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公开(公告)号：CN116913345A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310363597.5
申请日：2023-04-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 蛇岛浩史
Abstract: 半导体器件具有电可写入或可擦除的非易失性存储器以及用于执行非易失存储器的写入操作和擦除操作的模式控制的控制电路，其中非易失性存储器具有重写暂停/恢复控制电路：其对来自控制单元的请求暂停重写操作的暂停请求信号作出响应；对用于暂停施加写入电压或擦除电压的操作以及来自控制单元的请求从重写操作的暂停进行恢复的恢复请求信号作出响应；控制用于从电压施加的暂停中恢复的操作；以及在写入电压或擦除电压的电压施加停止时向重写中断/返回控制电路输出电压施加停止标志，重写中断/返回控制电路向控制电路输出电压施加停止标志，并且重写信息保持电路保持用于标识在暂停请求信号的响应时间时被施加了写入电压的选择线的写入位置信息。
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