公开(公告)号：CN102320828B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201110162421.0

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周沁 ,  杨华斌 ,  周昌荣 ,  成钧 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3+zMaOb、(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-v)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-v(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、z和v表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102285794B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110162422.5

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  周昌荣 ,  周沁 ,  成钧 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合钙钛矿结构化合物组成的无铅压电陶瓷，成分以通式(1-x)Bi(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3+zMaOb；(1-x)Bi(Li1/3Me2/3)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y)Bi(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y)Bi(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-v)i(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-v(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示的无铅压陶瓷，其中x、y、z和v表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102249678B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110162420.6

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  周昌荣 ,  周沁 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了无铅无铋压电陶瓷，成分以通式(1-x)Ba(Cu1/4Me3/4)O3-x(Na1/2K1/2)NbO3+zMaOb、(1-x)Ba(Cu1/4Me3/4)O3-x(Na1/2Li1/2)NbO3+zMaOb、(1-x-y)Ba(Cu1/4Me3/4)O3-x(Na1/2K1/2)NbO3-yLiTaO3+zMaOb或(1-x-y-u-v)BaCu1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2K1/2)NbO3-u(Na1/2Li1/2)NbO3-vLi(Nb,Sb)O3+zMaOb来表示，其中x、y、u、v和z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102898135A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210386022.7

申请日：2012-10-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  袁昌来 ,  杨云 ,  周昌荣 ,  彭福伟

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法，该材料主要成分为Ca0.8Sr0.2TiO3和Li0.5Nd0.5TiO3组合固熔体。实现方法为先合成(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Nd0.5)1-xTiO3粉体，所得混合粉体在1050~1150℃保温2~4小时进行预烧，把所得预烧粉体进行二次球磨过筛；再加入少量乙酸锰（Mn(CH3COO)2），并压制成圆柱状坯体，把所得坯体在1200~1350℃温度下保温2~4小时烧结成瓷，即可得到掺Mn的Li补偿(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Nd0.5)1-xTiO3高介电常数微波介质陶瓷材料。该材料介电常数高、谐振温度系数小、损耗较低，性能测试表明能够获得较好的微波介电性能：介电常数εr>120，谐振温度系数绝对值 1500GHz。制备工艺相对简单、稳定。

公开(公告)号：CN102005273B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201010297410.9

申请日：2010-09-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  刘心宇 ,  马家峰 ,  周昌荣 ,  陈国华

IPC: H01C7/04 ,  H01C17/065

Abstract: 本发明公开了一种高性能无铅负温度系数热敏厚膜及其制备方法，主要复合成分有两种组合方式：无机相Ⅰ组合方式为：(1-t)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+tBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3，0.4≤t≤0.95(t为摩尔比率)；无机相Ⅱ组合方式为：(1-m-l)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+mBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3+l/2Ag2O，0.3≤m≤0.65，0.05≤l≤0.3，m、l为摩尔比率，将上述复合成分与有机载体按质量比75∶25混合均匀，形成厚膜电阻浆料。将浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上，经过放平，烘烤，预烧并重复印刷得到所需厚度的厚膜素坯。将素坯在750～850℃下烧结，保温40～80分钟即可得到无铅负温度系数热敏厚膜。本发明制备工艺简单，成膜温度低，膜厚度在10～100μm内，热敏常数值介于2500～5500K之间，室温电阻率处于150Ω·cm～10MΩ·cm范围内，耐老化时间超过800小时。

公开(公告)号：CN101402521A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810073870.6

申请日：2008-10-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  刘心宇 ,  杨云 ,  杨华斌

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/457

Abstract: 本发明公开了一种NTC热敏导电陶瓷材料及其制备方法，它是以BaCO3、SrCO3、SnO2和Fe2O3为主要原料，混合球磨，烘干，得到Ba1－ySryFexSn1－xO3坯料，不掺杂或单独掺杂或复合掺杂后二次球磨Ba1－ySryFexSn1－xO3坯料；采用普通陶瓷制备工艺制备。本发明制备的NTC热敏导电陶瓷B值可以达到5100K，室温电阻率可降至2800Ω·m。本发明制备工艺简单，成本低，所得产品可应用于测温、控温、自动增益调整、温度补偿等方面。

公开(公告)号：CN215202521U

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202120220228.7

申请日：2021-01-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 黎清宁 ,  周昌荣 ,  谢晓宇 ,  袁昌来 ,  许积文 ,  陈国华

IPC: B28B1/00 ,  B33Y30/00

Abstract: 本实用新型公开了一种压电陶瓷浆料3D打印机，包括底座和龙门架，所述龙门架的底部固定连接有Y向移动座，所述龙门架的顶部固定连接有横梁，所述横梁内部沿X方向开设有条形槽，所述横梁的条形槽内部滑动连接有X向移动座，所述X向移动座的正面固定设置有Z向固定架，所述Z向固定架的内部设置有Z向移动座，所述Z向移动座的正面上设置有固定基座，所述固定基座的正面通过L型板固定设置有打印机头，所述底座的表面上经锁紧螺钉并排设置有若干个支撑框架，所述支撑框架的表面上经卡槽滑动连接有工件固定架，且通过工件固定架对打印玻璃板进行锁紧固定，本案中的工件固定架对打印玻璃板固定的灵活性高，实用性强，应用范围广。