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公开(公告)号：CN212230414U
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202020729244.4
申请日：2020-05-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型提出了一种贴片元器件的封装结构，所述封装结构的引脚的焊接平面凹进所述封装结构的底面内以形成焊料储存槽。本实用新型的贴片元器件的封装结构的的引脚的焊接平面凹进所述封装结构的底平面内，使得引脚的焊接平面与周围结构形成焊料储存槽，多余的焊料可以储存或隐藏在焊料储存槽内，位于焊料储存槽周围的封装结构的底面形成为绝缘隔栅，可以有效避免引脚短路现象，降低生产过程中的不良率。本实用新型还提出了一种包括上述封装结构的贴片元器件及电子设备。
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公开(公告)号：CN212113686U
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202020348296.7
申请日：2020-03-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型涉及封装结构技术领域，具体涉及一种封装结构，该封装结构，包括：半导体模块和包封于所述半导体模块外侧的硅胶层；本实施例采用固化后具有弹性的硅胶层代替现有技术的环氧树脂塑封料，从而实现当外界温度发生变化时，固化后具有弹性的硅胶层在热胀冷缩的过程中不会对芯片造成损伤，最终保证芯片性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN212010950U
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202021008548.8
申请日：2020-06-04
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/40
Abstract: 本实用新型涉及通信领域，公开一种功率器件散热装置，包括：功率器件；用于给功率器件散热的散热器；连接组件，连接组件一端与散热器连接，另一端与功率器件背离散热器一侧抵接。上述功率器件散热装置中功率器件上不再开设螺纹孔，散热器通过连接组件与功率器件连接，具体地，连接组件一端与散热器连接，另一端与功率器件背离散热器一侧抵接，即连接组件将功率器件压紧在散热器上，从而避免了在功率器件上开设螺纹孔。因此，上述功率器件散热装置通过无螺纹孔的功率模块与散热器的固定结合结构，依靠特有的连接组件实现了功率器件的无螺纹孔安装，从而增大了功率器件的引线框架或者功率器件中封装基板的固焊区域，提升了功率器件的尺寸利用率。
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公开(公告)号：CN211957687U
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202020762459.6
申请日：2020-05-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 涉及集成电路技术领域，本申请公开一种热电堆芯片，包括衬底、支撑层及位于所述支撑层的热电偶，支撑层设置有红外吸收层，所述衬底对应所述红外吸收层刻蚀有空穴，热电堆芯片还设置用作电极焊点的凹槽，凹槽从所述衬底延伸至所述支撑层，凹槽设置两个，且两个凹槽分别位于所述空穴的相对两侧，衬底厚度在20μm至30μm之间，所述支撑层包括氮化硅薄膜或氧化硅薄膜，氮化硅膜厚度5μm-10μm，所述红外吸收层为碳化的光刻胶层，热电偶中的一支半导体为多晶硅条，所述热电偶中的一支半导体为铝条，本方案提供一种贴片式的热电堆芯片，解决现有引脚式芯片中引脚分压影响传感器校准精度的技术问题，提高芯片的封装效率，扩大芯片的应用范围。
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公开(公告)号：CN211629106U
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202020184286.4
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型提供了一种功率模块上下桥芯片叠层布局结构以及功率模块，芯片叠层布局结构包括沿着竖直方向从上到下部分重叠设置的下桥芯片与上桥芯片，所述下桥芯片下表面的集电极与所述上桥芯片上表面的发射极互相连接。通过将上下桥芯片在竖直方向上进行三维的叠层布局，减小了上下桥芯片在功率模块中占用的二维平面上的面积，进而有效减小了整个模块的面积与体积；同时，上下桥芯片的叠层布局缩短了二者间的导电路径，提高了电性能。功率模块包括了上述芯片叠层布局结构，进而也具备其所具备的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN211350580U
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202020297245.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L25/18
Abstract: 本申请涉及智能功率模块技术领域，公开了一种芯片及电子器件，芯片包括垂直互联的电子封装基板和导线框架，其中：电子封装基板与导线框架之间电连接；电子封装基板上安装有多个功率半导体芯片，每一个功率半导体芯片包括：栅极、第一发射极和第二发射极，且每一个功率半导体芯片与电子封装基板之间电连接；导线框架上安装有多个驱动控制芯片，每一个驱动控制芯片与导线框架之间电连接；每一个驱动控制芯片的驱动电极与对应的功率半导体芯片上的栅极之间通过金属引线连接。本申请公开的芯片，通过在芯片表面互联使用导线框架，替代了铝线，散热效果更好，可靠性及电流密度得到提升。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211182210U
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201921897573.3
申请日：2019-11-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/331
Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件，其中，功率半导体器件的终端结构包括：衬底和位于衬底上的外延层；位于外延层内的耐压环、位于外延层内且位于耐压环外围的截止环、依次设置于耐压环和截止环上的介质层、金属层和钝化层，耐压环、截止环、介质层、金属层和钝化层形成耐压终端结构；其中，截止环的外侧设有划片槽，截止环与划片槽之间的部位设有凹陷，钝化层伸入凹陷内以包覆截止环和金属层。本申请公开的功率半导体结构的终端结构，保证了器件的可靠性，能够进一步降低器件的漏电水平，有效降低器件损耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211088282U
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201922050171.6
申请日：2019-11-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型提供了一种快恢复二极管，涉及半导体技术领域。其中，快恢复二极管包括：晶圆；设置于所述晶圆上的元胞区，所述元胞区包括第一离子部和第二离子部，所述第一离子部沿预设方向间隔分布，相邻两个所述第一离子部之间设置有所述第二离子部。本申请在元胞区设置有第一离子部及第二离子部，其中，第一离子部与第二离子部可以为浓度不同的掺杂离子类型，形成第一离子部与第二离子部相间分布的主结区域，由此可兼顾第一离子部离子浓度下快恢复二极管的优势、第二离子部浓度下快恢复二极管的优势，有效改善快恢复二极管的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210640256U
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201921741802.2
申请日：2019-10-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/20
Abstract: 本实用新型公开了一种氮化镓功率器件；包括由下至上依次连接的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层、p型氮化镓块层和栅金属块层；所述栅金属块层包括相连接的第一栅金属层和第二栅金属层；所述第一栅金属层与所述p型氮化镓块层欧姆接触，所述第二栅金属层与所述p型氮化镓块层肖特基接触。本实用新型的氮化镓功率器件采用欧姆栅和肖特基栅混合金属栅极结构，结合二者各自的优势，提高器件阈值电压，降低栅极漏电，同时增强器件输出电流能力，避免了HEMT器件出现误开通问题，提高了器件的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210403714U
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201921945449.X
申请日：2019-11-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L25/18
Abstract: 本申请提供了一种功率模块，其包括衬底导电层以及设置在所述衬底导电层上的多个芯片，其中，在所述多个芯片中的至少一个芯片与所述衬底导电层之间设置有导电垫片以使得所述多个芯片的上表面处于同一平面内，芯片之间采用导电片连接。利用该功率模块，增加了与芯片连接点处的结合牢固程度，有利于导电片的加工成型，并且有效缩短了导电片的长度，降低了寄生电感。
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