统具有：SfM单元，通过使用SfM算法检测距单目相机拍摄的对象的距离；第一停止位置输出单元，输出第一停止位置；第二停止位置计算单元，计算比第一停止位置更近的第二停止位置；以及控制单元，控制移动对象的行驶。控制单元控制移动对象以停止在第二停止位置处。当满足预定启动条件时，控制单元控制移动对象以便启动。SfM单元通过在移动对象启动之后使用由单目相机拍摄的图像来检测距对象的距离。当获得由SfM单元进行的对象距离的检测结果时，控制单元使用检测结果来控制行驶。
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公开(公告)号：CN108733520B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201810318138.4
申请日：2018-04-11
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 香曾我部诚一
IPC: G06F11/22 , G06F11/26 , G01R31/3181
Abstract: 提供了检查系统、检查装置和检查方法。确定待检查装置的算术运算功能是否正常。待检查的MCU(13)从检查侧的电源IC(12)获取要用于算术问题的常数。MCU(13)顺序地选择多个算术问题，并根据选择的算术问题使用所获取的常数来执行算术运算。电源IC(12)的监测电路(23)从MCU(13)接收算术问题的算术运算的结果。监测电路(23)将接收的算术运算结果与在监测电路(23)侧计算的算术问题的算术运算结果进行比较。监测电路(23)基于比较结果确定MCU(13)的算术运算功能是否正常工作。
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公开(公告)号：CN105609132B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201510800604.9
申请日：2015-11-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储装置，具有使用可变电阻元件的至少一个存储单元，以及控制存储单元的写入和读取的控制电路。通过控制电路实现的操作包括第一写入操作，第二写入操作以及重写操作。第一写入操作是用于将第一极性的第一电压施加至存储单元的写入操作。第二写入操作是用于将与第一极性相反的第二极性的第二电压施加至存储单元的写入操作。重写操作是在第一写入操作失败时，用于进一步执行用于将第二极性的第二电压施加至存储单元的第二A写入操作以及用于将第一极性的第一电压施加至存储单元的第一A写入操作的写入操作。
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公开(公告)号：CN116779543A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310056869.7
申请日：2023-01-18
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 津田是文
IPC: H01L21/8234 , H01L27/12
Abstract: 本公开的各实施例涉及一种制造半导体器件的方法。在SOI衬底中形成多个沟槽后，绝缘层的侧表面从半导体层的侧表面和半导体衬底的侧表面后退。接着，绝缘层的侧表面被有机膜覆盖并且半导体层的侧表面也通过对嵌入到多个沟槽的每个的内部有机膜执行各向异性蚀刻工艺而从有机膜暴露。接着，通过执行各向同性蚀刻工艺使半导体层的侧表面和半导体衬底的侧表面中的每个侧表面接近绝缘层的侧表面。此外，在去除有机膜之后，分别对半导体层的侧表面和半导体基板的侧表面中的每个侧表面执行氧化处理。
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